P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Si7101DN
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si7101DN
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si7101DN P-Channel 30V MOSFET的SPICE模型，重点阐述了其典型电气特性及仿真参数。该模型覆盖-55°C至125°C的宽温度范围，并在0V至10V脉冲栅极驱动条件下进行了优化，能够精确模拟器件在实际电路中的表现。模型采用了新颖的栅极至漏极反馈电容网络，以精准模拟栅极电荷特性，所有模型参数值均经过优化以提供与测量数据的最佳拟合。在关键性能指标方面，该器件具有1.9V的栅极阈值电压，漏源导通电阻低至0.0055Ω，正向跨导为44S，并具备3570pF的输入电容和55nC的总栅极电荷，适用于对低导通电阻和高效率有严格要求的电路设计场景。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Si7101DN-Vishay Siliconix P沟道30v（D-S）MOSFET
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