Product Quality Quick Reference Information
发布时间:
2025-07-13
类型:
技术文档,技术说明、产品技术资料
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PSMN6R7-40MLD
本产品质量快速参考资料详细介绍了Nexperia公司PSMN6R7-40MLD型号产品的关键质量指标与可靠性数据。资料内容涵盖了产品的快速参考信息、详细的电气特性及ESD防护值,并深入阐述了可靠性测试的具体条件、测试结果以及FIT和MTBF的计算方法。此外,该文档还说明了产品家族所采用的统一测试标准,为用户评估器件性能与寿命提供了全面的数据支持。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PSMN6R7-40MLD N沟道40V,6.7MΩ,LFPAK33逻辑电平MOSFET,采用NextPower-S3技术产品数据表
14 August 2019
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| 测试报告 - 英文 |
PSMN6R7-40MLD中国RoHS
2019/09/01
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 技术文档 - 英文 |
产品质量快速参考信息
2025/06/29
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN6R7-40MSD N沟道40V,6.7MΩ,采用NextPower-S3技术的LFPAK33标准级MOSFET数据表
11 November 2019
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| 测试报告 - 英文 |
PSMN6R7-40MLD化学成分
2019/09/04
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN3R5-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
11 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
NXP功率开关MOSFET在紧凑型QFN3333封装更小。更快。冷却器。3.3 x 3.3 mm QFN封装中的30 V沟道6 MOSFET
May 2010
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| 数据手册 - 英文 |
采用NextPowerS3+技术的LFPAK33中的PSMN1R6-30MLH N沟道30 V、1.6 mΩ逻辑电平MOSFET
15 January 2018
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN6R7-40MSD
2020/03/17
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络(Foster)SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
用于电源管理的十种新型高性能mosfet
February 2009
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道逻辑电平沟槽MOSFET(TrenchMOS(TM))晶体管PSMN005-55P
October 1999
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PSMN6R7-40MSD
2020/03/17
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R7-40YLD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
12 September 2019
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| 技术文档 - 英文 |
Power-SO8封装中的新型沟道6 MOSFET
January 2010
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道80V,3.3MΩI2PAK标准级MOSFET
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN8R7-80BS
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN8R7-80BS
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN8R7-80BS
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R8-40YSD热RC网络(Cauer)SPICE热模型
12 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
D2PAK中的N沟道80 V、3.5 mΩ标准级MOSFET
Rev. 2
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN3R3-80PS
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R0-40SSH热RC网络(Foster)SPICE热模型
26 Apr 2019
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
2019年2月
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道60V 7.8MΩ标准级MOSFET
Rev. 03
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN8R0-80YL
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN1R6-30MLH热RC网络(Foster)SPICE热模型
5/3/2019
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| 技术文档 - 英文 |
LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
February 2019
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道LFPAK 60 V,8 mΩ标准级MOSFET
22 July 2015
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PSMN8R0-40BS
2018/03/06
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| 商品功能框图 - 英文 |
PSMN2R0-40YLD热RC网络(Foster)SPICE热模型
12 September 2019
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| 数据手册 - 英文 |
LFPAK中的PSMN9R0-30YL N沟道30伏8兆欧逻辑电平MOSFET
Rev. 04
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN2R6-60PS
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PSMN2R6-60PS
2018/04/24
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
LFPAK88 将功率密度提升到新高度
安世半导体的LFPAK88 MOSFET采用创新8mm x 8mm管脚尺寸,提供高功率密度,可替代D²PAK。该产品具有2倍以上的连续电流额定值、优异的热性能和可靠性,空间效率高达60%。产品满足汽车AEC-Q101和工业等级标准,具有超低导通电阻、高电流额定值和出色的线性模式(SOA)性能。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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LFPAK88驱动功率密度更上一层楼
Nexperia的LFPAK88是一款创新的8mm x 8mm封装MOSFET,提供行业领先的功率密度。相比D²PAK,LFPAK88具有60%的尺寸减少,2倍的高连续电流额定值,卓越的热性能和可靠性。适用于汽车和工业应用,包括汽车转向、ABS制动、DC/DC转换和LED照明。产品分为汽车级AEC-Q101和工业级,提供多种型号。
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为什么需要500安培的MOSFET?
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用于电源管理应用的TO220封装的新型高性能沟槽6 MOSFET
NXP公司推出新型Trench 6 MOSFET,采用TO220封装,适用于电源管理应用。新系列包括60V和100V两种电压等级,提供低导通电阻、高效率和低热阻等优势。产品适用于电源OR-ing、电机控制、DC-DC转换器等应用,旨在提高电源管理应用的性能和效率。
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采用功率MOSFET设计时的浪涌电流管理具有增强SOA的ASFET
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高功率应用中的并联MOSFET
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PSMN3R5-80YSF SPICE热模型
本资料提供了一种名为PSMN3R5-80YSF的元器件的热阻网络(Cauer)SPICE热模型。模型包括从结点到安装基座的热阻(Rth(j-mb))以及四个热电容参数(Cth1, Cth2, Cth3, Cth4)。资料中列出了这些参数的最小值、典型值和最大值,并提供了单位。资料还包含版权声明和免责条款。
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