虹美功率半导体特色产品介绍

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2024-12-06 虹美功率半导体 商品及供应商介绍 中文
●公司介绍
■深圳市虹美功率半导体有限公司是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业,专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售,给客户提供一站式、高性价比功率半导体器件解决方案。
■自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了MOS管(低压MOS/中压大电流MOS/SGT MOS/高压超结MOS/高压平面MOS)、IGBT单管、Sic MOS管、SiC二极管、GaN FET等诸多品种总计900多款产品型号。
世强先进(深圳)科技股份有限公司
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【产品】虹美功率半导体 HMS260N10D系列 N-Channel Super Trench II Power MOSFET

产品特性:1.低导通电阻 *R*DS(on) 2.高频切换效率 3.优秀的栅极电荷 x RDS(on)乘积(FOM) 4.工作温度范围宽达-55至175°C 5.无铅镀锡 6.通过100% UIS测试和∆Vds测试;应用领域:1.DC/DC转换器

系列型号: HMS260N10D/TO-263

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储能/BMS/电动车 SGT MOS光伏储能 IGBT单管

2024/10/15  - 选型指南

虹美功率半导体  -  储能大电流 SGT MOS,莫斯中士,IGBT单管,SGT MOS,HMS330N10,HMS320N04D,HMS310N85,HMS80N25,HMS120N85K,HMS135N10,HMS320N04G,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS80N10K,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS80N10G,HMS320N04LL,HMS135N85D,HMS160N10,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N20,HMS135N85,HMS100N85K,HMS80N10,HMS80N10D,HMS120N85D,HMS80N85K,HMS80N85G,HMS120N85G,HM75N120FT3,HMS100N15,HMS120N85,HMS310N85D,HMS260N10LL,HMS135N10K,HMS85N10,HMS80N85,HMS80N85D,HMS160N10D,HMS80N25D,HMG160N65FT3,HMS85N10K,HMS100N15D,HMS330N10LL,HMS85N10G,HMS120N10,HMS85N10D,HMS100N85,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS260N10,HMS330N06LL,HMS310N85LL,HMS330N10D,HMS330N06,HMS135N10G,HMS135N10D,HMS100N20D,HMS330N06D,电动车,BMS,平衡车,光伏储能,储能

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HMS330N10、HMS330N10D N沟道超级沟道II功率MOSFET

2024/9/4  - 数据手册 该资料介绍了HMS330N10和HMS330N10D两款N-Channel Super Trench II Power MOSFET器件,这些器件采用Super Trench II技术,优化了高频开关性能,具有低导通和开关损耗。适用于高频开关和同步整流应用。

虹美功率半导体  -  N-CHANNEL SUPER TRENCH II POWER MOSFET,N沟道超级沟槽II功率MOSFET,HMS330N10,HMS330N10D,HIGH-FREQUENCY SWITCHING,DC/DC变换器,高频开关,DC/DC CONVERTER

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虹美功率半导体特色产品介绍

20230219  - 商品及供应商介绍 深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品,包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。

虹美功率半导体  -  超高压平面MOS,半桥驱动 MOS,双P沟道中压大电流MOS,GAN FET,低压MOS,车规SIC二极管,氮化镓场效应管,中压大电流MOS,储能 SGT MOS,碳化硅二极管,超轻薄低压MOS,一站式、高性价比功率半导体器件,莫斯中士,全桥驱动 MOS,SGT MOS,高压超结MOS,大电流高压平面MOS,氮化镓FET,MOS管,高压平面MOS,SIC二极管,IGBT单管,N+P沟道中压大电流MOS,功率半导体器件,SIC 二极管,HMS330N10,HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HMG20N65F,HM1N50MR,BSS84DW,HMG20N65D,HMC8N120,HM4615Q,HMS100N20,HM12N65D,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HM4889,HMS100N15,HM35DN03D,HMG40N65FT,HM4616Q,HMC5N120,HM3N40PR,HMC10N65,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HMC20N120D,HM10DP06Q,HM4618D,HM3N30R,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HMC4N65,HMC2N120K,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HM11P20,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HMC6N65K,HM1P20,HM4618Q,HMC6N65Q,HMS100N20D,HM1P15MR,HMC15N65,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM3N20M,HM40N120AT,HMC5N120K,HMC4N65K,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMG40N65AT,HMC20N65D,HMS80N10,HM25P15K,HM3N100,HMC20N65,HMS80N85K,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMG75N65AT,HMS15N65Q,HMC10N65Q,HM10N65D,HM609K,HMC8N65,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM4P20K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HM25N50D,HMS15N80,HM3N120,HMC2N120,HMS330N06,HMC10N65K,HM4630D,HMS330N06D,HM3N20PR,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM1N70PR,HMC2N65,HMS5N70R2,HM5P15D,HM2302BKR,HM08DN10D,HMS320N04LL,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMN9N65Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,HM3400DF,HM2310DF,BSS84KR,HMN9N65D,HM4489,HMN11N65D,HM2N50PR,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM40N120FT,HM4920,HM4926,HM4924,HMC15N65D,HM4N60R,HMS310N85D,HMS260N10LL,HM2300DF,HMS20N80T,HMS135N10K,HM13N50D,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HMS80N25D,HM3DN10D,HMS20N80D,HM18DP03D,HMS100N15D,HM3N150,HMS20N80F,HM8N100F,HM18SDN04D,HMS5N70R,HM2800D,HMC8N65K,HM20DN04Q,HMC8N120K,HMC8N65Q,HMS100N85,HM5N30R,HM4611D,HM18DP02Q,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM25N120FT,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM40SDN02Q,HMS135N10G,HMG20N65,HMS135N10D,HMC15N65T2,HMC20N120T2,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10K,HMS80N10G,HM2301BJR,BSS138DW,HMS135N85D,HM2301DR,HMS15N80F,HMC6N65,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM610K,HM2319D,HM1N60PR,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HM7002KR,HMS7N80I,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HM2803D,HMS120N85G,HMS120N85,HMC2N65K,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2P20D,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM12DP04D,HM3N120A,HM2N70R,HM11P20D,HMS85N10K,HMS330N10LL,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HM2P20Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HMC20N120,HMS330N06LL,HMS330N10D,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,HMC20N65T2,变频器,充电器适配器,智能手表,TWS蓝牙耳机,电机驱动电路,PFC,新能源汽车行业的超充充电桩,智能门锁,适配器,不间断电源,UPS,USB PD快充全桥,太阳能逆变器,电磁炉,智能插座,LLC电源,服务器电源,电焊机,高速吹风机,航模,无人机,工业变频器,QR快充,平衡车,便携式储能,逆变器,伺服驱动,USB PD快充全桥驱动电路,超级充电桩,开关电源,智能手环,车载充电机,筋膜枪,智能穿戴产品,电子烟,小家电电源板,无线充,新能源汽车行业,OBC,电饭煲,氮化镓快充,半桥驱动电路,DC-DC电源模块,变频家电,电机驱动,充电桩,充电器,氮化镓快充产品,BMS,光伏,LED照明,UPS电源,感应加热,电动车,谐振电源,电源,滑板车,全氟化碳,户外电源,通信电源,LED电源,光伏逆变器

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虹美功率半导体MOS管特色产品介绍

2023/7/21  - 商品及供应商介绍 深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线,涵盖800多款产品型号,包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。

虹美功率半导体  -  电动车 SGT MOS,超高压平面MOS,高压PMOS,半桥驱动 MOS,BMS军士MOS,双P沟道中压大电流MOS,GAN FET,低压MOS,氮化镓场效应管,中压大电流MOS,储能 SGT MOS,高性价比功率半导体器件,超轻薄低压MOS,莫斯中士,全桥驱动 MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,MOS,高压超结MOS,MOS管,高压平面MOS,IGBT单管,N+P沟道中压大电流MOS,功率半导体器件,平衡车 SGT MOS,SIC 二极管,BMS SGT MOS,HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HM1N50MR,BSS84DW,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HMS100N15,HM4889,HM35DN03D,HM4616Q,HM3N40PR,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HM3N30R,HM4618D,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HM4618Q,HMS100N20D,HM1P15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMS80N10,HM3N100,HM25P15K,HMS80N85K,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMS15N65Q,HM609K,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMS330N06,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HM5P15D,HM2302BKR,HMS320N04LL,HM08DN10D,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HM2N50PR,HM4489,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HMS310N85D,HM4N60R,HM2310DR,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HMS80N25D,HM07DP10D,HMS20N80D,HM3DN10D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM2800D,HM20DN04Q,HMS100N85,HM2300DR,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM30DN02D,HM6604BWKR,HMS135N10G,HM40SDN02Q,HMS135N10D,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HMS80N10K,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10G,HM2301BJR,HMS135N85D,BSS138DW,HMS15N80F,HM2301DR,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM1N60PR,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HMS7N80I,HM7002KR,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HMS120N85G,HM2803D,HMS120N85,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,变频器,智能手环,车载充电机,智能手表,TWS蓝牙耳机,筋膜枪,电机驱动电路,智能穿戴产品,电子烟,小家电电源板,无线充,驱动电路,超充充电桩,智能门锁,OBC,适配器,USB PD快充半桥驱动电路,氮化镓快充,不间断电源,UPS,漏电保护开关,USB PD快充 全桥,智能插座,储能,电焊机,高速吹风机,充电桩,充电器,航模,无人机,BMS,新能源汽车,平衡车,便携式储能,光伏,LED照明,电动车,伺服驱动,滑板车,电源,户外电源,USB PD快充全桥驱动电路,LED电源

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虹美功率半导体IGBT单管选型表

选型表  -  虹美功率半导体 虹美功率半导体IGBT单管选型表主要提供以下参数选型,Vces(Max):650V~1350V,Vges:20V~30V,Vge(th):5V~5.8V,Ic(Typ/100℃):15A~200A,Ic(Max/25℃):30A~400A,Icm(Max):60A~640A,Pd(Max):155W~ 1071W,主要应用产品:工业变频器/变频家电电机驱动等中低频领域,感应加热电磁炉电饭煲逆变器/电焊机UPS/PFC等高频领域,光伏储能等。

产品型号
品类
沟道
封装
Vces(Max)
Vges
Vge(th)
Ic(Typ/100℃)
Ic(Max/25℃)
Icm(Max)
Pd(Max)
应用产品
HMG20N65/F/D
IGBT单管
N-IGBT沟槽电场截止型
TO-220/TO-220F/TO-263
650V
30V
5V
20A
40A
80A
105W
工业变频器/变频家电电机驱动等中低频领域
立即选型
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【视频】2023年7月27日功率器件新技术研讨会

2023-11-29 -  活动 虹美、扬杰科技等国产IGBT新锐与思瑞浦、EPC等厂商发布SiC、GaN等2023全新功率产品与新技术。助力产品实现更高功率密度/更高效率/更小体积。

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虹美功率半导体MOS选型表

选型表  -  虹美功率半导体 虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS,BMS&电动车&平衡车SGT MOS,USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS,储能 SGT MOS,串联半桥驱动MOS,带FRD高压平面MOS,低压SGT MOS,主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。

产品型号
品类
工艺
沟道
封装
VDS(Max) (BVDSS(V))
ID(Max) (A)
IDM (A)
VTH (Typ) (V)
VGS (V)
RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
HMS120N03D
中压大电流SGT MOS
SGT工艺(Split Gate)
N沟道
DFN5X6-8L
30V
120A
340A
1.7V
20V
1.95mΩ
2.85mΩ
立即选型
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换,用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案

1970/01/01  - 商品及供应商介绍

虹美功率半导体  -  MOS,双P沟道中压大电流MOS,半桥驱动MOS,莫斯中士,超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管,N+P沟道中压大电流MOS,超轻薄低压MOS,全桥驱动MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,HMS10DN10Q,HM35SDN03D,HM09P12D,HMS80N85,HMS80N25,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM2301BSR,HM40DN04K,HM18SDN04D,HM2301BJR,HM08DN10D,BSS138DW,HM2301DR,HM2302DR,HM20DN04Q,HMS100N20,HMS30DN08D,HM10SDN06D,HM4P10D,HMS80N10,HM20DN06KA,HM2305D,HM10SDN10D,HM49,HM30SDN02D,HM4884Q,HM2819D,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM08SDN10Q,HMS100N15,HM35DN03D,HM3801DR,高速吹风机,USB,智能手表,TWS蓝牙耳机,消费电子,电子烟,筋膜枪,航模,电机驱动电路,无线充,无人机,BMS,平衡车,便携式储能,智能门锁,电动车,滑板车,户外电源,USB PD快充全桥驱动电路,PD快充,储能

晶新高压开关晶体管芯片选型表

选型表  -  晶新 晶新提供如下高压开关晶体管芯片选型,高压开关晶体管裸片是一套410/480V双耐压、0.2~15A全电流的功率BJT芯粒矩阵,面向AC-DC开关电源、小家电、快充适配器场景。产品线分为1300X通用小功率、HBJN400X中大功率、ZJ超大电流、4DK超高压四大系列,同时提供标准单裸片与内置续流二极管DP复合裸片两种结构方案

产品型号
品类
BVᴄᴇᴏ(V)
BVᴄʙᴏ(V)
BVᴇʙᴏ(V)
hғᴇ min
hғᴇ max
Vᴄᴇ(sat)(V)
fᴛ(MHz)
Die Size(mm×mm)
Iᴄ(A)
13001LX(SN)
高压开关晶体管芯片
480
700
9
15
40
0.5
5
0.82×0.82
0.2
立即选型
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瑶芯携最新系统级解决方案亮相2026慕尼黑上海电子展

2026-06-22 -  原厂动态 瑶芯亮相2026慕尼黑上海电子展,展示SiC MOS、SGT MOS、SJ MOS、IGBT及音频MEMS等核心产品,提供汽车电子、AI数据中心及能源电子系统级解决方案。

芯连光储,智启新程|江西萨瑞微电子 SNEC2026 上海光伏展圆满收官!

2026-06-07 -  原厂动态 江西萨瑞微电子携光伏储能核心器件亮相SNEC2026,展示高压超结MOSFET、IGBT、SGT MOSFET及保护器件,以IDM全产业链实力赋能高效能源,圆满收官。

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SNEC 2026 圆满收官!东海半导体与您共话绿色能源未来

2026-06-05 -  原厂动态 东海半导体圆满结束SNEC 2026展会,展示功率器件赋能光储充系统方案,发布选型小程序,深化光伏储能等领域合作。

贝联长安,岭动储能——上海贝岭实力亮相电源管理与功率器件论坛

2026-06-03 -  原厂动态 由AspenCore(电子工程专辑、国际电子商情)主办的“电源管理与功率器件技术论坛一芯驱双碳•链接长安”在西安圆满落幕。上海贝岭应邀参展,集中展示了公司在工控储能领域的产品布局,并与现场行业专家及客户进行了深入的技术交流。同时,我司工控储能工程师作了主题为《光储系统中的功率器件与协同控制:上海贝岭全系列芯片方案》的主题演讲。此次参会充分展现了上海贝岭在光伏与储能领域的硬核实力。

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