HMS/HMG/HMM系列 储能/BMS/电动车SGT MOS/IGBT单管/超结MOS/Sic MOS选型参考
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMS330N10/D/L; HMS260N10/D/L; HMS430N85LL; HMS310N85/D/L; HMS330N06/D/L; HMS320N04/D/G/LL; HMS280N12LL; HMS300N15LL; HMS250N15LL; HMS230N15/D/L; HMS150N20LL; HMS160N10/D; HMS135N10/D/G/K; HMS120N10/D/G/K; HMS85N10/D/G/K; HMS80N10/D/G/K; HMS135N85/D/G/K; HMS120N85/D/G/K; HMS100N85/D/G/K; HMS80N85/D/G/K; HMS100N15/D; HMS100N20/D; HMS80N25/D; HMG160N65FT3; HM200N75AT3; HM75N120FT3; HMS40N65T; HMS65N65T; HMM120N65T/T4; HMM75N120T4; HMM125N120T; HMM165N120T4; HMM75N170T; HMM85N170T
虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HMS65N65T |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS65N65系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,65A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 30 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V |
| ID（A） | 65A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥18.5236
库存：
20
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| 订货型号 | HMS40N65T |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS40N65系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,40A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 30 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V |
| ID（A） | 40A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥10.8236
库存：
20
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| 订货型号 | HMG160N65FT3 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMG160N65FT3 |
| 品类 | N-IGBT高速开关 |
| 描述/说明 | N-IGBT高速开关,沟槽电场截止型,Vces(Max):650V,Vges:30V,Vge(th):5V,Ic(Typ/100℃):160A |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247Plus-3L |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vces(Max) | 650V |
| Vges | 30V |
| Vge(th) | 5V |
| Ic(Typ/100℃) | 160A |
| Ic(Max/25℃) | 320A |
| Icm(Max) | 640A |
| Pd(Max) | 840W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HM75N120FT3 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM75N120FT3 |
| 品类 | N-IGBT高速开关 |
| 描述/说明 | N-IGBT高速开关,沟槽电场截止型,Vces(Max):1200V,Vges:30V,Vge(th):5V,Ic(Typ/100℃):75A |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-247Plus-3L |
| 最小包装量 | 1 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Vces(Max) | 1200V |
| Vges | 30V |
| Vge(th) | 5V |
| Ic(Typ/100℃) | 75A |
| Ic(Max/25℃) | 150A |
| Icm(Max) | 300A |
| Pd(Max) | 780W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HMS3N70R2 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N70R2 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
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| 订货型号 | HMS3N70R |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N70系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-3L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
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| 订货型号 | HMS3N65K |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N65系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
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HMS3N65K 交期查询 >>
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| 订货型号 | HMS3N65R2 |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N65R系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0824
库存：
50
世强硬创平台提供HMS3N65R2在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货50，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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HMS3N65R2 样品申请 >>
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HMS3N65R2 交期查询 >>
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HMS3N65R2 期货订购 >>
| 订货型号 | HMS3N65R |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N65系列 |
| 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT223-3L |
| 最小包装量 | 2,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0824
库存：
50
世强硬创平台提供HMS3N65R在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货50，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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HMS3N65R 批量询价 >>
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HMS3N65R 交期查询 >>
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HMS3N65R 期货订购 >>
| 订货型号 | HMS18N80F |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS18N80F |
| 品类 | 高压MOS |
| 描述/说明 | N沟道,18A,耐压800V,超结MOS/COOL MOS,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强 |
| 封装/外壳/尺寸 | TO-220F |
| 最小包装量 | 50 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS (V) | 800V |
| ID (A) | 18A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥7.0165
库存：
50
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
可定制TX线圈的尺寸/形状/特性参数,Q的最小值为90，最大值为120,符合WPC和Qi标准。电感的最小值、典型值、最大值依次为21.6μH、24.0μH、26.4μH，偏差为10%.DCR（最大值）为75mΩ。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2026/02/04
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2026/02/04
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2025/06/19
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2025/06/19
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2025/01/22
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2024/12/11
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2024/12/02
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| 技术文档 - 英文 |
HMS40N10QA N沟道超沟槽功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
150V N沟道 SGT
2025/01/22
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| 技术文档 - 英文 |
HMS40N10DA N沟道超沟槽功率MOSFET
v1.0
|
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| 数据手册 - 英文 |
HMS330N10、HMS330N10D N沟道超级沟道II功率MOSFET
2024/9/4
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| 技术文档 - 中文 |
USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS供应商
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| 数据手册 - 英文 |
HMS330N06、HMS330N06D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
|
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| 数据手册 - 英文 |
HMS310N85、HMS310N85D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
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| 数据手册 - 英文 |
HMS260N10、HMS260N10D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
|
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HMS320N04/HMS320N04D N沟道超级沟道II功率MOSFET
2023/6/13
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HMS330N10LL N沟道超级沟槽功率MOSFET
2024/8/29
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无人机电调板专用SGT MOS
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N沟道超级沟槽II功率MOSFET
2026/02/04
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N沟道超级沟槽II功率MOSFET
2026/02/04
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N沟道超级沟槽II功率MOSFET
2025/01/22
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HMS310N85LL N沟道超级沟槽功率MOSFET
2023/7/24
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HMS320N04LL N沟道超沟槽功率MOSFET
2024/8/30
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HMS4454 N沟道超级沟槽功率MOSFET
2022/11/6
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HMS4354 N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS40N65T 650V N沟道超级结MOSFET
2022/11/6
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HMS4260 N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS4438 N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS4240 N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS4488 N沟道超级沟槽功率MOSFET
2022/11/7
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HMS4296 N沟道超级沟槽功率MOSFET
2022/11/7
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HMS4444A N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS4444B N沟道超级沟槽功率MOSFET
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HMS4110T N沟道超级沟槽功率MOSFET
2022/11/7
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
HMS/HMM系列 功率器件选型参考
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LED驱动电源次级输出同步整流 SGT MOS 供应商介绍
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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