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N-channel TrenchMOS logic level FET
发布时间: 2025-07-13
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
BUK9511-55A
本数据手册详细介绍了NXP Semiconductors推出的BUK9511-55A型号N通道沟槽MOS逻辑电平FET。该器件是一款采用沟槽MOS技术的增强型场效应晶体管,专为逻辑电平门极驱动设计,完全符合AEC Q101标准,能够满足汽车关键应用的严苛要求。在产品特性方面,BUK9511-55A具备低导通损耗和低开启电阻的优势,并支持在175°C的高温环境下稳定工作,确保了在复杂工况下的可靠性。该产品主要应用于12V和24V负载场景,广泛适用于汽车及通用电源开关领域。NXP在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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加工定制
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
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BUK9511-55A N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
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26 May 2016
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