N-channel TrenchMOS logic level FET

知识图谱

发布时间： 2018-04-23 品牌： Nexperia 资料类型：数据手册语言：英文

代理服务

●采用TrenchMOS技术的塑料封装逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品的设计和鉴定符合适用于汽车关键应用的AEC标准。

●特点和优点：

■符合AEC Q101
■低导通电阻导致的低传导损耗
■适用于逻辑电平门驱动源
■由于175°C的额定温度，适合热要求较高的环境

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

资料部分预览(2页)

- 预览已结束，资料共 13页，预览全部，请登录/注册 -

立即下载完整资料资料将发送到工作邮箱，自动同步至所有设备，方便管理

发送至：
分享至：
+1 赞 0
评论 0
收藏

本文内容由平台用户转载自Nexperia品牌，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于用户通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。

N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管

31 May 2010 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK9606-55A N沟道TrenchMOS逻辑电平FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于逻辑电平门驱动源和高温环境等特点。

NEXPERIA - N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET,N沟道TRENCHMOS逻辑电平场效应晶体管,LOGIC LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管,BUK9606-55A,GENERAL PURPOSE POWER SWITCHING,马达,LAMPS,汽车,24 V负载,通用电源开关,MOTORS,12 V负载,12 V LOADS,AUTOMOTIVE,灯,螺线管,24 V LOADS,SOLENOIDS

查看更多版本

代理服务

国产替代

中国RoHS BUK9606-75B

2019/01/07 - 测试报告该资料为Nexperia公司生产的BUK9606-75B元器件的环保合规性声明。声明中详细列出了该元器件中各部件的有毒有害物质含量，并标注了是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，声明中提到所有Nexperia产品均具有50年的环保使用期限，并强调所有信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。

NEXPERIA - BUK9606-75B

查看更多版本

代理服务

国产替代

N沟道沟道场效应晶体管

23 July 2009 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的BUK9606-55B N沟道 trenchMOS FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于逻辑电平栅极驱动源和高温环境等特点。

NEXPERIA - N沟道沟道场效应晶体管,N-CHANNEL TRENCHMOS FET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,BUK9606-55B,马达,LAMPS,24 V负载,通用电源开关,MOTORS,12 V负载,12 V LOADS,灯,螺线管,汽车系统,24 V LOADS,GENERAL PURPOSE POWER SWITCHING,AUTOMOTIVE SYSTEMS,SOLENOIDS

代理服务

国产替代

化学成分BUK9606-75B

2017-06-22 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK9606-75B的化学成分、封装类型、重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、处理周期、材料组成、CAS编号、质量百分比等信息。资料还包含了注意事项和免责声明，强调信息仅供参考，并指出可能存在制造地点间的微小差异。

NEXPERIA - BUK9606-75B

查看更多版本

代理服务

国产替代

中国RoHS BUK9606-40B

2019/01/07 - 测试报告本资料为Nexperia公司生产的BUK9606-40B元器件的环保合规性说明。资料详细列出了该元器件中各部件的化学成分，包括铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量，并标注了是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，资料还提及了所有Nexperia产品的环保友好使用期限为50年，并包含免责声明。

NEXPERIA - BUK9606-40B

查看更多版本

代理服务

国产替代

化学成分BUK9606-40B

2017-06-22 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK9606-40B的化学成分、封装类型、重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、处理周期、材料组成、CAS编号、质量百分比等信息。资料还包含了注意事项和免责声明，强调信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。

NEXPERIA - BUK9606-40B

查看更多版本

代理服务

国产替代

中国RoHS BUK9606-55A

2019/01/07 - 测试报告该资料为Nexperia公司生产的BUK9606-55A元器件的环保合规性说明。内容包括该元器件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，资料还提及所有Nexperia产品均有50年的环保使用期限，并对信息准确性、修改权等进行了免责声明。

NEXPERIA - BUK9606-55A

查看更多版本

代理服务

国产替代

中国RoHS BUK9606-55B

2019/01/07 - 测试报告该资料为Nexperia公司生产的BUK9606-55B元器件的环保合规性声明。资料详细列出了该元器件中各部件的有毒有害物质含量，并对照SJ/T11363-2006标准进行了评估。其中，铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质含量均符合标准要求。此外，资料还提及了Nexperia产品的环保友好使用期限为50年，并对信息准确性、免责声明等进行了说明。

NEXPERIA - BUK9606-55B

查看更多版本

代理服务

国产替代

化学成分BUK9606-55B

2017-06-22 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK9606-55B的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、处理版本、材料组成、质量百分比以及相关注意事项。资料中包含了不同材料的CAS编号、质量、百分比等信息，并说明了这些信息可能涉及商业机密或无官方CAS编号。此外，资料还包含了免责声明，指出所有信息仅供参考，并可能因不同制造地点而存在轻微偏差。

NEXPERIA - BUK9606-55B

查看更多版本

代理服务

国产替代

化学成分BUK9606-55A

2017-06-22 - 测试报告该资料详细描述了元器件BUK9606-55A的化学成分、封装类型、总产品重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、MSL和PPT处理周期、组装地点等信息。资料中列出了各个组成部分的材料、CAS编号、质量（mg）和质量百分比，并提供了免责声明和注意事项。

NEXPERIA - BUK9606-55A

查看更多版本

代理服务

国产替代

N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管

11 September 2012 - 数据手册本资料为NXP Semiconductors公司生产的BUK9E6R1-100E型号N通道TrenchMOS逻辑电平FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于高可靠性汽车应用，符合AEC Q101标准。主要特点包括：AEC Q101合规、重复雪崩额定值、适用于高温环境、真正的逻辑电平栅极、适用于12V、24V和48V汽车系统、电机、灯具和电磁阀控制、Start-Stop微混合应用、传动控制、超高性能功率开关等。

NEXPERIA - N通道TRENCHMOS逻辑电平FET,BUK9E6R1-100E,12V, 24V和48V汽车系统,超高性能功率开关,电机,变速箱控制,灯具和电磁阀控制,START-STOP微混合应用

查看更多版本

代理服务

国产替代

PMN49EN N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管

13 April 2007 - 数据手册

NEXPERIA - N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET,N沟道TRENCHMOS逻辑电平场效应晶体管,LOGIC LEVEL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管,PMN49EN,高速切换,HIGH-SPEED SWITCHING,BATTERY MANAGEMENT,电池管理

代理服务

国产替代

WG绝缘栅极晶体管选型表

选型表 - WG WG（威谷）提供绝缘栅双极晶体管（IGBT）的选型。该系列产品具备330V-1350V的VCE耐压范围与10A-85A的IC电流规格。核心参数优势显著，VCE(sat)覆盖1.6V-2.3V，VGE(th)为2.0V-7.3V，关断损耗Eoff低至0.25mJ-3.8mJ，正向电压VF为1.4V-2.5V，兼顾低损耗与高可靠性。产品提供TO-247、TO-220F、TO-3P、TO-252、TO-3P/TO-247及TOLT等多种封装，满足差异化布局与散热需求，广泛适用于高效开关电源、逆变器及电机驱动等功率转换应用场景。

产品型号	品类	VCE(V)	IC(A)	VCE(sat)	VGE(th)	Eoff(mJ)	VF(V)	Package
WGA25T135A	绝缘栅双极晶体管	1350V	25A	2.05V	5.0-6.5V	1mJ	2.35V	TO-247

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

永星科技功率型塑封电阻器选型表

选型表 - 永星科技永星科技提供功率型塑封电阻器选型，涵盖RMG10与RMG10A系列，功率10W至50W，阻值12Ω至5.1kΩ，精度±5%，温度系数±150×10⁻⁶/K，工作温度-55℃~+150℃。产品具备小体积大功率、耐热抗脉冲冲击特性，采用塑封灌封结构，适用于开关电源、交直流及脉冲电路、伺服预充与泄放等场景。

产品型号	品类	系列	功率	阻值	精度	工作电压	温度系数	工作温度
RMG10-35W-12Ω-J	功率型塑封电阻器	RMG10系列	35W	12Ω	±5%	500V	±150×10⁻⁶/K	-55℃~+150℃

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

华沿机器人协作机器人选型表

选型表 - 华沿机器人华沿机器人提供协作机器人选型：全系为6自由度结构，主要材料采用铝合金，额定负载覆盖4kg至30kg，工作范围介于590mm至1800mm，整机重量介于18kg至95kg，功耗为100W至600W（典型应用），末端最大速度（有效负载状态下）达2m/s至3.7m/s，重复定位精度为±0.02mm至±0.05mm（有效负载、额定速度状态下）。系列按应用环境分为标准型与防爆型两类，防爆型具备Ex ib pxb IIC T6 Gb/Ex ib pxb IIIC T80℃ Db防爆等级，工作环境温度为0~45°C至0~50°C。