P-Channel 30 V (D-S) MOSFET Si7101DN

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●说明：
■所附的SPICE模型描述了p通道垂直DMO的典型电气特性。在脉冲0 V至10 V栅极驱动下，在-55°C至125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅偏压处最适合。

■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时，采用了一种新型的栅漏反馈电容网络来模拟栅电荷特性。所有模型参数值均经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并不打算作为设备的精确物理解释。

●特点
■P通道垂直DMO
■宏模型（子电路模型）
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至+125°C温度范围内精确
■模拟浇口电荷

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Si7101DN-Vishay Siliconix P沟道30v（D-S）MOSFET

15-Apr-13 - 数据手册 Vishay Siliconix推出的Si7101DN是一款30V P-Channel MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于笔记本适配器开关、笔记本电池管理和负载开关等应用。

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Si7101DN P沟道30v（D-S）MOSFET

15-Apr-13 - 数据手册

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P沟道30v（D-S）MOSFET Si7101DN

15-Apr-13 - 数据手册

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P沟道30V（D-S）MOSFET Si7625DN

22-Mar-10 - 数据手册本文介绍了Vishay Siliconix公司推出的新型Si7625DN P-Channel 30V MOSFET。该产品采用TrenchFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能，适用于笔记本电脑适配器开关和笔记本负载开关等应用。

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P沟道30V（D-S）MOSFET Si7121ADN

30-Dec-13 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si7121ADN P-Channel 30V MOSFET产品。该产品采用TrenchFET技术，具有低热阻PowerPAK®封装，适用于笔记本计算机和移动计算设备等应用。资料详细描述了产品的特性、应用领域、热阻、电气参数等。

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P沟道30v（D-S）MOSFET硅4491edy

01-Oct-12 - 数据手册该资料介绍了Vishay Siliconix公司推出的一款新型P-Channel 30V (D-S) MOSFET，型号为Si4491EDY。该产品具有扩展的VGS范围、极低的RDS(on)和TrenchFET® Power MOSFET技术，适用于适配器开关、负载开关等应用。

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P沟道30V（D-S）MOSFET Si4483ADY

08-Nov-10 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si4483ADY型号P-Channel 30V (D-S) MOSFET。该产品是一款 trenchFET® 功率MOSFET，具有低导通电阻、高可靠性等特点，适用于适配器开关等应用。

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P沟道30v（D-S）MOSFET Si1471DH

22-Mar-10 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si1471DH型号P-Channel 30V MOSFET。该产品采用TrenchFET®技术，符合RoHS指令，适用于便携式设备的负载开关等应用。资料详细描述了产品的电气特性、热特性、封装信息以及推荐的应用电路。

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Si4483ADY-Vishay Siliconix P沟道30v（D-S）MOSFET

08-Nov-10 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si4483ADY型号P-Channel 30 V (D-S) MOSFET。资料涵盖了产品的特性、规格、应用领域以及封装信息。

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P沟道30V（D-S）MOSFET Si7153DN

14-Apr-14 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix的Si7153DN P-Channel 30 V (D-S) MOSFET产品。该产品采用TrenchFET Gen. III技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热性能。资料详细描述了产品的特性、规格、应用领域和封装信息。

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P沟道30V（D-S）MOSFET SiSS27ADN

12-Sep-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiSS27ADN型号P-Channel 30V (D-S) MOSFET。该产品采用TrenchFET® Gen III技术，具有低热阻PowerPAK®封装，适用于电池管理、适配器和充电器开关等应用。

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P沟道30v（D-S）MOSFET硅4497dy

22-Mar-10 - 数据手册 Vishay Siliconix推出新型Si4497DY P-Channel 30V MOSFET，采用TrenchFET®技术，具备低导通电阻和快速开关特性。产品适用于适配器开关、高电流负载开关和笔记本电脑等应用。

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XNRUSEMI（新锐半导体）SGT MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供SGT MOSFET选型。产品涵盖N沟道与P沟道，包含高压及中低压系列。VDS范围涵盖-100V至200V，支持PDFN33、PDFN56、SOP8、SOT23、TO252、TO220、TOLL等多种封装。具备低导通电阻特性，适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	ID(A)
XRS60N03D	SGT MOSFET	PDFN3*3	Single	N	30	±20	1.8	5	6.9	62

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

XNRUSEMI（新锐半导体）N+P MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供N+P MOSFET选型。产品涵盖20V、30V、40V、60V、100V、150V电压等级，导通电阻5.5mΩ-650mΩ，电流3A-50A。封装包含SOT23-6L、SOP8、TO252-4L、PDFN22、PDFN33、PDFN5*6。具备互补配置、低导通电阻特性，适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=10V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	ID(A)
XR60G20F	N+P MOSFET	PDFN5*6	Complementary	N+P	60/-60	±20/±20	2.5/-2.5	25/42	31/55	20/-20

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

XNRUSEMI（新锐半导体）MOSFET选型表

选型表 - XNRUSEMI 新锐半导体提供MOSFET选型。产品涵盖N沟道及P沟道，包含ESD保护及双管配置。电压范围-200V至200V，支持SOT23、SOT89、SOP8、TSSOP8、PDFN33、PDFN56、TO252、TO220、TO263、TO247等多种封装。适用于电机驱动、电源管理及开关电路等应用场景。

产品型号	品类	Package Type	Configuration	MOSFET Type	VDS(V)	VGS(V)	Vth typ.(V)	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=4.5V	RDS(ON) (mΩ) typ. at VGS=2.5V	ID(A)
XR2010S	MOSFET	SOP8	Single	N	20	±12	0.7	12	17	8