MTD1N60ET4G-VB Datasheet N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

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发布时间： 2025-10-29 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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本资料文档详细介绍了MTD1N60ET4G-VB型号的650V N-Channel MOSFET。该器件具有低栅极电荷Qg，适用于简单驱动要求。文档中包含了器件的绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

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MTD10N05E-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD10N05E-VB型N-Channel 60V MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。资料中涵盖了该MOSFET的绝对最大额定值、电气特性、热阻、封装尺寸等信息。

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MTD1302T4-VB 数据手册

技术文档本资料为MTD1302T4-VB N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的详细数据手册。内容包括产品概述、绝对最大额定值、热阻额定值、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料详细介绍了该MOSFET的电气特性、工作条件、封装信息等，适用于工程师在设计电路时参考。

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MTD1P50E-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD1P50E-VB型P-Channel 500V (D-S) Power MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线等。资料中未提及具体的应用领域。

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MTD10N05ET4G-VB 数据手册 N沟道 60V（漏极-源极）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD10N05ET4G-VB型号的N-Channel 60V MOSFET产品。资料涵盖了产品概述、特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻评级、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。此外，还包括了免责声明和材料分类政策。

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MTD15N06-VB 数据手册 N沟道60V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD15N06-VB型N通道60V（D-S）MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。资料中涵盖了该MOSFET的绝对最大额定值、热阻、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

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MTD1N80E-VB 数据手册 807 %4 4VQFS+VODUJPO $IBOOFM 功率 MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料为MTD1N80E-VB功率MOSFET的产品数据手册，详细介绍了该产品的特性、规格、典型特性曲线以及应用领域。资料中未提及具体的生产公司或品牌。

VBSEMI - POWER MOSFET,功率 MOSFET,MTD1N80E-VB,服务器和电信电源,可再生能源,太阳能（PV逆变器）,开关模式电源（SMPS）,功率因数校正电源（PFC）,照明,工业

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MTD10N10ELT4-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD10N10ELT4-VB型N-Channel 100V MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻率、典型特性曲线、封装尺寸和推荐的最小焊盘尺寸等信息。

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MTD10N10EL-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD10N10EL-VB型N通道100V（D-S）MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该产品是一款 trench 功率MOSFET，具有150°C的结温、PWM优化设计，并通过100%的Rg测试，符合RoHS指令2002/95/EC。

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MTD14N10ET4G-VB 数据手册 N沟道 100V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD14N10ET4G-VB型N-Channel 100V MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了该产品的绝对最大额定值、热阻率、静态和动态规格、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,MTD14N10ET4G-VB,主侧开关

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MTD15N06VT4G-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD15N06VT4G-VB型号的N-Channel 60V MOSFET产品，包括其产品特性、绝对最大额定值、规格参数、典型特性曲线、封装尺寸和推荐最小焊盘尺寸。资料还提供了产品应用领域，如DC/DC转换器、DC/AC逆变器、电机驱动等。

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MTD15N06VLT4G-VB 数据手册 N沟道 60V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了MTD15N06VLT4G-VB型N通道60V MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该产品是一款 trench power MOSFET，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能，适用于DC/DC转换器、DC/AC逆变器以及电机驱动等应用。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,MTD15N06VLT4G-VB,DC/AC INVERTERS,电机驱动,DC/DC CONVERTERS,直流/交流逆变器,DC/DC转换器,MOTOR DRIVES

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MTD1302T4G-VB 数据手册

数据手册本资料详细介绍了MTD1302T4G-VB型N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的特性、规格和应用。资料涵盖了产品的静态和动态特性、绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - TRENCH POWER MOSFET,沟道功率MOSFET,MTD1302T4G-VB,OR-ING,DC/DC,伺服器,SERVER,或ING,直流/ DC

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选型表 - SEMTECH ST 先之科提供高压MOS管选型：采用TO-220F/TO-220FB/TO-220F-3/TO-247/TO-247-3/TO-247-4/TO-252/TO-263/SOT-223/SOT-223-2共10种封装。该系列具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点，漏源电压VDS覆盖500V至1500V，满足超高压工业应用需求；最大漏极电流ID范围为1.5A至60A，适配从中功率到大功率的各种场景；栅源阈值电压VGS(th)为2V至4.5V，支持低压逻辑驱动；导通电阻RDSon(10V)低至数毫欧，有效降低导通损耗；总电荷Qg范围为7nC至65nC，保证高速开关性能。广泛应用于工业逆变器、不间断电源（UPS）、智能电网、光伏并网逆变器、新能源汽车OBC/DC-DC转换器、PFC电路等高压大功率领域。

产品型号	品类	封装	Polarity	ESD Protection	VDS (V)	ID max (A)Tc= 25°C	VGS(th) (V)Min	VGS(th) (V)Max	RDSon Typ at10V(mΩ)	RDSon Max at10V(mΩ)	Qg（nC） Typ
SLQ02N65A2	高压MOS管	SOT-223	N	N	650	1.5	2	4	3500	4500	7

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富海微碳化硅场效应管选型表

选型表 - 富海微富海微提供碳化硅场效应管（SiC MOSFET）选型。涵盖 HLS、HL、HLC 等系列，可选 ID -120A~180A，VDS 20V~1200V（含 -150V~-19V 负压及 40/-40V 双参数），VGS ±12V~±30V（含 -4~22V），Vth typ. -3V~4.6V，RDS(ON) 1.5mΩ~2300mΩ。具备低导通电阻、高压 650V/800V/1200V 与低压大电流 100A/120A/150A/180A 等特性，含正/负电流与正/负电压型号。