铁电存储器128 K (16 K × 8) 位 I2 CMB85RC128A 数据手册
发布时间:
2018-10-10
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
FUJITSU(富士通)
型号:
MB85RC128A; MB85RC128APNF-G-JNE1; MB85RC128APNF-G-JNERE1
本数据手册详细介绍了MB85RC128A这款128K位铁电随机存取存储器(FRAM)的技术规格与应用特性。该器件采用16,384 × 8位配置,具备高耐用性与非易失性,通过二线制I2C串行接口与微控制器通信,最高支持1 MHz的工作频率。在性能方面,MB85RC128A展现出了卓越的读写耐久性,达到至少10^12次/字节,且数据保持时间根据温度不同可长达10年至200年以上。其工作电压范围为2.7 V至3.6 V,具有低功耗优势,典型工作电流为250 μA,待机电流仅5 μA,工作环境温度覆盖-40°C至+85°C,并提供8引脚塑料SOP封装。该产品广泛应用于微控制器内存扩展、消费电子、工业自动化、医疗设备及交通控制系统等领域。富士通在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足服务。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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FUJITSU官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
世强先进(深圳)科技股份有限公司是FUJITSU的官方授权代理,是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业,世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台,平台不仅提供FUJITSU的正品现货、透明报价与稳定交期,还整合原厂技术资源,联合双方FAE团队,为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务,助力研发高效落地,保障供应链安全可靠。
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全球前三大继电器供应商——Fujitsu(富士通)
Fujitsu(富士通)是日本排名第一的IT厂商,全球第四大IT服务公司,全球前五大服务器和PC机生产商,世界领先的日本信息通信技术(ICT)企业,曾经是世界第二大企业用硬盘驱动器的制造商(硬盘业务于2009年第一季度转移到东芝公司旗下)和第四大移动硬盘制造商。
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现货平台 / FUJITSU 授权代理店
| 订货型号 | FTR-C1CA003G-01 | 品牌 | FUJITSU |
| 型号系列 | FTR-C1 Series | 品类 | POWER RELAY |
| 描述/说明 | POWER RELAY,2 POLES-2A High insulation/wide gap,Contact gap:more than 0.6mm | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 触点形式 | 2C | Rated current | 1A |
| Rated Coil Voltage | 3V | Rated Power | 280mw |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥9.1982
库存:
4,000
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| 订货型号 | NA-5W-K-HU3 | 品牌 | FUJITSU |
| 型号系列 | NA Series | 品类 | MINIATURE RELAY |
| 描述/说明 | MINIATURE RELAY,2 POLES,Slim type relay for high density mounting | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 4,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 触点形式 | 2C | Rated current | 2A |
| Rated Coil Voltage | 5V | Coil Resistance(±10%) | 178Ohm |
| Rated Power | 140mw | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥6.6228
库存:
4,000
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| 订货型号 | FTR-C1GA003G-B05 | 品牌 | FUJITSU |
| 型号系列 | FTR-C1xA | 品类 | POWER RELAY |
| 描述/说明 | POWER RELAY,2 POLES-2A High insulation/wide gap | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Rated Coil Voltage (VDC) | 3 | Coil Resistance +/- 10% (Ohm) | 32.1 |
| Resistance(Initial).Max | 150mΩ at 1A, 6VDC | Contact rating resistive | 1A, 30VDC / 0.3A, 125VAC |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥9.1982
库存:
3,945
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| 订货型号 | FTR-MYAA024D-M | 品牌 | FUJITSU |
| 型号系列 | FTR-MY Series | 品类 | POWER RELAY |
| 描述/说明 | 1 POLE - 5A Slim Power Relay | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 25 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 触点形式 | 1A | Rated current | 5A |
| Rated Coil Voltage | 24V | Rated Power | 110mw |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥20.2361
库存:
3,000
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| 订货型号 | NY-24W-K-IE | 品牌 | FUJITSU |
| 型号系列 | NY Series | 品类 | POWER RELAY |
| 描述/说明 | POWER RELAY,1 POLE - 5A Slim Type | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 触点形式 | 1A | Rated current | 5A |
| Rated Coil Voltage | 24V | Rated Power | 120mw |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥12.5096
库存:
3,000
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| 订货型号 | NY-12W-K-IE | 品牌 | FUJITSU |
| 型号系列 | NY Series | 品类 | POWER RELAY |
| 描述/说明 | POWER RELAY,1 POLE - 5A Slim Type | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 触点形式 | 1A | Rated current | 5A |
| Rated Coil Voltage | 12V | Rated Power | 120mw |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥19.9969
库存:
2,990
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| 订货型号 | FTR-F3AA005E-HA | 品牌 | FUJITSU |
| 型号系列 | FTR-F3 Series | 品类 | Relay |
| 描述/说明 | 1 POLE-5A Slim Type Relay | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| 触点形式 | 1A | Rated current | 5A |
| Rated Coil Voltage | 5V | Coil Resistance(±10%) | 125Ohm |
| Rated Power | 200mw | ||
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥4.4152
库存:
2,500
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技术支持/研发服务
世强硬创平台整合FUJITSU原厂及授权代理商FAE资源,提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持,响应快、专业强,助力研发高效落地。
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企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供FUJITSU快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务,保障正品供应、响应高效,助力研发与生产无缝衔接。
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加工定制
聚焦企业数据存储定制需求,支持定制分布式存储、集中式存储等存储架构、TB至PB级存储容量及读写速度、并发处理能力等性能指标优化,助力企业数据高效管理。
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支持铲齿散热器鳍片最大加工厚度0.1-10mm,最大宽度600mm,铝挤散热器鳍片最小铝挤厚度5mm,最小鳍片间距1cm;定制散热器产品工艺有热管焊接,穿片,打磨,铲齿,铝挤及CNC加工修边飞面等。
立即提交 铲齿/铝挤散热器定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM128 K (16 K × 8) Bit I2 CMB85RC128A
2015.5
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM1M (128 K × 8) Bit I2C MB85RC1MT
2016.10
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| 技术文档 - 中文 |
铁电随机存储器FRAM 具有丰富量产业绩的、 高质量、高可靠性存储器FRAM
September 2017
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM256 K (32 K × 8) Bit I2C MB85RC256V
2015.10
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| 技术文档 - 英文 |
“FRAM”,高品质、高可靠性的非易失性存储器,具有成熟的制造经验
August 2017
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM16 K (2 K × 8) Bit I2 CMB85RC16
2016.4
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| 数据手册 - 英文 |
1M (128 K × 8) 位 I2C MB85RC1MT 数据手册
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM16 K (2 K × 8) Bit I2 CMB85RC16V
2015.5
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器64 K (8 K × 8) 位 I2C MB85RC64A 数据手册
2015.5
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器256 K (32 K × 8) 位 I2C MB85RC256V 数据手册
2015.10
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器16 K (2 K × 8) 位 I2C MB85RC16V 数据手册
2015.10
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器16 K (2 K × 8) 位 I2C MB85RC16 数据手册
2016.4
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM512K (64 K × 8) Bit I2C MB85RC512T
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
256 K(32 K x 8)位I2C MB85RC256V富士通半导体产品介绍
2018.06
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| 数据手册 - 英文 |
MB85RC256V Memory FRAM 256 K (32 K x 8) Bit I2C
2018.10
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| 数据手册 - 英文 |
MB85RC64TA内存帧64 K(8 K x 8)位I²C
2020.10
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM64 K (8 K × 8) Bit I2C MB85RC64A
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器4 K (512 × 8) 位 I2 CMB85RC04V 数据手册
2015.10
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM64 K (8 K × 8) Bit I2C MB85RC64V
2015.5
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| 数据手册 - 英文 |
MB85RC04 Memory FRAM 4 K (512 x 8) Bit I2C
2019.4
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM4 K (512 × 8) Bit I2C MB85RC04V
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
MB85RC16V Memory FRAM 16 K (2 K x 8) Bit I2C
2018.12
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器64 K (8 K × 8) 位 I2C MB85RC64V 数据手册
2016.1
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器512 K (64 K × 8) 位 I2C MB85RC512T 数据手册
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
MB85RC512T Memory FRAM 512K (64 K x 8) Bit I2C
2019.5
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| 数据手册 - 英文 |
Memory FRAM64 K (8 K × 8) Bit I2C MB85RC64TA
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
64 K(8 K x 8)位I2C MB85RC64TA富士通半导体产品介绍
2018.05
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器1M (128 K × 8) 位 SPI MB85RS1MT 数据手册
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器2M (256 K × 8) 位 SPI MB85RS2MT 数据手册
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器64 K (8 K × 8) 位 SPI MB85RS64 数据手册
2016.1
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| 技术文档 - 英文 |
带框架的无电池智能鞋
2017/12/30
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器16 K (2 K × 8) 位 SPI MB85RS16 数据手册
2016.4
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器16 K (2 K × 8) 位 SPI MB85RS16N 数据手册
2015.12
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器4 M 位 (256 K × 16) MB85R4002A 数据手册
2015.5
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器4 M (256 K × 16) 位 MB85R4M2T 数据手册
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器512K (64 K × 8) 位 SPI MB85RS512T 数据手册
2016.10
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器64 K (8 K × 8) 位 SPI MB85RS64V 数据手册
2016.1
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器256 K (32 K × 8) 位 SPI MB85RS256B 数据手册
2015.12
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| 数据手册 - 英文 |
到铁电存储器128 K (16 K × 8) 位 SPI MB85RS128B 数据手册
2016.1
|
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器 1 M 位 (64 K × 16) MB85R1002A 数据手册
2015.5
|
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| 数据手册 - 英文 |
铁电存储器 4 M 位 (512 K × 8) MB85R4001A 数据手册
2015.5
|
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技术论坛
FUJITSU MB85RC6存储芯片是否已经停产?有替代产品吗?
查看官方回答 >>
电源模块主控需要一款铁电存储器,要求:16 K (2 K × 8) 位 I2C通信,SOP8封装,请推荐。
查看官方回答 >>
请问是否有富士通的铁电存储器MB85RS256BPNF的替换?
查看官方回答 >>
做医疗器械设备,根据行业安全要求,需要实时保存运行状态数据(且要求,突然掉电后、数据要不丢失)。
请问,像这种需要频繁擦、写,且掉电后数据不丢的应用,选用什么样的存储器比较好?
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
铁电随机储存器 FRAM 产品介绍
本文介绍了FRAM(铁电随机存取存储器)的技术特点和应用。FRAM具有非易失性、快速读写、低功耗等优点,适用于各种存储应用。文章详细比较了FRAM与EEPROM、FLASH等存储器的性能差异,并介绍了FRAM在RFID、物联网等领域的应用。此外,文章还介绍了Fujitsu半导体公司生产的FRAM产品及其技术规格。
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FUJITSU Semiconductor FRAM 产品介绍
富士通半导体有限公司提供基于铁电随机存取存储器(FRAM)的存储产品,具有高质量和高可靠性。自1999年开始量产FRAM产品以来,富士通已向全球50多个国家的客户提供了超过200种应用的产品。FRAM产品适用于消费、工业和医疗等领域,包括IC卡、打印机、电力计量表、工业机械、医疗RFID标签、可穿戴设备、工业机器人和无人机等。富士通还提供基于FRAM的解决方案,如RFID LSI和认证LSI,以及电池无线解决方案。FRAM具有快速写入速度、高读写周期耐久性和低功耗等优势,适用于需要连续重写、实时记录和数据鲁棒性的应用。
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FRAM使用介绍
本文介绍了FRAM(铁电随机存取存储器)的基本概念、应用、特性以及解决方案。主要内容包括FRAM的非易失性、高读写耐久性、快速写入速度和低功耗等特性,以及FRAM在汽车、工业、基础设施、商业和消费电子等领域的应用案例。此外,文章还分析了FRAM在满足不同应用需求方面的优势,并提供了针对客户问题的解决方案。
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第三代双倍数据率SDRAM:让您的数据传输事半功倍
AS4C512M8D3通过双倍数据率架构的设计,可根据两个不同时钟对数据进行锁存,通过该种方式,该器件可在与其他普通SDRAM相同时钟频率的情况下,将数据传输速率提升一倍。
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具有串行接口的RAM RFID LSI
本文介绍了FRAM RFID LSI产品,该产品具有内置串行接口,适用于高频和超高频频段。FRAM(铁电随机存取存储器)以其高速读写和长寿命等优点,成为数据存储的理想选择。内置串行接口允许通过微控制器(MCU)与RFID连接,实现数据存储和读取,适用于各种资产管理、生产管理和维护等领域。文章还讨论了串行接口的使用问题,如电池寿命和通信距离,并展望了RFID技术的未来发展方向。
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