AP30H150G N-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET
发布时间:
2023-11-30
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
铨力半导体(All Power)
型号:
AP30H150G
铨力半导体官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是铨力半导体的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供铨力半导体的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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年产400KK功率半导体器件——铨力半导体(All Power)
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| 订货型号 | AP30H150G | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | AP30H150G | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的PDFN5*6-8L封装N道增强型场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 120A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.8308
库存:
0
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| 订货型号 | AP30H50Q | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | AP30H50Q | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的PDFN3*3-8L封装N道增强型场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN3*3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 40A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.4062
库存:
400
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| 订货型号 | AP4410 | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | AP4410 | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的SOP-8封装N道增强型Mosfet | 封装/外壳/尺寸 | SOP-8 |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 15A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.3693
库存:
210
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| 订货型号 | AP50N06K | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | AP50N06K | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的Rds(on)和低栅极电荷,可用于多种应用N道增强型Mosfet | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-2L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 60V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1.2V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 50A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.5908
库存:
200
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| 订货型号 | AP25N06K | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | AP25N06K | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的Rds(on)和低栅极电荷,可用于多种应用N道增强型Mosfet | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 60V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1.2V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 20A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.4247
库存:
200
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| 订货型号 | AP7N10K | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | AP7N10K | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的TO-252封装N道增强型场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 100V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1V-3V |
| ID (A) Tc=25℃ | 7A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格:
¥0.3693
库存:
200
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| 订货型号 | AP150N03G | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | AP150N03G | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的PDFN5*6-8L封装N道增强型场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 150A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.8862
库存:
200
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| 订货型号 | APG022N06G | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | APG022N06G | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的PDFN5*6-8L封装N道增强型场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 60V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 150A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥2.9539
库存:
200
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| 订货型号 | APG011N03G | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | APG011N03G | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的PDFN5*6-8L封装N道增强型场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | VDS (V) | 30V |
| VGS (V) | ±20V | Vth (V) | 1V-2.5V |
| ID (A) Tc=25℃ | 180A | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥2.5847
库存:
200
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| 订货型号 | APG095N01G | 品牌 | 铨力半导体 |
| 型号系列 | APG095N01G | 品类 | N-Channel Enhancement Mosfet |
| 描述/说明 | 适用于作负载开关或能源管理的PDFN5*6-8L封装N道增强型场效应管 | 封装/外壳/尺寸 | PDFN5*6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Configuration | Single | MOSFET Type | N |
| VDS (V) | 100 | VGS (V) | ±20 |
| Vth (V) | 1.2-2.5 | ID (A) Tc=25℃ | 60 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.5877
库存:
200
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AP30H220G N沟道增强型MOSFET
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AP30P06 P沟道增强型MOSFET数据手册
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AP30P150G P沟道增强型MOSFET数据手册
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AP30H180D N沟道增强型MOSFET数据手册
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AP30P06K P沟道增强型MOSFET
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技术论坛
在用NMOS AONS32310, 30V 100A的,用在服务器上,是否有兼容型号推荐?
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RRU上用到一款mos,n+p,±30V,电流1.5A足够,主要是现在封装已经确定为TSOP-6,现在原物料交期不好,有没有国产交期好的推荐?
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医疗新项目上,需求一颗PMOS,30V,24A,24mΩ,PowerPAK 1212-8,帮忙推荐下
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】采用PDFN3X3封装的N沟道增强型MOSFET AP30H150Q,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3封装的N沟道增强型MOSFET——AP30H150Q,采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,无铅产品,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
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【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP30H80G,采用先进沟槽技术,栅极电荷低
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP30H80G,采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,无铅产品,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
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【产品】TO-252-2L封装的N沟道功率MOSFET AP30N03K,具有超低导通电阻和高ESD能力
铨力半导体推出一款基于先进沟槽技术设计出的N沟道功率MOSFET——AP30N03K,采用TO-252-2L封装,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,可广泛应用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等多种应用。
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【产品】采用先进沟槽技术的P沟道增强型MOSFET AP30P06K,具有出色漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的P沟道增强型MOSFET——AP30P06K,采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,无铅产品,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
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【产品】20A,30V的N沟道增强型MOSFET AP3004S,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体采用SOP-8封装的N沟道增强型MOSFET AP3004S,漏源电压最大额定值30V,连续漏极电流最大额定值20A@Ta=25℃。采用先进的沟槽技术,无铅,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性。
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【产品】国产N沟道增强型MOSFET AP30H50Q,采用先进的沟槽技术,适用于电源管理等
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP30H50Q,采用先进的沟槽技术,具有漏源导通电阻低和栅极电荷低的特性,属于无铅产品,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等。
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