虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
■深圳市虹美功率半导体有限公司是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售，给客户提供一站式、高性价比功率半导体器件解决方案。
■自公司成立以来，飞速发展，产品已涵盖了MOS管(低压MOS/中压大电流MOS/SGT MOS/高压超结MOS/高压平面MOS)、IGBT单管、SiC 二极管、GaN FET等诸多品种总计800多款产品型号。
■以下把目前重点在推广的国内有特色的MOS产品介绍给大家。
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MOS管/IGBT/Sic MOS管/Sic二极管/GaN FET 商品介绍
商品及供应商介绍
虹美功率半导体 - 干燥金属氧化物,IGBT,GAN FET,莫斯中士,MOS管,SIC MOS管,PMOS,氮化镓场效应管,SIC二极管,VDMOS,SGT MOS,SJMOS,3080,30H15,30H25,30H10,缝纫机,家电市场,储能市场,USB PD快充,BMS,高速风管,电动车市场,电磁炉,电动工具,光伏储能
虹美功率半导体SiC MOS&GaN FET选型表
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产品型号
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品类
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沟道
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封装
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VDS(Max)
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ID(Max)
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IDM
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VTH(Typ)
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VGS
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Typ Rds(on)
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Qg(tot)
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Coss
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HMM40N65T/T4
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SiC MOS
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N沟道
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TO-247-3L/TO-247-4L
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650V
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40A
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90A
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2.3A
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-8V/+19V
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60mΩ
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46nC
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80pF
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虹美功率半导体MOS选型表
选型表 - 虹美功率半导体 虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS，BMS&电动车&平衡车SGT MOS，USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS，储能 SGT MOS，串联半桥驱动MOS，带FRD高压平面MOS，低压SGT MOS，主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。
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产品型号
|
品类
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工艺
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沟道
|
封装
|
VDS(Max) (BVDSS(V))
|
ID(Max) (A)
|
IDM (A)
|
VTH (Typ) (V)
|
VGS (V)
|
RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
|
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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HMS120N03D
|
中压大电流SGT MOS
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SGT工艺(Split Gate)
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N沟道
|
DFN5X6-8L
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30V
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120A
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340A
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1.7V
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20V
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1.95mΩ
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2.85mΩ
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2023-03-22 - 设计经验 由于锂电池的特性，在应用过程中需要对其充放电过程进行保护，避免因过充过放或过热造成电池的损坏，保证电池安全的工作。本文虹美功率半导体将介绍功率MOS管在BMS系统中的常见失效类型，以及如何预防改善。
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产品型号
|
品类
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工艺
|
沟道
|
封装
|
VDS(Max) (BVDSS(V))
|
ID(Max) (A)
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IDM (A)
|
VTH (Typ) (V)
|
VGS (V)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)
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RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)
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HM2302
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N沟道低压MOS
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沟槽工艺(Trench)
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N沟道
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SOT23
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20V
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3A
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10A
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0.7V
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10V
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30mΩ
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37mΩ
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高级会员
2023-08-14
普通会员
2023-08-09
白银会员
2023-07-31
电子商城
服务市场
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量：1支 提交需求>
可定制丙烯酸酯胶粘剂的粘度范围：250~36000 mPa·s，硬度范围：50Shore 00~85Shore D，其他参数如外观颜色，固化能量等也可按需定制。
最小起订量：1 提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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