PMPB16XN 30 V, single N-channel Trench MOSFET 20 September 2012 Product data sheet

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发布时间： 2025-07-13 品牌： Nexperia 资料类型：数据手册语言：英文

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N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装在无引线中功率DFN2020MD-6（SOT1220）表面贴装塑料封装中。该产品具有以下特点：沟槽MOSFET技术，小尺寸超薄SMD塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm，暴露的漏极垫具有优异的导热性，100%可焊侧垫锡镀层，适用于光学焊点检查。适用于以下应用：便携式设备充电开关、DC-DC转换器、电池供电便携式设备电源管理、硬盘和计算机电源管理。

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PMPB16xN30V，单沟道MOSFET

20 September 2012 - 数据手册

NEXPERIA - 单N沟道沟槽MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,SINGLE N-CHANNEL TRENCH MOSFET,PMPB16XN,DC-TO-DC CONVERTERS,电池驱动便携式设备中的电源管理,POWER MANAGEMENT IN BATTERY-DRIVEN PORTABLE DEVICES,HARD DISK AND COMPUTING POWER MANAGEMENT,DC-DC转换器,CHARGING SWITCH FOR PORTABLE DEVICES,便携式设备的充电开关,硬盘与计算电源管理

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可靠性调查结果，类型：PMPB16XN

Jun 2014 - 测试报告该资料为PMPB16XN型号元器件的可靠性调查报告，调查时间跨度为2012年第四季度至2013年第三季度。报告详细记录了AEC Q101测试的多种条件下的测试结果，包括预处理、高温反向偏置、高温栅极偏置、温度循环、高压灭菌、高湿高温反向偏置、间歇操作寿命、耐焊热和可焊性等。报告还计算了故障因数（FIT）和平均故障间隔时间（MTBF），结果显示该型号元器件的可靠性较高。

NEXPERIA - PMPB16XN

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12 V, single P-channel Trench MOSFET 12 V, 单通道沟槽MOSFET

22 November 2012 - 数据手册本资料为NXP Semiconductors公司生产的PMPB15XP型12V单P沟道 trench MOSFET的产品数据手册。该产品采用 trench MOSFET 技术，具有1.5kV ESD 保护、小型无引脚超薄 SMD 塑料封装等特点，适用于便携式设备的充电开关、DC-DC 转换器、电池驱动便携式设备的电源管理等应用。

NEXPERIA - 沟槽MOSFET,PMPB15XP,便携式设备充电开关,DC-DC转换器,电池驱动便携式设备的电源管理,硬盘和计算电源管理

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PXN6R2-60QLA N型60V，6.2毫欧姆，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33，2024年12月12日产品数据手册。

12 December 2024 - 数据手册本资料介绍了Nexperia公司生产的PXN6R2-60QLA型号的N沟道60V、6.2mΩ逻辑级沟槽MOSFET。该产品采用MLPAK33封装，适用于标准应用，具有逻辑电平兼容性、沟槽MOSFET技术和高效热封装等特点。

NEXPERIA - 沟槽MOSFET,PXN6R2-60QLA,电机驱动,负载切换,家用电器,DC-DC转换器,二次侧同步整流,LED照明

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PXN014-60QLA N沟道60V，14毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33，2025年2月5日产品数据手册。

5 February 2025 - 数据手册本资料介绍了Nexperia公司生产的PXN014-60QLA型号的N沟道60V、14mΩ逻辑级沟槽MOSFET。该产品采用MLPAK33封装，适用于标准应用，具有逻辑电平兼容性、沟槽MOSFET技术和高效热封装等特点。

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PMZB300XN 20V，单N沟道沟槽MOSFET，2012年8月1日产品数据手册

1 August 2012 - 数据手册本资料为NXP Semiconductors公司生产的PMZB300XN 20V单N沟道 trench MOSFET的产品数据手册。资料详细介绍了该产品的特性、应用、电气参数、封装信息等，适用于电子工程师在设计相关电路时参考。

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PMPB04R6UN 20V，N沟道沟槽型MOSFET

2025年2月13日 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的PMPB04R6UN型号20V N通道沟槽MOSFET的产品数据手册。该产品采用沟槽MOSFET技术，具有低阈值电压、快速开关特性，封装为无引脚超薄SMD塑料封装，适用于继电器驱动、高速线路驱动、低端负载开关和开关电路等应用。

NEXPERIA - 沟槽MOSFET,PMPB04R6UN,开关电路,继电器驱动,高速线路驱动,低端负载开关

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PMV15UNEA - 20V，N沟道沟槽型MOSFET

2024年8月12日 - 数据手册本资料介绍了Nexperia公司生产的PMV15UNEA型20V N通道沟槽MOSFET。该产品采用沟槽MOSFET技术，具有低阈值电压、扩展温度范围、静电放电保护等特点，适用于继电器驱动、高速线路驱动、低边负载开关和开关电路等应用。

NEXPERIA - 沟槽MOSFET,PMV15UNEA,开关电路,继电器驱动,高速线路驱动,低端负载开关

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N沟道100V，2.9毫欧，标准水平沟槽MOSFET在MLPAK56封装中。

16 August 2024 - 数据手册本资料介绍了Nexperia公司生产的PXN2R9-100RS型号的N沟道100V、2.9mΩ标准级沟槽MOSFET。该产品采用沟槽MOSFET技术，适用于标准应用，具有标准级兼容性，并采用高效热封装，尺寸小巧（5.15mm x 6.15mm）。主要特性包括：标准级兼容性、沟槽MOSFET技术、小型化封装。

NEXPERIA - N通道MOSFET,PXN2R9-100RS,电机驱动,负载切换,家用电器,电动自行车,DC-DC转换器,二次侧同步整流,LED照明

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PMV27UPEA - 20V，P沟道沟槽型MOSFET

2025年1月27日 - 数据手册本资料为Nexperia公司生产的PMV27UPEA型20V P-channel Trench MOSFET的产品数据手册。该产品采用沟槽MOSFET技术，具有低阈值电压、快速开关、增强的功耗能力等特点，适用于LED驱动、电源管理、高边负载开关和开关电路等应用。

NEXPERIA - 沟槽MOSFET,PMV27UPEA,高边负载开关,开关电路,电源管理,LED驱动器

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N沟道沟槽MOSFET 修订版02 — 2010年12月16日产品数据手册

16 December 2010 - 数据手册本资料为NXP Semiconductors公司生产的BUK652R6-40C型号N通道沟槽MOSFET的产品数据手册。该产品是一款适用于高性能汽车应用的增强型场效应晶体管，具有175°C的耐热等级，适用于12V和24V汽车系统、电动和液压助力转向、电机、灯具和电磁阀控制等应用。

NEXPERIA - N通道沟槽MOSFET,BUK652R6-40C,电动和液压助力转向,12 V和24 V汽车系统,电机,灯具和电磁阀控制

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PXN9R1-60QLA N沟道60V，9.1毫欧，逻辑电平沟槽MOSFET，封装为MLPAK33。

12 December 2024 - 数据手册本资料介绍了Nexperia公司生产的PXN9R1-60QLA型号的N通道60V、9.1mΩ逻辑级沟槽MOSFET。该产品采用MLPAK33封装，适用于标准应用，具有逻辑电平兼容性、沟槽MOSFET技术和高效的热管理特性。

NEXPERIA - N 沟道增强型功率 MOSFET,PXN9R1-60QLA,电机驱动,负载切换,家用电器,LED 照明,DC-DC 转换器,二次侧同步整流

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WG碳化硅MOS管选型表

选型表 - WG WG（威谷）提供碳化硅MOS管（SiC MOSFET）的选型。该系列产品具备650V-3300V的BVDSS耐压与9A-108A的ID电流规格。其核心优势参数包括：VTH范围2.0V-4.5V，VGS Max涵盖-10/+22V与-10/+25V，RDS(ON)@VGS=10V低至0.011Ω-0.8Ω。产品具有低导通电阻与高频高效特性，提供TO-247-4L、TO-247、TO-252、TO-220F及TO-263等丰富封装。可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统及工业开关电源等高效率功率转换场景。

产品型号	品类	ID(A)	BVDSS(V)	VTH Min(V)	VTH Max(V)	VGS Max(V)	RDS(ON)@VGS=10V TYP(Ω)	RDS(ON)@VGS=10V MAX(Ω)	Package
SICMA75R014GL-4L	碳化硅MOS管	108A	750V	2.2V	4.2V	-10/+22V	0.011Ω	0.014Ω	TO-247-4L

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领晨科技低压功率MOSFET选型表

选型表 - 领晨科技领晨科技提供低压功率MOSFET选型：采用SOT-523/SOT-23/TO-252/PDFN5X6共4种封装形式，提供N沟道和P沟道两种极性，导通电阻低、开关速度快、驱动功率小，漏源电压VDS绝对值覆盖20V至100V（N沟道为正、P沟道为负）；连续漏极电流ID绝对值最高达100A；漏极耗散功率PD覆盖0.15W至108W；栅源电压VGS最高±20V；栅极阈值电压VGS(th)绝对值覆盖1V至3V；最大导通电阻RDS(on)覆盖0.38mΩ至580mΩ，广泛应用于负载开关、DC-DC同步整流、电机驱动及电源管理等低压大电流场合

产品型号	品类	Polarity	PD(W)	VDS(V)	VGS(V)	ID(A)	VGS(th)Min(V)	VGS(th)Max(V)	RDS(on)Max(mΩ)	Package
LTM30P100	低压功率MOSFET	P	108	-100	±20	-30	-1	-2.5	45	TO-252

立即选型

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提升汽车EPS系统电机驱动性能，屏蔽栅沟槽MOSFET AKG4N018GM-A是可靠选择

2024-08-15 - 应用方案瑶芯微AKG4N018GM-A屏蔽栅沟槽MOSFET以其低导通电阻、快速响应、优越的热性能和符合汽车行业标准的可靠性，为汽车EPS系统电机驱动提供了一个高性能的解决方案。选择AKG4N018GM-A，不仅能够提升EPS系统的性能，还能确保汽车关键部位长期稳定运行，满足汽车行业对高效、高可靠性的追求。

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