虹美功率半导体特色产品介绍
发布时间：
2024-12-05
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMS330N10; HMS330N10D; HMS330N10LL; HMS260N10; HMS260N10D; HMS260N10LL; HMS310N85; HMS310N85D; HMS310N85LL; HMS330N06; HMS330N06D; HMS330N06LL; HMS320N04; HMS320N04D; HMS320N04G; HMS320N04LL; HMG160N65FT3; HM75N120FT3; HMS160N10; HMS160N10D; HMS135N10; HMS135N10D; HMS135N10G; HMS135N10K; HMS120N10; HMS120N10D; HMS120N10G; HMS120N10K; HMS85N10; HMS85N10D; HMS85N10G; HMS85N10K; HMS80N10; HMS80N10D; HMS80N10G; HMS80N10K; HMS135N85; HMS135N85D; HMS135N85G; HMS135N85K; HMS120N85; HMS120N85D; HMS120N85G; HMS120N85K; HMS100N85; HMS100N85D; HMS100N85G; HMS100N85K; HMS80N85; HMS80N85D; HMS80N85G; HMS80N85K; HMS100N15; HMS100N15D; HMS100N20; HMS100N20D; HMS80N25; HMS80N25D; HMS18N10D; HMS18N10Q; HMS25N10DA; HMS25N10QA; HMS40N10D; HMS40N10Q; HMS50N10DA; HMS60N10DA; HMS70N10DA; HMS80N10DA; HMS100N10DA; HMS110N10DA; HMS125N10D; HMS50N12DA; HMS75N12DA; HMS80N12DA; HMS10N15D; HMS65N15DA; HMS85N15DA; HMS20N20D; HMS20N25D; HMS60N08D; HMS35N06D; HMS35N06Q; HMS60N06D; HMS60N06Q; HMS80N06D; HMS150N06D; HMS200N06DA; HMS45N04Q; HMS65N04Q; HMS85N04D; HMS100N04D; HMS135N04D; HMS150N04D; HMS190N04D; HMS50N03Q; HMS65N03Q; HMS120N03D; HMS135N03D; HMS150N03D; HMS200N03D; HMS4454; HMS4296; HMS4294; HMS4290; HMS4488; HMS4444B; HMS4444A; HMS4438; HMS4264; HMS4260; HMS4354; HMS4240; HMS10DN10Q; HMS10DN08Q; HMS30DN08D; HMN5N65Q; HMN10N65Q; HMN10N65D; HMN17N65Q; HMN17N65D; HMN9N65Q; HMN9N65D; HMN11N65D; HMS11N65Q; HMS11N65K; HMS13N65Q; HMS13N65K; HMS15N65Q; HMS15N65K; HMS11N70Q; HMS11N70K; HMS15N70Q; HMS15N70K; HM80N03KA; HM100N03KA; HM50N06AKA; HM5N50K; HMF50N50K; HM4616Q; HM4622Q; HM4616A; HM4622A; HMS5N65R; HMS5N65R2; HMS5N70R; HMS5N70R2; HMS5N90R; HMS5N90R2; HMS5N80; HMS5N80F; HMS5N80K; HMS5N80I; HMS5N80R; HMS5N80R2; HMS7N80; HMS7N80F; HMS7N80K; HMS7N80I; HMS10N80; HMS10N80F; HMS10N80K; HMS15N80; HMS15N80F; HMS15N80D; HMS20N80; HMS20N80F; HMS20N80D; HMS20N80T; HM0565MR; HM1N60R; HM1N60PR; HM4N60R; HM2N65R; HM2N65PR; HM4N65R; HM1N50MR; HM2N50R; HM2N50PR; HM5N50R; HM1N70R; HM1N70PR; HM2N70R; HM3N40R; HM3N40PR; HM3N30R; HM3N30PR; HM5N30R; HM2N25MR; HM3N25R; HM3N20MR; HM3N20PR; HM10N65D; HM12N65D; HM13N50D; HM25N50D; HM01N100PR; HM3N100; HM3N100F; HM3N100D; HM8N100F; HM8N100A; HM3N120; HM3N120F; HM3N120A; HM3N150; HM3N150F; HM3N150A; HM1P15MR; HM4489; HM2P15R; HM2P15PR; HM4P15Q; HM5P15D; HM6P15K; HM25P15K; HM4P20K; HM2P20Q; HM2P20D; HM1P20; HM11P20; HM11P20D; HM02P30R; HM02P30PR; HM05P35MR; HM4889; HM4922; HM4923; HM4924; HM4926; HM4920; HM40SDN02Q; HM25SDN03Q; HM20SDN04Q; HM10SDN06Q; HM08SDN10Q; HM30SDN02D; HM35SDN03D; HM18SDN04D; HM10SDN06D; HM10SDN10D; HM30DN02D; HM4884Q; HM35DN03D; HM20DN04Q; HM40DN04K; HM10DN06Q; HM20DN06KA; HM08DN10D; HM20DN04D; HM10DN06D; HM18DP02Q; HM18DP03Q; HM18DP03D; HM12DP04Q; HM12DP04D; HM10DP06Q; HM10DP06D; HM06DP10Q; HM07DP10D; HM605K; HM607K; HM609K; HM603K; HM610K; HM4618Q; HM4611Q; HM4615Q; HM4622D; HM4616D; HM4618D; HM4611D; HM4615D; HM2301DR; HM2301KR; HM2301BKR; HM2301BSR; HM2301BJR; HM2302DR; HM2302KR; HM2302BKR; HM2302BSR; HM2302BJR; HM2301BWKR; HM2302BWKR; HM6604BWKR; HM09P12D; HM16P12D; HM2305D; HM3401DR; HM2319D; HM2309DR; HM4P10D; HM2803D; HM3801DR; HM2819D; HM2809D; HM2300DR; HM3400DR; HM2318D; HM2310DR; HM4N10D; HM2800D; HM3800D; HM2818D; HM2810D; HM3DN10D; HM4620D; HM4630D; HM4640D; BSS84KR; HM3400KR; BSS138KR; HM7002KR; BSS84SR; BSS138SR; BSS84DW; BSS138DW; HM7002KDW; HMM40N65T; HMM20N120T; HMM32N120T; HMM35N120T; HMM60N120T; HMM65N120T; HMM5N170T; HMC15N65; HMC15N65D; HMC15N65T2; HMC20N65; HMC20N65D; HMC20N65T2; HMC5N120; HMC5N120K; HMC8N120; HMC8N120K; HMC20N120; HMC20N120D; HMC20N120T2; HMC2N65; HMC2N65K; HMC4N65; HMC4N65K; HMC6N65; HMC6N65K; HMC6N65Q; HMC8N65; HMC8N65K; HMC8N65Q; HMC10N65; HMC10N65K; HMC10N65Q; HMC2N120; HMC2N120K; HMG20N65; HMG20N65F; HMG20N65D; HM30N135FT; HM30N135FA; HMG40N65AT; HMG40N65FT; HMG50N65FT; HMG75N65AT; HMG75N65FT; HM15N120AT; HM25N120AT; HM40N120AT; HM40N120FT
本产品介绍详细阐述了深圳市虹美功率半导体有限公司的特色功率半导体产品线，全面覆盖了MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管及GaN FET等核心器件。资料重点展示了针对不同应用场景的细分产品，包括适用于储能系统的SGT MOS及光伏储能IGBT单管，服务于BMS、电动车及平衡车的高性能SGT MOS，以及专为USB PD快充设计的同步整流、VBUS开关SGT MOS和GaN FET。此外，还涵盖了电动工具驱动与保护板用大电流MOS、高速风筒与风扇市场专用高压平面MOS、多种规格的高压超结MOS（含800V及超高压系列）、贴片小封装高压平面MOS、高压PMOS，以及全桥与半桥驱动MOS等。针对智能穿戴领域，资料特别介绍了TWS蓝牙耳机专用的超轻薄、超微小封装MOS管及超轻薄低压MOS，体现了产品在小型化与高性能方面的技术优势。深圳市虹美功率半导体有限公司在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品线，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可为用户提供选型指导、设计验证及调试等全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HM18DP03D | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM18DP03系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双P沟道,18A,耐30V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | 18A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9836
库存：
50
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| 订货型号 | HM18DP03Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM18DP03系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双P沟道,18A,耐30V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | 18A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9412
库存：
50
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| 订货型号 | HM10DN06Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM10DN06系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,10A,耐60V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM20DN04Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM20DN04系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,20A,耐40V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 40V | ID（A） | 20A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM80N03KA | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM80N03系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,80A,耐30V,低开启版本 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | 80A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8448
库存：
50
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| 订货型号 | HM01N100PR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM01N100系列 | 品类 | 大功率高压N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,0.1A,耐1000V | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 1000V | ID（A） | 0.1A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5353
库存：
50
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HM01N100PR 样品申请 >>
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HM01N100PR 批量询价 >>
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HM01N100PR 交期查询 >>
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| 订货型号 | HM6604BWKR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM6604系列 | 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,N:0.9A/P:0.8A,VDS耐20V,VGS耐8V,超低开启电压,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363(SC70-6) |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | N：0.9A/P：0.8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3212
库存：
50
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| 订货型号 | HM7002KDW | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM7002系列 | 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,0.3A,耐60V,带ESD静电保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363(SC70-6) |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | 0.3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2671
库存：
50
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| 订货型号 | HM2302BWKR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM2302系列 | 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,0.9A,VDS耐20V,VGS耐8V,超低开启电压,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363(SC70-6) |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | 0.9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3000
库存：
50
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| 订货型号 | HM2301BWKR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM2301系列 | 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双P沟道,0.8A,VDS耐20V,VGS耐8V,超低开启电压,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363(SC70-6) |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | 0.8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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世强自营,
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价格：
￥0.3000
库存：
50
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HMS330N10、HMS330N10D N沟道超级沟道II功率MOSFET
2024/9/4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMS260N10、HMS260N10D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
|
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| 技术文档 - 中文 |
HMS/HMG/HMM系列 储能/BMS/电动车SGT MOS/IGBT单管/超结MOS/Sic MOS选型参考
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| 数据手册 - 英文 |
HMS330N10LL N沟道超级沟槽功率MOSFET
2024/8/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超级沟槽II功率MOSFET
2026/02/04
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMS330N06、HMS330N06D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2026/02/04
|
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应用/方案
虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线，涵盖800多款产品型号，包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。
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LED驱动电源次级输出同步整流 SGT MOS 供应商介绍
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MOS管/IGBT/Sic MOS管/Sic二极管/GaN FET 商品介绍
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换，用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案
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【应用】虹美SGT MOS用于能源储存和消费电子领域，具有低导通电阻和低开关损耗的特点，可实现高效能源转换
在当今快节奏的现代生活中，能源储存和消费电子领域的需求持续增长。虹美提供高性价比SGT MOS。这些创新产品不仅在性能和可靠性方面居于行业前沿，更为BMS、能源储存和消费电子市场提供了出色的解决方案。
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【经验】BMS应用笔记：详解功率MOS管
由于锂电池的特性，在应用过程中需要对其充放电过程进行保护，避免因过充过放或过热造成电池的损坏，保证电池安全的工作。本文虹美功率半导体将介绍功率MOS管在BMS系统中的常见失效类型，以及如何预防改善。
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HMS/HMM系列 功率器件选型参考
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【经验】MOS管正确选择的步骤
正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，本文中虹美功率半导体将为大家介绍MOS管的正确的选择方法。
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【经验】MOS管应用注意事项
标注的Id电流是MOS芯片的最大常态电流，实际使用时的最大常态电流还要受封装的最大电流限制。因此客户设计产品时的最大使用电流设定要考虑封装的最大电流限制。建议客户设计产品时的最大使用电流设定更重要的是要考虑MOS的内阻参数。
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干货分享| 如何用双脉冲测试更好的表征SiC MOS动态能力？
为了更好的挖掘SiC MOS的高频应用潜力，业界逐步将双脉冲测试（DPT）作为评估SiC MOS动态特性的标准方法，下面将介绍SiC MOS双脉冲测试时的三个关键技术节点。
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【技术资料】深度解析静电对MOS的影响及防护（完结篇）
文章分析了MOS栅极静电损伤的成因，指出超过60%的MOS失效源于栅极受损，特别是在干燥或冬季环境中静电问题尤为突出。为提升MOS可靠性，提出了三种静电保护方案：内置ESD保护二极管、外置ESD保护二极管以及通用栅极静电保护措施，包括对地电阻与并联二极管方案。
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碳化硅MOS栅极氧化原因和防范优化
深入分析碳化硅MOSFET栅极氧化原因，包括材料界面、高温工艺及电场应力影响，探讨阈值漂移与可靠性下降等危害，并提出优化氧化工艺、改进结构设计及封装保护等防范措施。
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MOS管在大功率电源上的应用
本文介绍了大功率电源的定义、典型LLC谐振拓扑电路及其电流方案产品推荐。大功率电源广泛应用于工业自动化、军工、科研、LED照明等多个领域。推荐产品包括伯恩半导体的超结MOS、碳化硅肖特基二极管及低压SGT-MOS系列产品，适用于PFC、初级高压MOS及同步整流部分。
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探究碳化硅MOS：为您带来更高效、更可靠的电力传输
随着科技的不断进步，电力传输系统对于可靠性和效率的要求也越来越高。而碳化硅MOS产品的出现，则为电力传输系统带来了更加卓越的表现。本文中钜兴来与大家一同探究碳化硅MOS，希望对各位工程师朋友有所帮助。
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基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350，能高效可靠地抑制碳化硅MOS误开通
基本半导体自主研发推出可支持米勒钳位功能的双通道隔离驱动芯片BTD25350，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，能高效可靠地抑制碳化硅MOSFET的误开通，该驱动芯片目前被广泛应用于光伏储能、充电桩、车载OBC、服务器电源等领域中。
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MOS管的重要参数有哪些？
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。那么MOS管的重要参数有哪些呢？下面我们就来简单介绍一下。
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碳化硅MOS在开关电源上的应用
碳化硅MOS是一种关键的功率半导体器件，其在开关电源中扮演着重要角色。本文将详细介绍碳化硅MOS在开关电源中的应用，从其原理、特性到具体的应用案例，以及未来的发展趋势。
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MOS管使用推挽电路来放大电流时，为什么要考虑电流大小呢？∣ 视频
我们通常会使用推挽电路是因为有时一些IC或者CPU的电流比较小，不足以驱动MOS管，所以加入推晚来增加驱动能力。那为什么MOS管是压控性器件，还需要考虑电流大小进行驱动呢？跟随凌讯微电子视频来了解下吧。
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Vincotech‘s fastPACK 0 MOS and fastPACK 1 MOS Modules Featuring Cost-effective H-bridge Topology with MOSFETs
Exceedingly efficient, remarkably reliable, and featuring cost-effective H-bridge topology with MOSFETs and integrated capacitors in a rugged housing, Vincotech power fastPACK 0 MOS and fastPACK 1 MOS modules are suitable for both soft- and hard-switching applications.
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【应用】芯众享碳化硅MOS管应用于感应加热领域，具有运行频率高、导通损耗低等优点
感应加热是通过电磁感应加热导电物体(通常是金属)的过程，通过物体内部的涡流产生热量。感应加热器由电磁铁和电子振荡器组成，电子振荡器产生的高频交流电流通过电磁铁绕组。快速的交变磁场穿过金属体，在导体内部产生电流，称为涡流。
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【技术】一文介绍碳化硅（SiC）MOS的优缺点
碳化硅（SiC）MOS管作为一种新型功率器件，相较于传统的硅基功率器件，在一些特定的条件下有着独有的优异性，但也有存在着某些方面的不足之处。优恩半导体讲一下碳化硅MOS管的优缺点。
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【视频】泰科天润1200V 80mΩ SIC MOS，工作频率200KHZ，电力电子系统效率提升
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【应用】瞻芯电子的SiC MOS管用于医疗设备，漏源极电压1200V，具有高工作结温度能力
瞻芯电子的SiC MOS管IV1Q12080T3很适合用于医疗设备上，IV1Q12080T3是漏源极电压1200V、具有低导通电阻的高阻断电压碳化硅MOS管。IV1Q12080T3可以在可在-55℃到175℃范围内工作，具有高工作结温度能力。
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【应用】国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路，导通内阻低至40mΩ
本文推荐国产瑶芯微的碳化硅MOS AKCK2M040WMH用于光伏逆变BOOST升压电路，导通内阻低至40mΩ，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积。
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【应用】耐压650V的国产氮化镓场效应管CGL65R260B助力开关电源PFC设计，导通电阻低至200mR
某室内LED灯供电的开关电源PFC设计，需要120W的AC/DC电源，输入参数为176-264VAC，输出参数为40V恒压，要求PF值大于9，要求效率至少在93%以上。据此需求，本文推荐聚能创芯推出的氮化镓开关管CGL65R260B，耐压650V。
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【应用】氮化镓开关管INN650D150A助力电源QR设计，导通电阻低至115mR
本文重点介绍英诺赛科推出的高性价比氮化镓开关管INN650D150A，耐压650V、瞬态耐压750V，工艺优化，相比之前产品，性能有明显的提升，适用于65-120W的PFC+反激架构设计，可支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷。
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【产品】FSS推出针对快充设计的碳化硅MOS管，雪崩能量和短管耐受能力优于氮化镓晶体管
即思创意FSS 针对 USB-PD等快充应用推出一系列高效率的碳化硅MOS管。FSS的碳化硅MOS管拥有与氮化镓晶体管相当的性能参数(Rdson*Qoss)，远优于过氮化镓的雪崩能量和短管耐受能力。
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【技术】一文带你了解氮化镓和砷化镓的区别
氮化镓和砷化镓比较：氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益，并且由于器件尺寸的减少，还可提高效率。氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。
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【产品】基于UnitedSiC专有共源共栅配置的1200V高性能碳化硅MOS管UF3C系列
碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列1200 V高性能碳化硅FET，与现有的UJC3系列相比，FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。该新系列基于UnitedSiC的专有共源共栅配置，提供了更高的开关速度。
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【应用】全碳化硅MOS C3M0075120K助力光伏逆变器升压电路设计，性能更优异
为了提高功率密度需要BOOST开关频率越高，可以降低BOOST电感体积，因此需要选择开关速度快、损耗低的SiC MOSFET作为功率开关，本文推荐Wolfspeed（科锐）推出的SIC MOSFET，型号为C3M0075120K
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【产品】抗辐射加固型100/200V氮化镓场效应管（GaN FET）驱动器解决方案
Intersil最新推出的抗辐射加固型100V和200V氮化镓场效应管低侧驱动器ISL70040SEH和ISL70040SEH。非常适合用作运载火箭和卫星的初级和次级DC/DC转换器的电源，以及井下钻井和高可靠性的工业应用。
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MOS在机器人电路中的关键作用
MOS在机器人电路中的一个主要作用是作为放大器。机器人的传感器系统需要将微弱的信号放大以便进行精确的测量和检测。MOS放大器通过调节输入信号的电压，可以在不失真的情况下放大信号，从而提高传感器系统的灵敏度和准确性。这对于机器人在各种环境和任务中的感知能力至关重要，例如在复杂的制造过程中或在不可预测的场景中执行任务。
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