N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 11N60C3-VB TO220 Datasheet

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发布时间： 2025-10-24 品牌： VBsemi 资料类型：数据手册语言：英文

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本资料文档详细介绍了型号为11N60C3-VB的650V N-Channel MOSFET的特性、规格和应用。该MOSFET具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关损耗和良好的热性能，适用于各种电源和电机控制应用。

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N沟道650V（漏极-源极）MOSFET 11N60C3-VB 数据手册

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SPW11N60C3-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了SPW11N60C3-VB型号的N-Channel 650V MOSFET的特性、规格和应用领域。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、典型特性曲线以及应用注意事项。

VBSEMI - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,SPW11N60C3-VB,电池充电器,太阳能（光伏逆变器）,电信,可再生能源,焊接,开关模式电源（SMPS）,照明,ATX电源,消费和计算,工业

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11N60C2-VB TO247 数据手册 N沟道 650V（D-S）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了11N60C2-VB TO247型号的N-Channel 650V MOSFET的特性、规格和应用领域。资料涵盖了产品的电气参数、热阻、典型特性曲线以及应用注意事项。

VBSEMI - MOSFET,11N60C2-VB,开关电源,电信,可再生能源,照明,工业

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11N60CFD-VB TO247 数据手册 N沟道 650V（D-S）MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了11N60CFD-VB TO247型号的650V N-Channel MOSFET。资料涵盖了该产品的关键参数、特性、应用领域以及典型特性曲线。产品具有低导通电阻、低开关损耗、低栅极电荷等特点，适用于电信、照明、消费电子、工业焊接和可再生能源等领域。

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N沟道600V（漏源）超结MOSFET LSE11N60E-VB 数据手册

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TF11N60-VB 数据手册 N沟道 650V（漏源）功率MOSFET

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了TF11N60-VB型号的N-Channel 650V功率MOSFET。资料涵盖了产品的特性、应用领域、绝对最大额定值、热阻率、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

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LSG11N60E-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册该资料详细介绍了LSG11N60E-VB型N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET的产品特性、应用领域和电气参数。产品具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特点，适用于服务器、电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。

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LSE11N60-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了LSE11N60-VB型N-Channel 600V Super Junction MOSFET的产品特性、绝对最大额定值、热阻等级、规格参数、典型特性曲线以及封装尺寸等信息。

VBSEMI - N-CHANNEL 600V SUPER JUNCTION MOSFET,N沟道600V超结MOSFET,LSE11N60-VB,服务器和电信电源,开关模式电源,功率因数校正电源,照明（高压放电、荧光灯镇流器）,工业

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LSD11N60E-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了LSD11N60E-VB型N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET的产品特性、应用领域和电气参数。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特点，适用于服务器、电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。

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LSG11N60-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册该资料详细介绍了LSG11N60-VB型N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。产品具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特点，适用于服务器、电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。

VBSEMI - SUPER JUNCTION POWER MOSFET,超级结功率MOSFET,LSG11N60-VB,服务器和电信电源,开关模式电源（SMPS）,功率因数校正电源（PFC）,工业,照明（高强度放电、荧光灯镇流器）

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LSC11N60-VB 数据手册

2025/10/30 - 数据手册本资料详细介绍了LSC11N60-VB型N-Channel 600V Super Junction Power MOSFET的产品特性、应用领域和典型特性。该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、低开关和导通损耗等特性，适用于服务器、电信电源、开关电源、功率因数校正电源、照明和工业等领域。

VBSEMI - SUPER JUNCTION POWER MOSFET,超级结功率MOSFET,LSC11N60-VB,服务器和电信电源,开关模式电源（SMPS）,功率因数校正电源（PFC）,照明（高强度放电灯、荧光灯镇流器）,工业

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选型表 - SEMTECH ST 先之科提供高压MOS管选型：采用TO-220F/TO-220FB/TO-220F-3/TO-247/TO-247-3/TO-247-4/TO-252/TO-263/SOT-223/SOT-223-2共10种封装。该系列具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点，漏源电压VDS覆盖500V至1500V，满足超高压工业应用需求；最大漏极电流ID范围为1.5A至60A，适配从中功率到大功率的各种场景；栅源阈值电压VGS(th)为2V至4.5V，支持低压逻辑驱动；导通电阻RDSon(10V)低至数毫欧，有效降低导通损耗；总电荷Qg范围为7nC至65nC，保证高速开关性能。广泛应用于工业逆变器、不间断电源（UPS）、智能电网、光伏并网逆变器、新能源汽车OBC/DC-DC转换器、PFC电路等高压大功率领域。

产品型号	品类	封装	Polarity	ESD Protection	VDS (V)	ID max (A)Tc= 25°C	VGS(th) (V)Min	VGS(th) (V)Max	RDSon Typ at10V(mΩ)	RDSon Max at10V(mΩ)	Qg（nC） Typ
SLQ02N65A2	高压MOS管	SOT-223	N	N	650	1.5	2	4	3500	4500	7

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富海微碳化硅场效应管选型表

选型表 - 富海微富海微提供碳化硅场效应管（SiC MOSFET）选型。涵盖 HLS、HL、HLC 等系列，可选 ID -120A~180A，VDS 20V~1200V（含 -150V~-19V 负压及 40/-40V 双参数），VGS ±12V~±30V（含 -4~22V），Vth typ. -3V~4.6V，RDS(ON) 1.5mΩ~2300mΩ。具备低导通电阻、高压 650V/800V/1200V 与低压大电流 100A/120A/150A/180A 等特性，含正/负电流与正/负电压型号。