虹美功率半导体特色产品介绍
■深圳市虹美功率半导体有限公司是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业,专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售,给客户提供一站式、高性价比功率半导体器件解决方案。
■自公司成立以来,飞速发展,产品已涵盖了MOS管(低压MOS/中压大电流MOS/SGT MOS/高压超结MOS/高压平面MOS)、IGBT单管、Sic MOS管、SiC二极管、GaN FET等诸多品种总计900多款产品型号。
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查看更多版本虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
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虹美功率半导体 - 电动车 SGT MOS,超高压平面MOS,高压PMOS,半桥驱动 MOS,BMS军士MOS,双P沟道中压大电流MOS,GAN FET,低压MOS,氮化镓场效应管,中压大电流MOS,储能 SGT MOS,高性价比功率半导体器件,超轻薄低压MOS,莫斯中士,全桥驱动 MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,MOS,高压超结MOS,MOS管,高压平面MOS,IGBT单管,N+P沟道中压大电流MOS,功率半导体器件,平衡车 SGT MOS,SIC 二极管,BMS SGT MOS,HM01N100PR,HMS320N04D,HM35SDN03D,HM4616D,HM3400KR,HM603K,HMS310N85,HMS11N70Q,HMS135N10,HM3N40R,HMS320N04G,HM2818D,HM1N50MR,BSS84DW,HM4615Q,HMS100N20,HM2302BSR,HM30SDN02D,HM2819D,HM06DP10Q,HMS100N15,HM4889,HM35DN03D,HM4616Q,HM3N40PR,BSS138KR,HM605K,HMS10N80F,HM3N30R,HM4618D,HM2301BWKR,HMS15N70Q,HMS10N80K,HM05P35MR,HM10DP06D,HM2N50R,HMS30DN08D,HM4N10D,HMS135N85K,HMS135N85G,HMS5N90R2,HM2809D,HM4618Q,HMS100N20D,HM1P15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS5N80F,HM3N150F,HM3N150A,HMS80N25,HMS5N80K,HM2301BSR,HMS5N80,HMS5N80I,HMS120N10G,HMS260N10D,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HMS20N80,HMS5N80R,HM2P15R,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMS80N10,HM3N100,HM25P15K,HMS80N85K,HM20SDN04Q,HM10SDN06Q,HMS80N85G,HM2N65R,HM4640D,HMS15N65Q,HM609K,HMS85N10,HMS80N85D,HMS5N90R,HM40DN04K,HM3800D,BSS84SR,HM2302BWKR,HMS120N10,HMS11N65Q,HM2301KR,HM2N65PR,HM6P15K,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM4884Q,HMS310N85LL,HMS15N80,HM3N120,HMS330N06,HM4630D,HMS330N06D,HM02P30PR,HM09P12D,HM4620D,HM10DN06D,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS5N70R2,HM5P15D,HM2302BKR,HMS320N04LL,HM08DN10D,HMS10N80,HM2810D,HM25SDN03Q,HMS135N85,HM4P10D,HM2302KR,BSS84KR,HM2N50PR,HM4489,HM2302BJR,HM3N25R,HM4922,HM4923,HM4920,HM3400DR,HM4926,HM4924,HMS310N85D,HM4N60R,HM2310DR,HMS260N10LL,HMS20N80T,HMS135N10K,HM4622D,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HMS80N25D,HM07DP10D,HMS20N80D,HM3DN10D,HMS100N15D,HM3N150,HM18DP03D,HMS20N80F,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM2800D,HM20DN04Q,HMS100N85,HM2300DR,HM5N30R,HM4611D,HM1N60R,HMS260N10,HM20DN04D,HM30DN02D,HM6604BWKR,HMS135N10G,HM40SDN02Q,HMS135N10D,HMS120N85K,HM4P15Q,HM4611Q,HM2309DR,HMS80N10K,HM4N65R,HM16P12D,HMS80N10G,HM2301BJR,HMS135N85D,BSS138DW,HMS15N80F,HM2301DR,HMS15N80D,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM1N60PR,HM610K,HM2319D,HMS5N65R,HM10SDN10D,HMS80N10D,HMS7N80F,HM1N70R,HMS7N80K,HM2P15PR,HMS7N80I,HM7002KR,HMS120N85D,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HMS120N85G,HM2803D,HMS120N85,HM3801DR,HMS10DN10Q,HMS80N85,HM2318D,HMS5N80R2,HM3N120F,HMS7N80,HM3N120A,HM2N70R,HMS85N10K,HMS85N10G,HM2302DR,HMS13N65Q,HM12DP04Q,HMS85N10D,HM4615D,HM20DN06KA,HM2305D,HM11P20K,HMS330N06LL,HM5N30PR,HM2301BKR,HM3401DR,变频器,智能手环,车载充电机,智能手表,TWS蓝牙耳机,筋膜枪,电机驱动电路,智能穿戴产品,电子烟,小家电电源板,无线充,驱动电路,超充充电桩,智能门锁,OBC,适配器,USB PD快充半桥驱动电路,氮化镓快充,不间断电源,UPS,漏电保护开关,USB PD快充 全桥,智能插座,储能,电焊机,高速吹风机,充电桩,充电器,航模,无人机,BMS,新能源汽车,平衡车,便携式储能,光伏,LED照明,电动车,伺服驱动,滑板车,电源,户外电源,USB PD快充全桥驱动电路,LED电源
LED驱动电源次级输出同步整流 SGT MOS 供应商介绍
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虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表
选型表 - 虹美功率半导体 虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表主要提供以下参数选型,Vces(Max):650V~ 1700V,ID(Max):3A~165A,IDM:9A~555A,Typ Rds(on):800mΩ~ 1Ω,Qg(tot):1.2nC~ 216nC,Coss:16pF~239pF。
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产品型号
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品类
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沟道
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封装
|
VDS(Max)
|
ID(Max)
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IDM
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VTH(Typ)
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VGS
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Typ Rds(on)
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Qg(tot)
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Coss
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HMM40N65T/T4
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SiC MOS
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N沟道
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TO-247-3L/TO-247-4L
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650V
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40A
|
90A
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2.3A
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-8V/+19V
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60mΩ
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46nC
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80pF
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MOS管/IGBT/Sic MOS管/Sic二极管/GaN FET 商品介绍
1970/01/01 - 商品及供应商介绍
虹美功率半导体 - 干燥金属氧化物,IGBT,GAN FET,莫斯中士,MOS管,SIC MOS管,PMOS,氮化镓场效应管,SIC二极管,VDMOS,SGT MOS,SJMOS,3080,30H15,30H25,30H10,缝纫机,家电市场,储能市场,USB PD快充,BMS,高速风管,电动车市场,电磁炉,电动工具,光伏储能
虹美功率半导体MOS选型表
选型表 - 虹美功率半导体 虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS,BMS&电动车&平衡车SGT MOS,USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS,储能 SGT MOS,串联半桥驱动MOS,带FRD高压平面MOS,低压SGT MOS,主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。
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产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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HMS120N03D
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中压大电流SGT MOS
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SGT工艺(Split Gate)
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N沟道
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DFN5X6-8L
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30V
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120A
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340A
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1.7V
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20V
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1.95mΩ
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2.85mΩ
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换,用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案
1970/01/01 - 商品及供应商介绍
虹美功率半导体 - MOS,双P沟道中压大电流MOS,半桥驱动MOS,莫斯中士,超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管,N+P沟道中压大电流MOS,超轻薄低压MOS,全桥驱动MOS,SGT MOS,双N沟道中压大电流MOS,HMS10DN10Q,HM35SDN03D,HM09P12D,HMS80N85,HMS80N25,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM2301BSR,HM40DN04K,HM18SDN04D,HM2301BJR,HM08DN10D,BSS138DW,HM2301DR,HM2302DR,HM20DN04Q,HMS100N20,HMS30DN08D,HM10SDN06D,HM4P10D,HMS80N10,HM20DN06KA,HM2305D,HM10SDN10D,HM49,HM30SDN02D,HM4884Q,HM2819D,HM30DN02D,HM6604BWKR,HM08SDN10Q,HMS100N15,HM35DN03D,HM3801DR,高速吹风机,USB,智能手表,TWS蓝牙耳机,消费电子,电子烟,筋膜枪,航模,电机驱动电路,无线充,无人机,BMS,平衡车,便携式储能,智能门锁,电动车,滑板车,户外电源,USB PD快充全桥驱动电路,PD快充,储能
虹美功率半导体N沟道低压MOS选型表
选型表 - 虹美功率半导体 N沟道低压MOS,VDS(Max) (BVDSS(V)):15~200,ID(Max) (A):0.17~37,IDM (A):0.68~110,VTH (Typ) (V):0.45~3.4,VGS (V):6~30,RDS(ON) @10VTyp (mΩ):2.9~5000,RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ):3.9~3000,RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ):5.5~370
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产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)
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RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)
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HM2302
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N沟道低压MOS
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沟槽工艺(Trench)
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N沟道
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SOT23
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20V
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3A
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10A
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0.7V
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10V
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30mΩ
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37mΩ
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【应用】虹美SGT MOS用于能源储存和消费电子领域,具有低导通电阻和低开关损耗的特点,可实现高效能源转换
2023-06-25 - 应用方案 在当今快节奏的现代生活中,能源储存和消费电子领域的需求持续增长。虹美提供高性价比SGT MOS。这些创新产品不仅在性能和可靠性方面居于行业前沿,更为BMS、能源储存和消费电子市场提供了出色的解决方案。
【应用】虹美功率半导体单N沟道低压MOS场效应管有助于减少电子烟的重量和体积,降低生产成本
2023-05-09 - 应用方案 虹美功率半导体单N沟道低压MOS场效应管系列产品HM3400E和HM3400KR的优良性能,保证了电子烟的加热速度、稳定性和可靠性。该系列产品满足了用户的使用体验,是电子烟的理想选择。
中压大电流MOS厂商虹美功率半导体授权世强硬创代理,耐压值可高达150V
2023-04-14 - 签约新闻 虹美功率半导体授权世强硬创平台分销的双N/双P/N+P 双芯中压大电流MOS产品,不仅封装包括DFN3X3-8L/DFN5X6-8L/TO-252-4L等,还拥有国内最全的耐压值20V/30V/40V/60V/100V/150V。
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可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。
最小起订量:1 提交需求>
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