虹美功率半导体特色产品介绍
发布时间：
2024-12-06
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMS330N10; HMS330N10D; HMS330N10LL; HMS260N10; HMS260N10D; HMS260N10LL; HMS310N85; HMS310N85D; HMS310N85LL; HMS330N06; HMS330N06D; HMS330N06LL; HMS320N04; HMS320N04D; HMS320N04G; HMS320N04LL; HMG160N65FT3; HM75N120FT3; HMS160N10; HMS160N10D; HMS135N10; HMS135N10D; HMS135N10G; HMS135N10K; HMS120N10; HMS120N10D; HMS120N10G; HMS120N10K; HMS85N10; HMS85N10D; HMS85N10G; HMS85N10K; HMS80N10; HMS80N10D; HMS80N10G; HMS80N10K; HMS135N85; HMS135N85D; HMS135N85G; HMS135N85K; HMS120N85; HMS120N85D; HMS120N85G; HMS120N85K; HMS100N85; HMS100N85D; HMS100N85G; HMS100N85K; HMS80N85; HMS80N85D; HMS80N85G; HMS80N85K; HMS100N15; HMS100N15D; HMS100N20; HMS100N20D; HMS80N25; HMS80N25D; HMS18N10D; HMS18N10Q; HMS25N10DA; HMS25N10QA; HMS40N10D; HMS40N10Q; HMS50N10DA; HMS60N10DA; HMS70N10DA; HMS80N10DA; HMS100N10DA; HMS110N10DA; HMS125N10D; HMS50N12DA; HMS75N12DA; HMS80N12DA; HMS10N15D; HMS65N15DA; HMS85N15DA; HMS20N20D; HMS20N25D; HMS60N08D; HMS35N06D; HMS35N06DQ; HMS60N06D; HMS60N06Q; HMS80N06D; HMS150N06D; HMS200N06DA; HMS45N04Q; HMS65N04Q; HMS85N04D; HMS100N04D; HMS135N04D; HMS150N04D; HMS190N04D; HMS50N03Q; HMS65N03Q; HMS120N03D; HMS135N03D; HMS150N03D; HMS200N03D; HMS4454; HMS4296; HMS4294; HMS4290; HMS4488; HMS4444B; HMS4444A; HMS4438; HMS4264; HMS4260; HMS4354; HMS4240; HMS10DN10Q; HMS10DN08Q; HMS30DN08D; HMN5N65Q; HMN17N65Q; HMN17N65D; HMN9N65Q; HMN9N65D; HMN11N65D; HMN10N65Q; HMN10N65D; HMS11N65Q; HMS11N65K; HMS13N65Q; HMS13N65K; HMS15N65Q; HMS15N65K; HMS11N70Q; HMS11N70K; HMS15N70Q; HMS15N70K; HM80N03KA; HM100N03KA; HM50N06AKA; HM5N50K; HMF50N50K; HM4616Q; HM4622Q; HM4616A; HM4622A; HMS5N65R; HMS5N65R2; HMS5N70R; HMS5N70R2; HMS5N90R; HMS5N90R2; HMS5N80; HMS5N80F; HMS5N80K; HMS5N80I; HMS5N80R; HMS5N80R2; HMS7N80; HMS7N80F; HMS7N80K; HMS7N80I; HMS10N80; HMS10N80F; HMS10N80K; HMS15N80; HMS15N80F; HMS15N80D; HMS20N80; HMS20N80F; HMS20N80D; HMS20N80T; HM0565MR; HM1N60R; HM1N60PR; HM4N60R; HM2N65R; HM2N65PR; HM4N65R; HM1N50MR; HM2N50R; HM2N50PR; HM5N50R; HM1N70R; HM1N70PR; HM2N70R; HM3N40R; HM3N40PR; HM3N30R; HM3N30PR; HM5N30R; HM5N30PR; HM2N25MR; HM3N25R; HM3N20MR; HM3N20PR; HM10N65D; HM12N65D; HM13N50D; HM25N50D; HM01N100PR; HM3N100; HM3N100F; HM3N100D; HM8N100F; HM8N100A; HM3N120; HM3N120F; HM3N120A; HM3N150; HM3N150F; HM3N150A; HM1P15MR; HM4489; HM2P15R; HM2P15PR; HM4P15Q; HM5P15D; HM6P15K; HM25P15K; HM4P20K; HM2P20Q; HM2P20D; HM1P20; HM11P20; HM11P20D; HM02P30R; HM02P30PR; HM05P35MR; HM4889; HM4922; HM4923; HM4924; HM4926; HM4920; HM40SDN02Q; HM25SDN03Q; HM20SDN04Q; HM10SDN06Q; HMO8SDN10Q; HM30SDN02D; HM35SDN03D; HM18SDN04D; HM10SDN06D; HM10SDN10D; HM30DN02D; HM4884Q; HM35DN03D; HM20DN06KA; HM08DN10D; HM40DN04K; HM20DN04Q; HM20DN04D; HM10DN06Q; HM10DN06D; HM06DP10Q; HM07DP10D; HM18DP02Q; HM18DP03Q; HM12DP04Q; HM10DP06Q; HM18DP03D; HM12DP04D; HM10DP06D; HM605K; HM607K; HM609K; HM603K; HM610K; HM4618Q; HM4611Q; HM4615Q; HM4622D; HM4616D; HM4618D; HM4611D; HM4615D; HM2301DR; HM2301KR; HM2301BKR; HM2301BSR; HM2301BJR; HM2302DR; HM2302KR; HM2302BKR; HM2302BSR; HM2302BJR; HM2301BWKR; HM2302BWKR; HM6604BWKR; HM09P12D; HM16P12D; HM2305D; HM3401DR; HM2319D; HM2309DR; HM4P10D; HM2803D; HM3801DR; HM2819D; HM2809D; HM2300DR; HM3400DR; HM2318D; HM2310DR; HM4N10D; HM2800D; HM3800D; HM2818D; HM2810D; HM3DN10D; HM4620D; HM4630D; HM4640D; BS584KR; HM3400KR; BSS138KR; HM7002KR; BSS84SR; BSS138SR; B5584DW; BSS138DW; HM7002KDW; HMC15N65; HMC15N65D; HMC15N65T2; HMC20N65; HMC20N65D; HMC20N65T2; HMC5N120; HMC5N120K; HMC8N120; HMC8N120K; HMC20N120; HMC20N120D; HMC20N120T2; HMC2N65; HMC2N65K; HMC4N65; HMC4N65K; HMC6N65; HMC6N65K; HMC6N65Q; HMC8N65; HMC8N65K; HMC8N65Q; HMC10N65; HMC10N65K; HMC10N65Q; HMC2N120; HMC2N120K; HMG40N65AT; HMG40N65FT; HMG75N65AT; HMG75N65FT; HM40N120AT; HM40N120FT; HMG20N65; HMG20N65F; HMG20N65D; HM30N135FT; HMG50N65FT; HM08SDN10Q
本产品介绍详细阐述了深圳市虹美功率半导体有限公司的特色功率半导体产品线。资料重点展示了涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管及GaN FET等在内的全系列器件，具体包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS及电动车用SGT MOS、USB PD快充同步整流与VBUS开关SGT MOS、快充GaN FET、高压超结MOS（含800V及超高压型号）、电动工具驱动大电流MOS、高压平面MOS、全桥与半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS，以及适用于TWS蓝牙耳机和智能穿戴设备的超轻薄微封装MOS管。这些产品广泛应用于储能、光伏、新能源电动车、USB PD快充、电动工具、高速风筒及智能穿戴等前沿领域，能够满足不同场景下对高性能功率器件的严苛需求。深圳市虹美功率半导体有限公司在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品线，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型指导、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HM18DP03D | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM18DP03系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双P沟道,18A,耐30V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | 18A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9836
库存：
50
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| 订货型号 | HM18DP03Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM18DP03系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双P沟道,18A,耐30V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | 18A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9412
库存：
50
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| 订货型号 | HM10DN06Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM10DN06系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,10A,耐60V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM20DN04Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM20DN04系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,20A,耐40V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 40V | ID（A） | 20A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM80N03KA | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM80N03系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,80A,耐30V,低开启版本 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | 80A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8448
库存：
50
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| 订货型号 | HM01N100PR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM01N100系列 | 品类 | 大功率高压N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,0.1A,耐1000V | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 1000V | ID（A） | 0.1A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5353
库存：
50
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HM01N100PR 批量询价 >>
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HM01N100PR 交期查询 >>
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| 订货型号 | HMS4444B | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4444系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,10A,耐80V, 超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 80V | ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9624
库存：
50
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| 订货型号 | HM6604BWKR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM6604系列 | 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,N:0.9A/P:0.8A,VDS耐20V,VGS耐8V,超低开启电压,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363(SC70-6) |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | N：0.9A/P：0.8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3212
库存：
50
世强硬创平台提供HM6604BWKR在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HM6604BWKR 在线购买 >>
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HM6604BWKR 样品申请 >>
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| 订货型号 | HM7002KDW | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM7002系列 | 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,0.3A,耐60V,带ESD静电保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363(SC70-6) |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | 0.3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2671
库存：
50
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| 订货型号 | HM2302BWKR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM2302系列 | 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,0.9A,VDS耐20V,VGS耐8V,超低开启电压,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-363(SC70-6) |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | 0.9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3000
库存：
50
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖2.5V~36V，电容值低至0.2pF，浪涌能力最高可达240安培，静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HMS330N10、HMS330N10D N沟道超级沟道II功率MOSFET
2024/9/4
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMS260N10、HMS260N10D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
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下载 |
| 技术文档 - 中文 |
HMS/HMG/HMM系列 储能/BMS/电动车SGT MOS/IGBT单管/超结MOS/Sic MOS选型参考
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMS330N10LL N沟道超级沟槽功率MOSFET
2024/8/29
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超级沟槽II功率MOSFET
2026/02/04
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
HMS330N06、HMS330N06D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
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| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2026/02/04
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下载 |
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应用/方案
虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线，涵盖800多款产品型号，包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换，用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案
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新品推介| 新一代低损耗IGBT产品及配套的FRD，以最新一代IGBT 7技术为基准
美浦森推出基于IGBT 7技术的新一代低损耗IGBT单管及配套FRD，专为三电平拓扑优化，显著降低损耗与温升，提升系统效率与可靠性，广泛应用于光伏储能、电能质量及充电模块等领域。
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阿基米德半导体：亮相2024武汉国际智能网联新能源汽车产业链展览会！
阿基米德半导体在2024年武汉国际智能网联新能源汽车产业链展览会上展示了多款功率模块产品，包括1200V SiC单面塑封水冷模块、顶部散热SiC MOSFET、多种IGBT模块等，适用于新能源汽车、光伏逆变器、储能系统等领域，展示了其在功率模块领域的技术实力。
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HMS/HMM系列 功率器件选型参考
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Galaxy 银河微电 IGBT产品介绍及市场应用
常州银河世纪微电子股份有限公司（Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co., Ltd.）发布了一系列IGBT产品，包括单管和模块，适用于多种应用领域。产品线涵盖650V至1700V电压等级，包括工缝、逆变器、电机控制、光伏、储能、新能源汽车、充电桩、电池管理系统等。资料详细介绍了产品型号、技术参数、应用领域和性能对比。
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长晶科技FST3.0 IGBT新品发布＆光伏储能/逆变器/充电模块应用方案
长晶科技全新推出了FST3.0（对标国际Gen7.0）650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。新品使用最新的微沟槽栅（1.6μm Pitch）+场终止技术，提高载流子密度；芯片元胞/功率密度增大，经济性更好；针对光储类应用优化了通态损耗和开关损耗，同时又保证产品的鲁棒特性。
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江苏应能微电子（APM）产品介绍培训：2024年春季期
江苏应能微电子（APM）举办产品介绍培训，内容涵盖公司简介、发展历程、组织架构、核心研发团队、产品系列、合作供应商、产品市场应用及业绩表现。APM专注于高性能电路保护器件和功率半导体产品研发，拥有丰富的产品线和市场应用，致力于为各行业提供优质解决方案。
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深爱半导体产品推介
深圳深爱半导体股份有限公司推出多种半导体产品，涵盖照明、充电器、马达电动机、逆变储能、感应加热、PC电源、矿机电源、电焊机、UPS电源和LED驱动IC等领域。产品包括高压MOS、中低压MOS、IGBT、BJT功率三极管和芯片等。资料详细介绍了各类产品的特性、应用场景和推荐型号，并展示了产品规划和发展方向。
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萨瑞微电子产品应用手册储能行业应用方案
本手册详细介绍了萨瑞微电子的储能行业应用方案，包括户外电源和家庭储能电源。方案涵盖市电和太阳能充电，以及AC和DC放电。手册中提供了详细的元器件规格、选型和保护措施，旨在为储能系统设计提供全面的技术支持。
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中国功率半导体领域的变革引领者
北京昕感科技有限责任公司，专注于新能源领域，致力于碳化硅功率器件的研发与生产。公司拥有6吋&8吋兼容的SiC产线，提供功率器件设计和系统模组服务。公司创始人拥有丰富的行业经验，团队由行业精英组成，并获得多家知名投资机构的支持。昕感科技计划通过IDM模式，整合SiC设计、制造、封装、测试，成为国内功率半导体领域的引领者。
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龙腾半导体MOSFET优化Qg和Coss/Ciss比值，降低驱动损耗，助力便携储能提升抗干扰能力
户外电源是多功能型便携式交直流应急移动电源装置，是一种内置锂离子电池，自身可储备电能且具备交流输出的多功能便携式储能电源。本文针对便携储能市场应用介绍LONTEN的高压SJ MOS和SGT MOS的产品优势。
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东海半导体
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蓉矽半导体公司介绍
蓉矽半导体有限公司是一家专注于碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业。公司产品包括SiC MOSFET、SiC EJBS二极管和MCR二极管，应用于新能源汽车、充电桩、光伏逆变器等领域。公司拥有完善的质量管理体系和先进的WLTBI晶圆测试系统，确保产品质量和可靠性。
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深圳铨力半导体有限公司公司简介
深圳铨力半导体有限公司是一家专注于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术企业。公司提供包括SGT MOSFET、Trench MOSFET、Planar MOSFET等在内的多种产品，服务于电脑、网通、消费性产品、手机、电池等行业。公司强调主动了解客户需求，通过不断研发创新，提供绿色、节能、高效的功率半导体产品和解决方案。公司拥有强大的研发团队和热忱的服务团队，并在深圳、韩国、台湾设有分部。资料中还展示了公司的发展规划、销售计划以及合作伙伴信息。
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【经验】1250V/75A的没有锁螺丝孔的TO-247plus封装的单管IGBT的安装方式参考
单体TO-247plus封装的IGBT，在应用时，因少了固定的螺丝孔，安装方式成为目前工程师设计时最关注的因数之一。很多工程师因没有找到合适的安装方式而放弃该封装的使用。下面分享一下目前了解到的一些安装经验，可帮助工程师作为设计应用时的参考。
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【方案】高效率10kw三相光伏逆变器优选元器件方案
本方案通过采用WOLFSPEED高效SIC肖特基二极管，Vincotech MNPC T字型逆变IGBT模块及相关的器件，相比于分立器件方案，集成度高且寄生参数小，模块效率更高。
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针对工控应用的各种工作状态, 优化MOS产品EAS能力,提高产品的可靠性。 **新 发 品 布 TOLT系列MOSFET——BMS与储能的低阻高效功率之选
扬杰科技推出TOLT系列MOSFET新品，采用SGT技术，优化导通电阻和栅极电荷，降低损耗，提升抗冲击电流能力。产品适用于BMS和储能等清洁能源领域，具有低内阻、优异开关特性、高散热性能和宽工作温度范围。
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森未科技1200V/120A单管性能分析及其在T型三电平拓扑中的应用
森未对产品的设计从应用的可靠性出发，清楚客户的痛点，针对光伏、储能和UPS等应用进行了品最优性价比的设计，从技术上保证了IGBT拖立尾电流更短和关断损耗很小:同时采用了MPT技术，使其导通损耗更低，功率密度更大，器件综合表现突出。
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纳芯微新推光耦兼容的智能隔离单管驱动器NSi68515， 支持故障自动复位版本选择，拉灌电流最大5A
纳芯微单通道智能隔离式栅极驱动器NSi68515，专为驱动高达2121V直流母线电压下的SiC MOSFET，IGBT而设计，可广泛应用于工业变频器、伺服、机器人，空调压缩机，新能源汽车主驱，光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等领域。
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深圳深愛半導體股份有限公司
深圳深爱半导体股份有限公司是一家专注于功率半导体器件研发、生产和销售的企业。公司拥有5英寸和6英寸芯片生产线，具备规模化制造能力。产品涵盖MOSFET、IGBT、FRD、双极产品等，广泛应用于适配器、充电器、工控、智能照明等领域。公司拥有强大的研发团队和先进的生产设备，致力于技术创新和产品升级，以满足市场需求。
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萨瑞微公司介绍
萨瑞微电子技术有限公司是一家专注于功率半导体与保护器件的企业，提供包括保护器件、标准器件、功率器件和模拟IC等产品。公司成立于2014年，拥有多个制造基地和封装产能，致力于成为国内领先的IDM公司。公司注重技术研发，拥有多项专利和认证，并建立了完善的质量保证体系。
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萨瑞微公司介绍
萨瑞微电子技术有限公司是一家专注于功率半导体与保护器件的企业，提供包括ESD、TSS、TVS保护器件，肖特基、稳压管、整流桥、开关管、快恢复等二三极管，以及MOSFET等功率器件。公司拥有350名员工，技术中心有65人，包括7项发明专利和26项实用新型专利。公司规划在未来五年内实现销售额和净利润的持续增长，并计划扩产晶圆线，布局高端MOSFET市场和第三代半导体产品。
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广东凌讯微电子有限公司用“芯”智造美好生活
广东凌讯微电子有限公司（东莞中芯半导体）是一家专注于功率半导体器件研发、封装测试、销售的国家高新技术企业。公司拥有1万平方米的工厂，160余名员工，年产量超过500KK。产品线包括肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS等，以及IGBT单管和碳化硅二极管。公司致力于成为国内知名的功率半导体器件制造商，提供OEM、ODM和LX品牌产品，并拥有ISO9001和IATF16949认证。
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【应用】上海贝岭提供多样化移动户外电源芯片解决方案，实现稳压限流、MCU通讯以及高低压板通讯隔离等功能
户外电源是一种内置锂离子电池，自身可储备电能且具备交流输出的多功能便携式储能电源。户外电源方案有多种，不同方案所用芯片也不尽相同。上海贝岭可提供不同的芯片组合输出不同的电压，满足不同的客户需求。
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