N-channel TrenchMOS logic level FET
发布时间：
2018-04-23
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK9606-75B
本数据手册详细介绍了Nexperia公司生产的BUK9606-75B型号N沟道TrenchMOS逻辑电平FET的产品特性、应用领域及订购信息。该器件专为汽车关键应用设计，采用先进的TrenchMOS技术，符合AEC Q101标准，具备低导通损耗和低导通电阻的优异性能。其逻辑电平门驱动源特性使其易于驱动，同时支持高重复雪崩鲁棒性，能够适应-55°C至175°C的宽温范围，确保在高温环境下的可靠性。在应用方面，该产品广泛适用于12V、24V和42V负载，涵盖通用电源开关、汽车系统以及电机、灯具和电磁阀等控制场景。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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加工定制
可定制无线位移传感器量程范围10~600mm，采用了无线传输方式，可远程自动实时检（监）测位移量值，准确度级别(级)：0.2、0.5;内置模块：无线传输模块、供电模块;传输距离L(m)：可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
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配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
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中国RoHS BUK9606-75B
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中国RoHS BUK9606-75B
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中国RoHS BUK9606-75B
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中国RoHS BUK9606-75B
2018/03/06
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N沟道沟道场效应晶体管
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化学成分BUK9606-75B
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化学成分BUK9606-75B
2018/09/05
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化学成分BUK9606-75B
2018/04/24
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化学成分BUK9606-75B
2018/03/06
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中国RoHS BUK9606-40B
2019/01/07
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中国RoHS BUK9606-40B
2018/04/24
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中国RoHS BUK9606-40B
2018/03/06
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中国RoHS BUK9606-55B
2019/01/07
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中国RoHS BUK9606-55B
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中国RoHS BUK9606-55B
2018/04/24
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中国RoHS BUK9606-55B
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化学成分BUK9606-40B
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化学成分BUK9606-40B
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中国RoHS BUK9606-55A
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
5 October 2012
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11 September 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
13 July 2012
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 02
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N沟道TrenchMOS逻辑电平场效应晶体管
Rev. 2 — 7 February 2011
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