电动工具驱动板/保护板大电流MOS 选型参考
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HM80N03KA; HM100N03KA; HM150N03KA; HM250N03KA; HM50N06KA; HM5N50K; HMF5N50K; HM4616Q; HM4622Q; HM4616A; HM4622A; HM40N02Q
虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
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世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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| 订货型号 | HM50N06KA | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM50N06系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,50A,耐60V,低开启版本,内阻更小,有做VTH分档测试,可以用于逆变器等并联应用 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | 50A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥0.9624
库存：
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| 订货型号 | HM80N03KA | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM80N03系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,80A,耐30V,低开启版本 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | 80A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.8448
库存：
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| 订货型号 | HM5N50K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM5N50系列 | 品类 | 大功率高压N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,5A,耐500V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 500V | ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.7271
库存：
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| 订货型号 | HM4616A | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4616系列 | 品类 | 中功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,N:18A/P:12A,耐压30V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | N：18A/P：12A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥1.0165
库存：
50
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| 订货型号 | HM4622A | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4622系列 | 品类 | 中功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,N:7.5A/P:7.0A,耐20V,内阻低,低开启,移动电源市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | N:7.5A/P:7.0A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.5565
库存：
50
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| 订货型号 | HM4616Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4616系列 | 品类 | 大功率中压大电流N+P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,左右结构,N:28A/P:18A,耐压30V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V | ID（A） | N：28A/P：18A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥1.1765
库存：
30
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| 订货型号 | HM4622Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4622Q | 品类 | N+P沟道中压大电流MOS |
| 描述/说明 | N+P沟道中压大电流MOS,VDS:20V/-20V,ID:25A/-25A,IDM:75A/-75A,VTH (Typ):0.8V/-0.7V,VGS:12V/-12V | 封装/外壳/尺寸 | DFN3*3-8L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 沟道(Polarity) | N+P沟道 | VDS | 20V/-20V |
| ID | 25A/-25A | IDM | 75A/-75A |
| VTH (Typ) | 0.8V/-0.7V | VGS | 12V/-12V |
| RDS(ON)@-10VTyp | 6.3mΩ/12mΩ | RDS(ON)@-4.5VTyp | 8.2mΩ/17mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HMS3N70R2 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N70R2 | 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V | ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥1.0165
库存：
50
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HMS3N70R2 交期查询 >>
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| 订货型号 | HMS3N70R | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N70系列 | 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT223-3L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V | ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
世强硬创平台提供HMS3N70R在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
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| 订货型号 | HMS3N65K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N65系列 | 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V | ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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价格：
￥1.0165
库存：
50
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技术支持/研发服务
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电动工具驱动板/保护板大电流MOS
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电动工具驱动板/保护板大电流MOS
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HM80N03KA N沟道增强型功率MOSFET
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HM80N03KA N沟道增强型功率MOSFET
v1.3
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HM50N06KA N沟道增强型功率MOSFET
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N通道增强模式功率MOSFET
2026/02/04
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N通道增强模式功率MOSFET
2026/02/04
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N通道增强模式功率MOSFET
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N通道增强模式功率MOSFET
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N通道增强模式功率MOSFET
2025/05/09
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N通道增强模式功率MOSFET
2024/12/02
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N通道增强模式功率MOSFET
2024/12/02
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HM4622Q N和P沟道增强型MOSFET
2024/10/30
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全桥/半桥驱动MOS 和 双N/ 双P/ N+P沟道中压大电流 MOS
2024/11/13
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| 数据手册 - 英文 |
N和P沟道增强型MOSFET
2024/12/12
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| 数据手册 - 英文 |
N和P沟道增强型MOSFET
2024/11/21
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高压亚面MOS 特色产品
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超轻薄 低压MOS 选型参考
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| 数据手册 - 英文 |
30V N沟道MOSFET
2025/06/30
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HMF5N50x 500V N沟道平面MOSFET
2024/9/14
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HM5N50K/HM5N50I 500V N沟道MOSFET
2023/12/26
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HM100N03KA N沟道增强型功率MOSFET
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HM5N50K Lonten N沟道500V，5A功率MOSFET
2024/9/25
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N沟道500V，5A功率MOSFET
2025/06/23
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HM80N03K N沟道增强型功率MOSFET
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HM150N03K N沟道增强型功率MOSFET
2022/11/10
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HM4622 N和P沟道增强型功率MOSFET
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HM100N03K N沟道增强型功率MOSFET
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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