APT85GR120JD60 1200V, 85A, Vce(on) = 2.5V Typical Ultra Fast NPT - IGBT®
发布时间：
2018-08-01
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
MICROSEMI（美高森美）
型号：
APT85GR120JD60
本数据手册详细介绍了APT85GR120JD60型超快速NPT IGBT的技术规格与性能参数。该器件集成了IGBT和二极管，具备低饱和电压、低尾电流及超低漏电流等特性，其集电极-发射极开启电压典型值为2.5V，并支持高频开关操作。此外，产品符合RoHS标准，具有短路承受额定值，能够满足严苛的工业应用需求。资料通过展示静态、动态电气特性及热机械性能曲线，为工程师在电路设计与选型中提供了详实参考。Microchip在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件，用户可通过平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
资料下载
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
APT85GR120J 1200V，85A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev B
|
下载 |
| 技术文档 - 英文 |
Microsemi电源组合2018
2019/04/23
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT25GR120B APT25GR120S 1200V，25A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
APT50GR120B2 APT50GR120L 1200V，50A，Vce（on）=2.5V（典型值）超快速NPT-IGBT®
Rev A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TimeProvider®5000 IEEE 1588-2008 PTP主时钟
8/20
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ZL30282 6输出PCIe时钟发生器数据表
September 2020
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
ZL30237双通道通用NCO时钟发生器
2021/06/04
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
TimePictra®软件套件：下一代同步管理系统
8/20
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC2x31/30SDA070J双通道碳化硅肖特基势垒二极管
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
GPS-2700 10 MHz GNSS受控振荡器，具有芯片级原子钟（CSAC）
Rev D
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSCSM70AM10CT3AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC035SMA170S碳化硅N沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC750SMA170S碳化硅n沟道功率MOSFET
Revision A
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSCSM70AM19CT1AG相脚SiC MOSFET电源模块规格书
Revision 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSCSM70VM10C4AG Vienna整流器相脚SiC电源模块规格书
Revision 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PD-9601GC中跨1端口，IEEE 802.3bt 90W PoE中跨
11/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PD-9606GC/9612GC/9624GC中跨90W/端口千兆位中跨系列，适用于高功率供电设备
9/19
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PD69204T4和PD69200规格书4端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 6.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
双输出超低附加相位噪声PCIe Gen 1至5，以及UPI/QPIFanut缓冲数据表
June 2019
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PD69208T4和PD69210数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 3.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
PD69208T4和PD69200数据表8端口PSE PoE管理器和PSE PoE控制器
Revision 6.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
带SiC功率级的MAIPDMC40X120A混合动力驱动器数据表
Revision 1.2
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MSC030SDA070S零恢复碳化硅肖特基二极管
Revision A
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
加固安全的网络时间服务器波动性证书
26 April 2018
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
Unison RTOS 4.1版软件数据表
4.1
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MM-APP-0002 Microsemi微波单片集成电路质量保证
2017/11/15
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1.65MHz 3A同步降压变换器生产数据表
Rev. 1.1a
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
101275C FB317.7-3 317.7 MHz带通滤波器3 MHz带宽
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
101274C FB326.7-3 326.7 MHz带通滤波器3 MHz带宽
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
100996C FB29.75-6 6兆赫带宽29.75兆赫带通滤波器
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
100635C FB70-.215 70 MHz带通滤波器0.215 MHz带宽
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
101087C FB240-6.66 6.66 MHz带宽240 MHz带通滤波器
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
101306C FB70-1.6667 70 MHz带通滤波器1.667 MHz带宽
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
101213C FB46.08-8.96 46.08 MHz带通滤波器9 MHz带宽
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
DS31408 8输入，14输出，双DPLL时序集成电路，具有子ps输出抖动和1588时钟
April 2012
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMA012QA DC-9GHz，11dBm宽带通用放大器
Rev -
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMA010QA DC-12GHz，18dBm宽带通用放大器
Rev -
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMA041AA数据表DC–26 GHz砷化镓微波单片集成电路分布式放大器
Revision 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
1014-2瓦-28伏，C级微波1000-1400兆赫
2017/11/26
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMS008AA数据表DC–8 GHz砷化镓微波单片集成电路SP4T无反射开关
Revision 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
MMA015AA数据表DC–14 GHz功率可选宽带放大器
Revision 1.0
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
0912LD20 20瓦，28伏脉冲航空电子960至1215 MH LDMOS FET
Rev. A
|
下载 |
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
使用散聚DMA控制器的RTG4 FPGA PCIe数据平面演示
本资料介绍了Microsemi公司RTG4 FPGA PCIe数据平面演示，使用Scatter-Gather DMA控制器实现高速数据传输。资料详细描述了设计要求、前提条件、演示设计、设置演示设计、运行设计等步骤，包括硬件设置、编程、连接、驱动程序安装、应用程序安装和运行。此外，还提供了DMA传输流程图、性能计算方法和附录，包括编程设备、运行TCL脚本和演示寄存器及缓冲区描述符的详细信息。
阅读原文 >>
PolarFire FPGA：利用用户密码处理器实现数据安全
本资料介绍了如何使用Microsemi的PolarFire FPGA中的用户加密处理器（User Cryptoprocessor）实现数据安全。资料详细描述了用户加密处理器的功能、设计要求、硬件和软件实现方法，包括时钟结构、IP核使用、内存映射和软件配置。此外，还提供了如何编程PolarFire设备和SPI闪存的指南，以及如何运行演示和示例项目。
阅读原文 >>
炎黄民品产品线介绍：平面高压MOS，高电压应用的“效能之芯”
平面高压MOS是一种专门设计用于高电压应用的功率半导体器件，常见于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。其核心目标是在高电压条件下实现高效、可靠的开关或线性控制。平面高压MOS凭借其成熟的技术和成本优势，在中高压功率电子领域仍占据重要地位。
阅读原文 >>
Libero®SoC v2021.2 RTG4™FCCC（带增强型PLL校准）配置器用户指南
本指南介绍了RTG4™ FCCC with Enhanced PLL Calibration Configurator，该配置器允许配置两个CCC（CCC_0和CCC_1）。它描述了如何进行校准，包括在启动或PLL重置时进行的校准，以确保PLL锁定在正常操作期间稳定。指南还涵盖了配置选项，包括基本配置、高级配置和PLL选项，以及如何设置输出时钟、PLL参考时钟源和频率。此外，它还提供了关于动态配置、PLL选项、端口描述和修订历史的信息。
阅读原文 >>
Galaxy 银河微电 碳化硅产品介绍
常州银河世纪微电子股份有限公司，股票代码688689.SH，是一家专注于半导体分立器件的企业，拥有30多年行业经验。公司员工超千人，占地面积达50,000平方米，固定资产约8.35亿元人民币。公司产品涵盖MOSFETs、三极管、整流桥、SiC器件等，主要应用于汽车电子、能源动力、工业自动化等领域。公司致力于成为世界知名的半导体分立器件供应商，并已获得多项国际认证。
阅读原文 >>
虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
阅读原文 >>
虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。
阅读原文 >>
“最佳技术实践应用奖”——上海贝岭IGBT器件和线性LED驱动器等多款产品一一解析
近期，华大半导体旗下上海贝岭股份有限公司荣获2024第六届金辑奖“最佳技术实践应用奖”。本文介绍了上海贝岭多款产品的特点和应用，包括IGBT器件、线性LED驱动器、HPD模块、MOSFET和电能计量芯片。
阅读原文 >>
