BUK7M8R5-40H N-channel 40 V, 8.5 mΩ standard level MOSFET in LFPAK33
发布时间：
2025-07-13
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
BUK7M8R5-40H
本数据手册详细介绍了Nexperia公司推出的BUK7M8R5-40H型号N通道40V、8.5mΩ标准级MOSFET。该器件采用先进的Trench 9超级结技术与LFPAK33铜夹封装，具备低功耗损失、高功率密度及优异的可靠性与鲁棒性。其工作温度高达175°C，完全符合AEC-Q101标准，并设计有鹅翼引脚以提升可制造性和AOI检测能力。该产品主要面向高性能汽车应用，广泛适用于12V汽车系统中的发动机、底盘、车身及娱乐应用，同时覆盖中低功率电机驱动、DC-DC系统和LED照明等场景。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BUK7M8R5-40H N沟道40 V，8.5 mΩLFPAK33标准级MOSFET产品数据表
5 February 2019
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS BUK7M8R5-40H
2019/02/25
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| 商品功能框图 - 英文 |
BUK7M8R5-40H SPICE热工模型热工RC网络（Cauer）热工设计
24/1/2019
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK7M8R5-40H
2019/05/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分BUK7M8R5-40H
2019/02/25
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK33缩小电源占用
February 2019
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| 数据手册 - 英文 |
40v，P沟道沟道MOSFET
v.1
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40v，P沟道沟道MOSFET
14 December 2017
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PSMN023-80LS N沟道 DFN3333-8 80V 23 mΩ 标准水平 MOSFET
Rev. 3
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BUK7M6R7-40H N沟道40V、6.7毫欧标准电平MOSFET，封装为LFPAK33。
10 January 2025
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BUK7M6R0-40H N沟道40V、6.0毫欧标准电平MOSFET，封装为LFPAK33。
10 January 2025
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BUK7M4R3-40H N沟道40V、4.3毫欧标准电平MOSFET，封装为LFPAK33。
10 January 2025
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20v，互补N/P沟道沟道MOSFET
28 June 2016
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20v，互补N/P沟道沟道MOSFET
30 June 2015
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PSMN1R0-100ASE N型，100V，1.04毫欧姆，MOSFET，具有增强的SOA，在CCPAK1212封装中。
6 December 2024
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BUK7M5R0-40H N沟道40V，5.0毫欧标准电平MOSFET，封装为LFPAK33。
10 January 2025
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BUK9Y2R8-40H N沟道40 V、2.8 mΩ逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56封装
10 January 2025
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BUK7M9R5-40H N沟道40V，9.5毫欧标准电平MOSFET在LFPAK33封装中。
10 January 2025
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PSMN1R2-80ASE N型，80V，1.18毫欧姆，MOSFET，具有增强的SOA，在CCPAK1212封装中。
6 December 2024
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PSMN3R9-60XS N沟道60V，4.0毫欧标准电平MOSFET，封装为TO220F（SOT186A），2013年12月12日产品数据手册。
12 September 2013
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30V，单P沟道MOSFET
10 September 2012
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30V，单P沟道MOSFET
5 December 2012
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30V，单P沟道MOSFET
10 September 2012
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30V，单P沟道MOSFET
Rev. 1
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30v，互补N/P沟道沟道MOSFET
27 June 2016
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PSMN5R6-100XS N沟道100V 5.6 mΩ标准水平MOSFET，封装为TO220F（SOT186A）Rev. 3 — 2012年3月6日产品数据手册
Rev. 3
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NextPower 100 V, 0.99毫欧姆，N沟道MOSFET，CCPAK1212封装，2024年12月6日产品数据手册
6 December 2024
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PSMN5R0-100XS N沟道100V 5 mΩ标准级MOSFET，封装为TO220F（SOT186A）Rev. 1 — 3 July 2012 产品数据手册
Rev. 1 — 3 July 2012
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技术论坛
是否有完全替换PSMN5R5-60YS,115（Nexperia）的MOSFET？
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有没替代Nexperia 双MOSFET BUK7K18-40E的产品？
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有可以替换Nexperia的这个P MOSFET PMV250EPEAR，-40V,-1.5A，SOT-23封装的，能否帮忙推荐一下？
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你好，有能替代 替代NEXPERIA的NX2301P的国产器件可推荐吗？
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世强AI
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应用/方案
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密电热模型
本资料介绍了Nexperia公司提供的电热MOSFET模型，包括如何在LTspice™和PartQuest™ Explore中导入和使用这些模型。资料详细说明了模型的特性、使用方法、能力限制以及如何获取模型。此外，还提供了模型在模拟中的行为示例，包括阈值电压、RDSon、输出特性、二极管特性、体效应、漏电流、击穿电压、电容和栅极电荷等。资料还讨论了模型与数据表之间的比较、模拟技巧和模型的完整模拟有效性范围。
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LFPAK33缩小电源占用
LFPAK33是一款由Nexperia推出的紧凑型MOSFET，采用铜夹技术，适用于3.3mm x 3.3mm的Power33封装，符合AEC-Q101标准。该产品具有超小尺寸、超低导通电阻、高电流额定值和良好的可靠性。产品系列包括多种型号，涵盖不同的电压和电流等级。
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LFPAK33 缩小功率器件的尺寸
LFPAK33是一种紧凑型功率器件封装，采用安世半导体的铜夹片技术，尺寸为3.3mm x 3.3mm，节省84%以上空间。该封装具有超低导通电阻，高电流额定值，符合AEC-Q101标准，适用于多种型号和电压等级。产品采用Trench 9硅技术，提供多种型号以满足不同应用需求。
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AN90003 LFPAK MOSFET热设计指南
本资料为Nexperia公司发布的LFPAK MOSFET热设计指南，旨在帮助设计工程师了解LFPAK系列封装MOSFET的功耗限制。内容涵盖MOSFET功耗、热环境、热传导、对流和辐射等热传播现象，以及热阻、热电容和热行为等热电类比。此外，还提供了LFPAK56D和LFPAK33等不同型号的MOSFET在不同PCB配置下的最大功耗计算方法。
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LFPAK33 缩小功率器件的尺寸 产品介绍
LFPAK33是一款采用铜夹片技术的功率器件，尺寸紧凑，符合AEC-Q101标准。该器件具有超低导通电阻、高电流额定值和良好的板级可靠性。产品范围包括多种型号，涵盖不同的VDS、RDSon和ID参数。此外，还介绍了基于Trench 9硅技术的最新产品。
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了解MOSFET峰值漏极电流额定值应用笔记
本文档详细解释了MOSFET最大漏极电流（IDM）的确定方法，以及其与脉冲持续时间的关系。文章首先介绍了IDM的定义和计算方法，随后通过理论曲线计算和实际测量结果，展示了MOSFET在不同脉冲持续时间下的电流处理能力。此外，文章还讨论了设备测试方法、测量结果以及如何通过理论模型和实际测量数据确定最终的IDM曲线。
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AN90019 LFPAK MOSFET热阻-PCB布局的仿真、测试和优化
本应用笔记详细介绍了LFPAK MOSFET的热阻参数Rth(j-a)及其在PCB布局中的优化方法。内容涵盖热阻的定义、测试方法、热传递机制、MOSFET电流路径、PCB布局优化等方面，并通过模拟和测试结果，提供了降低热阻的有效策略。
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TN90003 MOSFET的Qrr：其在电机控制电路设计中的重要性
本文探讨了MOSFET在电机控制电路设计中的重要性，特别是反向恢复电荷（Qrr）对电磁干扰（EMI）的影响。文章指出，虽然MOSFET的导通电阻对热性能有显著影响，但反向恢复电荷也会导致电磁辐射。通过添加栅极电阻和选择低Qrr的MOSFET，可以减少电磁辐射，提高电机驱动电路的效率。文章还讨论了低Qrr技术在降低电磁干扰方面的优势，并提供了相关实验数据和模拟结果。
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功率MOSFET栅极驱动基础
本文详细介绍了MOSFET的开关过程，阐述了功率MOSFET栅极驱动电路的基本原理，并展示了最常用和广泛应用的拓扑结构。文章重点介绍了使用离散元件而非栅极驱动IC来帮助理解栅极驱动电路的基本原理。内容涵盖了MOSFET的特性、栅极驱动电路的要求、不同类型的栅极驱动电路等。
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在直流电机控制应用中使用功率MOSFET的AN50004
本文档为Nexperia的应用笔记，旨在探讨如何使用Nexperia的功率MOSFET器件驱动直流电机。内容涵盖了汽车环境中直流电机的应用、H桥电路理论、MOSFET推荐以及电路示例。此外，还讨论了H桥电机控制器及其理论，并提供了电路模拟结果。
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用于安全气囊应用的MOSFET
本应用笔记聚焦于MOSFET在安全气囊系统中的应用，讨论了安全气囊的工作条件、MOSFET安全工作区（SOA）曲线以及不同的MOSFET技术。内容涵盖了安全气囊系统中的MOSFET操作条件、SOA曲线的考虑因素、不同MOSFET技术的性能比较，以及Nexperia提供的适用于安全气囊应用的60V ASFET产品系列。
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在并行应用笔记中使用功率MOSFET
本文探讨了使用多个MOSFET并联以提高开关元件能力的方法。文章分析了并联MOSFET可能遇到的问题，并提出了避免这些问题的方法。内容涵盖了MOSFET的静态和动态操作、热性能、功率分配、布局设计以及门极驱动等方面。文章强调了在设计并联MOSFET电路时，需要考虑MOSFET的参数变化、热阻匹配和电路布局等因素，以确保电路的可靠性和效率。
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带热测量的MOSFET负载开关PCB
本资料介绍了NXP Semiconductors公司的一款MOSFET负载开关演示PCB，用于比较不同封装（DFN2020、DFN3333和SO-8）的MOSFET的热性能。PCB上安装了相同晶圆的MOSFET，通过传感器测量漏极焊盘的温度，微控制器计算焊点温度，并在LCD显示屏上显示。资料详细描述了PCB的硬件设计、软件功能和测试结果，展示了不同封装的MOSFET在热性能上的差异。
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安全可靠的栅驱动MOSFET设计
本文主要介绍了MOSFET栅极驱动设计中的关键参数，包括栅极-源极阈值电压（VGS-th）和最大栅极-源极电压（VGSmax）。文章详细解释了这些参数对MOSFET可靠性的重要性，并提供了选择合适MOSFET的指导。此外，文章还介绍了Nexperia汽车级MOSFET的新方法，该方法展示了如何应用更高的VGSmax电压。文章还分析了常见功率MOSFET应用，以突出MOSFET栅极-氧化物所面临的应用需求。
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了解功率MOSFET数据表参数
本文档详细介绍了Nexperia半导体公司功率MOSFET数据表中的参数和图表。内容涵盖数据表的技术部分，包括设备概述、快速参考数据、引脚信息、订购信息、极限值、热特性、电气特性和封装轮廓。重点解释了参数的意义，如漏源电压、漏电流、总功耗、导通电阻、栅极电荷和恢复电荷等，并提供了如何根据这些参数选择适合特定应用的MOSFET的指导。此外，还讨论了热特性和动态特性，以及如何使用数据表中的信息来评估MOSFET的性能和可靠性。
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为什么需要500安培的MOSFET？
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TN00008功率MOSFET常见问题及解答
本技术文档针对汽车级MOSFET平台、器件、功能及可靠性等方面，解答了常见问题。内容涵盖MOSFET栅极电压、热管理、体二极管、安全工作区（SOA）和雪崩 ruggedness 等方面，旨在为读者提供清晰、准确的答案。文档适用于汽车和非汽车应用，但主要针对汽车应用。
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AN90016 NEXPERIA LFPAK功率MOSFET的最大连续电流
本应用笔记探讨了影响NEXPERIA LFPAK封装MOSFET最大允许电流额定值的各种因素。内容包括LFPAK封装的优势、热环境参数、MOSFET结构、最大功率和最大连续漏极电流的计算方法，以及实际应用电路中的实例分析。此外，还讨论了源极电流的限制值、源极特性曲线以及在特定应用场景下的MOSFET选择要点。
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