BUK7L06-34ARC
发布时间：
2025-07-13
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK7L06-34ARC
本数据手册详细介绍了NXP Semiconductors推出的BUK7L06-34ARC型号N-channel TrenchPLUS标准级场效应晶体管。该器件采用TrenchMOS技术及塑料封装，专为汽车关键应用设计，具备低导通损耗、集成栅极电阻以及TrenchPLUS二极管等显著特性，并完全符合AEC标准。凭借其优异的性能表现，该产品广泛适用于12V负载驱动、汽车系统、通用电源开关，以及电机、灯具和电磁阀等控制场景。NXP在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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12 V, single P-channel Trench MOSFET 12 V, 单通道沟槽MOSFET
v.3
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PXN014-60QLA N沟道60V，14毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33，2025年2月5日产品数据手册。
5 February 2025
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PXN6R2-60QLA N型60V，6.2毫欧姆，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33，2024年12月12日产品数据手册。
12 December 2024
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PMZB300XN 20V，单N沟道沟槽MOSFET，2012年8月1日产品数据手册
1 August 2012
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PMV15UNEA - 20V，N沟道沟槽型MOSFET
v.2
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N沟道沟槽MOSFET 修订版02 — 2010年12月16日 产品数据手册
Rev. 02
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PMPB04R6UN 20V，N沟道沟槽型MOSFET
v.1
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N沟道100V，2.9毫欧，标准水平沟槽MOSFET在MLPAK56封装中。
SOT8038-1
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PXN7R7-60QLA N型60V，7.7毫欧姆，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33。
12 December 2024
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PXN9R1-60QLA N沟道60V，9.1毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33。
12 December 2024
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PXN5R7-60QLA N沟道60V，5.7毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33。
12 December 2024
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PMV27UPEA - 20V，P沟道沟槽型MOSFET
v.2
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PMV90EN 30V，单N沟道沟槽MOSFET 修订版1 — 2012年2月13日 产品数据手册
Rev. 1
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20V，单N沟道沟槽型MOSFET 2012年9月12日产品数据手册
20120912
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2N7002BKW 60V，310mA N沟道沟槽型MOSFET 2024年10月17日产品数据手册
v.2
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NX5020UNBK 50V，N沟道沟槽型MOSFET 2025年2月26日产品数据手册
v.1
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PMPB08R0EN 30V，N沟道沟槽型MOSFET 2025年5月26日产品数据手册
v.1
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PMZB380XN 30V，单N沟道沟槽型MOSFET，2012年8月1日产品数据手册
1 August 2012
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PMPB16XN 30V，单N沟道沟槽型MOSFET，2012年9月20日产品数据手册
v.1
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PMV65UN 20V，单N沟道沟槽MOSFET，2012年11月13日产品数据手册
v.1
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PXN2R8-100RL N沟道100V，2.8毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK56。
16 August 2024
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PMZB420UN — 30V，单N沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1
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60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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60V，P沟道沟槽型MOSFET
v.1
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N沟道沟槽MOSFET 版本04 — 2009年7月23日 产品数据手册
Rev. 04
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PXN011-60QLA N沟道60V，11毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33，2025年2月5日产品数据手册。
5 February 2025
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PXN6R8-60QLA N型60V，6.8毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33，2024年12月12日产品数据手册。
12 December 2024
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PMV22EN 30V，5.2A N沟道沟槽型MOSFET
Rev. 1
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PMDPB70EN 30V，双N沟道沟槽MOSFET 修订版1 — 2012年4月25日 产品数据手册
Rev. 1 — 25 April 2012
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60v，N沟道沟道MOSFET
v.1
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PMDPB95XNE 30V双N沟道MOSFET
v.1
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PHD/PHU77NQ03T N沟道沟槽MOSFET 修订版01 — 2006年11月28日 产品数据手册
Rev. 01
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PMV28UN 20V，3.3A N沟道沟槽型MOSFET 修订版1 — 2011年5月26日 产品数据手册
Rev. 1
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PMN20EN 30V，6.7A N沟道沟槽型MOSFET 修订版1 — 2011年5月30日 产品数据手册
Rev. 1
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BSS84AKT
Rev. 1
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N沟道逻辑电平沟槽MOSFET（TrenchMOS(TM)）晶体管PSMN005-55P
October 1999
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30v，P沟道MOSFET
v.1
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NX5020UNBKS
v.1
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Nexperia BUK9Q29-60E
2025/06/29
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12v，N沟道沟道MOSFET
v.1
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PMV185XN
v.1
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世强AI
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2KJ7114DFN是科信推出的一款双P通道MOSFET管，该产品的漏-源电压VDS(V)为-20V，连续漏极电流ID为-6.0A，低阈值电压，开关速度极快，采用了沟槽MOSFET技术，可以存储在-55℃~150℃的温度条件下。特性：
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2018年1月16日，新电元（ShinDengen）最新推出“LF系列”沟槽结构MOSFET。其具有低击穿电压，小尺寸等特点，并且其适合电机驱动电路、电源电路等典型应用。
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针对大功率服务器电源市场，瑶芯屏蔽栅沟槽MOSFET AK1G4N009GAL可用于元器件一级的解决方案，该产品在传统Mosfet管基础上进行改良，提升电源转换效率，从而更加适配服务器电源设计需求。
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