P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Si3421DV
●说明：
■所附的SPICE模型描述了p通道垂直DMO的典型电气特性。在脉冲0 V至10 V栅极驱动下，在-55°C至125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅偏压处最适合。
■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时，采用了一种新型的栅漏反馈电容网络来模拟栅电荷特性。所有模型参数值均经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并不打算作为设备的精确物理解释。
●特点
■P通道垂直DMO
■宏模型（子电路模型）
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至+125°C温度范围内精确
■模拟浇口电荷
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SEMTECH ST中低压功率MOS管选型表
选型表 - SEMTECH ST 先之科中低压功率MOS管提供选型：产品涵盖N沟道、P沟道以及双管型号，提供包括DFN3030、DFN5060、TO-220FB、TO-247-3、TOLL等14种先进封装形式，适用于电源管理、电机驱动、LED照明、汽车电子及工业控制等广泛领域。该系列MOS管提供全电压段覆盖，从低压12V到高压200V，满足各类电源拓扑的耐压需求。导通电阻低至0.7mΩ，配合大电流能力514A，可实现高效率的功率开关。栅源阈值电压低至0.3V，兼容3.3V/5V逻辑电平驱动，便于直接与MCU或驱动器接口。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
ESD Protection
|
VDS (V)
|
ID max (A)Tc= 25°C
|
VGS(th) (V)Min
|
VGS(th) (V)Max
|
RDSon(mΩ) at 4.5V/Typ
|
RDSon(mΩ) at 4.5V/Max
|
Qg Typ （nC）
|
|
STM3038N02UA1SK
|
中低压功率MOS管
|
DFN3030
|
N
|
Y
|
12
|
87
|
0.3
|
1
|
2.9
|
3.8
|
79
|
欧创芯（OCX）中低压MOS选型表
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|
产品型号
|
品类
|
封装
|
工艺
|
沟道
|
Vos_Max(V)
|
DMax(A)
|
Ves(t)Typ(V)
|
Ves_Max(V)
|
C iss_Typ(pF)
|
Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
|
Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
|
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OCT2N10TS
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中低压MOS
|
SOT-23
|
Trench
|
N
|
100
|
2.0
|
1.5
|
±20
|
321
|
220
|
250
|
华润微电子N+P MOS选型表
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|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
VDS(V)
|
ID(A)
|
Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
|
CRMM4606
|
N+P沟道MOSFET
|
N+P
|
±30
|
±7
|
25/26
|
30/31.2
|
35/37
|
42/44.4
|
1/-1
|
3/-2
|
10.1
|
382
|
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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