AP30P30Q P-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET
●特性
■-30V，-40A
◆RDS（ON）<9mΩ@VGS=-10V
◆RDS（ON）<13mΩ@VGS=-4.5V
■沟槽式DMOS功率MOSFET
■快速开关
■出色的导通电阻和最大直流电流能力
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产品型号
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品类
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Package Type
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VDS (V)
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ID(A) Tc=25℃
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ID(A) Tc=100℃
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MOSFET Type
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
Configuration
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RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
VGS (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
|
AP30P30Q
|
Trench Mos
|
PDFN3*3
|
-30
|
30
|
-
|
P
|
-
|
Single
|
10/13
|
0.8-2
|
7/10
|
±20
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-
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