AP30H150G N-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET

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2023-11-30 铨力半导体 数据手册 英文


●特性
■30V,120A
▲RDS(())<3.8mΩ@VGS=10V(
■先进的沟槽式技术
■获得无铅产品
■出色的RDS(()和低栅极电荷)

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