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20 July 2011 - 数据手册 该资料详细介绍了Nexperia公司生产的BUK9606-75B型号N沟道TrenchMOS逻辑电平FET的产品特性、应用领域和订购信息。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于逻辑电平门驱动源和高温环境等特点。
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N沟道沟道场效应晶体管
23 July 2009 - 数据手册 本资料为Nexperia公司生产的BUK9606-55B N沟道 trenchMOS FET的产品数据手册。该产品采用TrenchMOS技术，适用于汽车关键应用，具有低导通损耗、适用于逻辑电平栅极驱动源和高温环境等特点。
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化学成分BUK9606-40B
2017-06-22 - 测试报告 该资料详细描述了元器件BUK9606-40B的化学成分、封装类型、重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、处理周期、材料组成、CAS编号、质量百分比等信息。资料还包含了注意事项和免责声明，强调信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。
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2019/01/07 - 测试报告 该资料为Nexperia公司生产的BUK9606-75B元器件的环保合规性声明。声明中详细列出了该元器件中各部件的有毒有害物质含量，并标注了是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，声明中提到所有Nexperia产品均具有50年的环保使用期限，并强调所有信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。
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2019/01/07 - 测试报告 该资料为Nexperia公司生产的BUK9606-55A元器件的环保合规性说明。内容包括该元器件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量是否符合SJ/T11363-2006标准。同时，资料还提及所有Nexperia产品均有50年的环保使用期限，并对信息准确性、修改权等进行了免责声明。
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中国RoHS BUK9606-55B
2019/01/07 - 测试报告 该资料为Nexperia公司生产的BUK9606-55B元器件的环保合规性声明。资料详细列出了该元器件中各部件的有毒有害物质含量，并对照SJ/T11363-2006标准进行了评估。其中，铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质含量均符合标准要求。此外，资料还提及了Nexperia产品的环保友好使用期限为50年，并对信息准确性、免责声明等进行了说明。
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化学成分BUK9606-75B
2017-06-22 - 测试报告 该资料详细描述了元器件BUK9606-75B的化学成分、封装类型、重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、处理周期、材料组成、CAS编号、质量百分比等信息。资料还包含了注意事项和免责声明，强调信息仅供参考，并指出可能存在制造地点间的微小差异。
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2017-06-22 - 测试报告 该资料详细描述了元器件BUK9606-55B的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、处理版本、材料组成、质量百分比以及相关注意事项。资料中包含了不同材料的CAS编号、质量、百分比等信息，并说明了这些信息可能涉及商业机密或无官方CAS编号。此外，资料还包含了免责声明，指出所有信息仅供参考，并可能因不同制造地点而存在轻微偏差。
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化学成分BUK9606-55A
2017-06-22 - 测试报告 该资料详细描述了元器件BUK9606-55A的化学成分、封装类型、总产品重量、无铅焊接工艺、MPPT版本、MSL和PPT处理周期、组装地点等信息。资料中列出了各个组成部分的材料、CAS编号、质量（mg）和质量百分比，并提供了免责声明和注意事项。
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