虹美功率半导体特色产品介绍
■深圳市虹美功率半导体有限公司是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业,专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售,给客户提供一站式、高性价比功率半导体器件解决方案。
■自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了MOS管(低压MOS/中压大电流MOS/SGT MOS/高压超结MOS/高压平面MOS)、IGBT单管、Sic MOS管、SiC二极管、GaN FET等诸多品种总计900多款产品型号。
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查看更多版本虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
2023/7/21 - 商品及供应商介绍 深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线,涵盖800多款产品型号,包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。
虹美功率半导体 - 电动车 SGT MOS,超高压平面MOS,高压PMOS,半桥驱动 MOS,BMS军士MOS,双P沟道中压大电流MOS,GAN FET,低压MOS,氮化镓场效应管,中压大电流MOS,储能 SGT MOS,高性价比功率半导体器件,超轻薄低压MOS,莫斯中士,全桥驱动 MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,MOS,高压超结MOS,MOS管,高压平面MOS,IGBT单管,N+P沟道中压大电流MOS,功率半导体器件,平衡车 SGT MOS,SIC 二极管,BMS SGT MOS,HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HM1N50MR,BSS84DW,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HMS100N15,HM4889,HM35DN03D,HM4616Q,HM3N40PR,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HM3N30R,HM4618D,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HM4618Q,HMS100N20D,HM1P15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMS80N10,HM3N100,HM25P15K,HMS80N85K,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMS15N65Q,HM609K,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMS330N06,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HM5P15D,HM2302BKR,HMS320N04LL,HM08DN10D,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HM2N50PR,HM4489,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HMS310N85D,HM4N60R,HM2310DR,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HMS80N25D,HM07DP10D,HMS20N80D,HM3DN10D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM2800D,HM20DN04Q,HMS100N85,HM2300DR,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM30DN02D,HM6604BWKR,HMS135N10G,HM40SDN02Q,HMS135N10D,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HMS80N10K,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10G,HM2301BJR,HMS135N85D,BSS138DW,HMS15N80F,HM2301DR,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM1N60PR,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HMS7N80I,HM7002KR,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HMS120N85G,HM2803D,HMS120N85,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,变频器,智能手环,车载充电机,智能手表,TWS蓝牙耳机,筋膜枪,电机驱动电路,智能穿戴产品,电子烟,小家电电源板,无线充,驱动电路,超充充电桩,智能门锁,OBC,适配器,USB PD快充半桥驱动电路,氮化镓快充,不间断电源,UPS,漏电保护开关,USB PD快充 全桥,智能插座,储能,电焊机,高速吹风机,充电桩,充电器,航模,无人机,BMS,新能源汽车,平衡车,便携式储能,光伏,LED照明,电动车,伺服驱动,滑板车,电源,户外电源,USB PD快充全桥驱动电路,LED电源
虹美功率半导体IGBT单管选型表
选型表 - 虹美功率半导体 虹美功率半导体IGBT单管选型表主要提供以下参数选型,Vces(Max):650V~1350V,Vges:20V~30V,Vge(th):5V~5.8V,Ic(Typ/100℃):15A~200A,Ic(Max/25℃):30A~400A,Icm(Max):60A~640A,Pd(Max):155W~ 1071W,主要应用产品:工业变频器/变频家电电机驱动等中低频领域,感应加热电磁炉电饭煲逆变器/电焊机UPS/PFC等高频领域,光伏储能等。
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产品型号
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品类
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沟道
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封装
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Vces(Max)
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Vges
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Vge(th)
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Ic(Typ/100℃)
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Ic(Max/25℃)
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Icm(Max)
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Pd(Max)
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应用产品
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HMG20N65/F/D
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IGBT单管
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N-IGBT沟槽电场截止型
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TO-220/TO-220F/TO-263
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650V
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30V
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5V
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20A
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40A
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80A
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105W
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工业变频器/变频家电电机驱动等中低频领域
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【视频】2023年7月27日功率器件新技术研讨会
2023-11-29 - 活动 虹美、扬杰科技等国产IGBT新锐与思瑞浦、EPC等厂商发布SiC、GaN等2023全新功率产品与新技术。助力产品实现更高功率密度/更高效率/更小体积。
虹美功率半导体MOS选型表
选型表 - 虹美功率半导体 虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS,BMS&电动车&平衡车SGT MOS,USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS,储能 SGT MOS,串联半桥驱动MOS,带FRD高压平面MOS,低压SGT MOS,主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。
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产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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HMS120N03D
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中压大电流SGT MOS
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SGT工艺(Split Gate)
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N沟道
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DFN5X6-8L
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30V
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120A
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340A
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1.7V
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20V
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1.95mΩ
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2.85mΩ
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换,用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案
1970/01/01 - 商品及供应商介绍
虹美功率半导体 - MOS,双P沟道中压大电流MOS,半桥驱动MOS,莫斯中士,超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管,N+P沟道中压大电流MOS,超轻薄低压MOS,全桥驱动MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,HMS10DN10Q,HM35SDN03D,HM09P12D,HMS80N85,HMS80N25,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM2301BSR,HM40DN04K,HM18SDN04D,HM2301BJR,HM08DN10D,BSS138DW,HM2301DR,HM2302DR,HM20DN04Q,HMS100N20,HMS30DN08D,HM10SDN06D,HM4P10D,HMS80N10,HM20DN06KA,HM2305D,HM10SDN10D,HM49,HM30SDN02D,HM4884Q,HM2819D,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM08SDN10Q,HMS100N15,HM35DN03D,HM3801DR,高速吹风机,USB,智能手表,TWS蓝牙耳机,消费电子,电子烟,筋膜枪,航模,电机驱动电路,无线充,无人机,BMS,平衡车,便携式储能,智能门锁,电动车,滑板车,户外电源,USB PD快充全桥驱动电路,PD快充,储能
晶新高压开关晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下高压开关晶体管芯片选型,高压开关晶体管裸片是一套410/480V双耐压、0.2~15A全电流的功率BJT芯粒矩阵,面向AC-DC开关电源、小家电、快充适配器场景。产品线分为1300X通用小功率、HBJN400X中大功率、ZJ超大电流、4DK超高压四大系列,同时提供标准单裸片与内置续流二极管DP复合裸片两种结构方案
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产品型号
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品类
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BVᴄᴇᴏ(V)
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BVᴄʙᴏ(V)
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BVᴇʙᴏ(V)
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hғᴇ min
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hғᴇ max
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Vᴄᴇ(sat)(V)
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fᴛ(MHz)
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Die Size(mm×mm)
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Iᴄ(A)
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13001LX(SN)
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高压开关晶体管芯片
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480
|
700
|
9
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15
|
40
|
0.5
|
5
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0.82×0.82
|
0.2
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芯连光储,智启新程|江西萨瑞微电子 SNEC2026 上海光伏展圆满收官!
2026-06-07 - 原厂动态 江西萨瑞微电子携光伏储能核心器件亮相SNEC2026,展示高压超结MOSFET、IGBT、SGT MOSFET及保护器件,以IDM全产业链实力赋能高效能源,圆满收官。
SNEC 2026 圆满收官!东海半导体与您共话绿色能源未来
2026-06-05 - 原厂动态 东海半导体圆满结束SNEC 2026展会,展示功率器件赋能光储充系统方案,发布选型小程序,深化光伏储能等领域合作。
贝联长安,岭动储能——上海贝岭实力亮相电源管理与功率器件论坛
2026-06-03 - 原厂动态 由AspenCore(电子工程专辑、国际电子商情)主办的“电源管理与功率器件技术论坛一芯驱双碳•链接长安”在西安圆满落幕。上海贝岭应邀参展,集中展示了公司在工控储能领域的产品布局,并与现场行业专家及客户进行了深入的技术交流。同时,我司工控储能工程师作了主题为《光储系统中的功率器件与协同控制:上海贝岭全系列芯片方案》的主题演讲。此次参会充分展现了上海贝岭在光伏与储能领域的硬核实力。
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