1N60-VB N-Channel 650V Power MOSFET Datasheet
发布时间：
2026-04-30
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VBsemi（微碧半导体）
型号：
1N60-VB
VBsemi官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是VBsemi的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供VBsemi的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商——Vbsemi(微碧半导体)
Vbsemi(微碧半导体)成立于2012年，是一家专注于研发制造功率器件的国家级高新技术半导体厂商，作为国际知名品牌，VBsemi以其稳定的品质、多样化的产品系列和卓越的性能在业界广受赞誉。VBsemi的产品线主要涵盖中低压和高压MOSFET。广泛应用于汽车电子、工业自动化、新能源、绿色照明和各种消费类电子产品等领域。为各种电子设备和系统提供关键的功率管理解决方案。
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现货平台 / VBsemi 授权代理店
| 订货型号 | FQP1N60-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 型号系列 | FQP1N60-VB |
| 品类 | MOSFET |
| 描述/说明 | 场效应管,封装TO220,沟道Single-N,Vds(V):650V |
| 封装/外壳/尺寸 | TO220 |
| 最小包装量 | 10 |
| 包装形式 | 盘装 |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 沟道 | Single-N |
| Vds(V) | 650V |
| Vth(V) | 3.5V |
| Ida(A) | 2A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.5000
库存：
0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
1N60-VB TO252 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
FQP1N60-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
HMS21N60-VB 数据手册
2025/10/30
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LSE11N60-VB 数据手册
2025/10/30
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LSG11N60-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
TF11N60-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）功率MOSFET
2025/10/30
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AOTF11N60-VB 数据手册 N沟道 650V（漏-源）功率MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
HMS11N60-VB 数据手册
2025/10/30
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LSC11N60-VB 数据手册
2025/10/30
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LSH11N60-VB 数据手册
2025/10/31
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FP21N60L-VB 数据手册
2025/10/30
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N沟道650V（漏极-源极）MOSFET 11N60C3-VB 数据手册
2025/10/30
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FCH041N60E-VB 数据手册
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N沟道650V（漏极-源极）MOSFET 11N60C3-VB TO220 数据手册
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功率MOSFET SW1N60DC-VB TO252 数据手册
2025/10/30
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11N60CFD-VB TO247 数据手册 N沟道 650V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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11N60C2-VB TO247 数据手册 N沟道 650V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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11N60C3-VB TO247 数据手册 N沟道 650V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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MTD1N60ET4G-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET
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LSD11N60E-VB 数据手册
2025/10/30
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HMS21N60F-VB 数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
HMS21N60A-VB 数据手册 N沟道 600V（漏源）超结MOSFET
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N沟道600V（漏源）超结MOSFET LSE11N60F-VB 数据手册
2025/10/30
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LSG11N60F-VB 规格书
2025/10/30
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LSD11N60F-VB 数据手册
2025/10/30
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LSG11N60E-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
FQD1N60C-VB 数据手册
Rev. M, 24-Dec-12
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N沟道600V（漏源）超结MOSFET LSE11N60E-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
1N60L-TM3-T-VB N沟道 650V 功率MOSFET 数据手册
A
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DTL11N60SJ-VB 数据手册
2025/10/31
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LSH11N60E-VB 数据手册
2025/10/31
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DTP11N60FSJ-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
IRFP21N60LPBF-VB 数据手册
2025/10/30
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LSC11N60E-VB 数据手册
2025/10/30
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DTU11N60SJ-VB 数据手册
2025/10/30
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11N60S5-VB TO247 数据手册 N沟道 650V（D-S）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
LSC11N60F-VB 数据手册
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
SST11N60S-VB 数据手册 - N沟道600V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
SPW11N60C2-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET
未提及具体版本号
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LSH11N60F-VB 数据手册
2025/10/31
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DTP11N60SJ-VB 数据手册
2025/10/30
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IRFR1N60ATRPBF-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET
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FCP11N60F-VB 数据手册
2025/10/30
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SiHFP21N60L-VB 数据手册 - N沟道650V（漏源）超结功率MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
SPW11N60C3-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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SSF11N60S-VB 数据手册
2025/10/30
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SPW11N60CFD-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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SPW11N60S5-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET
2025/10/30
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| 数据手册 - 英文 |
4N60-VB N沟道 650 V 功率MOSFET 数据手册
A
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R6011ENX-VB N沟道 650V 功率MOSFET 数据手册
A
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