N-channel TrenchMOS logic level FET
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该文档是NXP半导体公司生产的BUK9511-55A型号N沟道TrenchMOS逻辑电平FET的产品数据表。该产品采用TrenchMOS技术,适用于逻辑电平门驱动,由于其工作温度范围为-55°C至175°C,因此适合高热需求环境。该产品符合AEC Q101标准,适用于汽车关键应用。主要特点包括低导通损耗、低导通电阻、适用于12V和24V负载、汽车和通用电源开关等。
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|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
PD(W)
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
VGS(th)Min(V)
|
VGS(th)Max(V)
|
RDS(on)Max(mΩ)
|
Package
|
|
LT2N7002T
|
小信号MOSFET
|
N
|
0.15
|
60
|
±20
|
0.115
|
1
|
2.5
|
7500
|
SOT-523
|
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|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Technology
|
Polarity
|
ESD Protection
|
VDS(V)
|
ID Max (A)@Ta=25℃
|
VGS(th) Min
|
VGS(th) Max
|
RDSon@4.5V Max(mΩ)
|
|
SMD02C450UK
|
小信号MOS管
|
SOT-26
|
Trench
|
N+P
|
ESD Protection
|
20/-20
|
N:1.2
P:0.8
|
0.4
|
1
|
N:180
P:450
|
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产品型号
|
品类
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封装
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Technology
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Polarity
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ESD Protection
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VDS(V)
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ID Max (A)@Ta=25℃
|
VGS(th) (V)Min
|
VGS(th) (V)Max
|
RDSon@4.5V Max(mΩ)
|
|
SMPH02N165UK
|
小信号MOS管
|
DFN1006-3B
|
Trench
|
N
|
ESD Protection
|
20
|
1.5
|
0.4
|
1
|
165
|
电子商城
服务市场
提供从安全芯片架构设计到芯片成品的整体解决方案,包括厂家的选择、工艺节点的应用、IP的提供、后端设计、封装和测试方案与逻辑等方面,工艺节点主要包含180nm/130nm/110nm/90nm/65nm/55nm/40nm/28nm/14nm/等节点。
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