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Si3417DV P沟道30 V（D-S）MOSFET
2013-08-12 - 数据手册
VISHAY - TRENCHFET功率MOSFET,P沟道30V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,TRENCHFET POWER MOSFET,SI3417DV,ADAPTOR SWITCH,CONSUMER,负荷开关,DC/DC变换器,转接开关,移动计算,LOAD SWITCHES,DC/DC CONVERTER,MOBILE COMPUTING,消费
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我正在使用Silicon Labs Si3402，现正在关注元件价格和可用性。我们发现一种替代性光电耦合器（Toshiba TLP291 GB 分类），它比Silicon Labs的 EVB 上的 NEC (CEL) PS2911-1-L 便宜得多，所以想确认一下，更换该元件是否可能对反馈回路稳定性产生重大影响？
2019-08-27 - 技术问答 问题中所提到的的光电耦合器在 5mA 下的额定 CTR 为 100-400%。此 CTR 范围过宽，并且由于实际偏置约为 0.5mA，规格条件与使用条件相差相当大，如果 CTR 下降过大，可能导致产量损失。Silicon Labs的设计针对 PS2911-1-L 进行了优化，其在 1mA 下的 CTR 为 150-300。因此，更好的替代品是 Vishay VOM618-A。该部件的 -4 版本在 1mA 下的 CTR 为 160-320。
P沟道30v（D-S）MOSFET Si3417DV
07-Oct-13 - 数据手册 本资料提供Vishay Siliconix公司生产的Si3417DV P-Channel 30V (D-S) MOSFET的SPICE模型，描述了该器件的典型电气特性。模型适用于-55°C至125°C的温度范围，并在0V至10V的脉冲栅极驱动下优化。模型包括门电荷特性，并优化以提供最佳拟合的测量数据。
VISHAY - P沟道30V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,SI3417DV
规格比较Si3493BDV与Si3493DV
22-Feb-07 - 快速参考指南 本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel 20V (D-S) MOSFET，Si3493BDV和Si3493DV。两款产品具有相同的TSOP-6封装和引脚配置。主要比较了绝对最大额定值、静态和动态规格、开关特性等参数。资料中提供了详细的技术参数，包括漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、功率耗散、栅极阈值电压、导通电阻、总栅极电荷等。同时，资料也提醒设计者应参考各自的数据表以获取保证的性能规格。
VISHAY - SI3493BDV-T1-E3,SI3493BDV,SI3493DV-T1,SI3493DV-T1-E3,SI3493DV
P沟道30v（D-S）MOSFET
12-Aug-13 - 数据手册 Si3417DV是Vishay Siliconix公司生产的P-Channel 30V MOSFET，具有低导通电阻、高开关性能和良好的热性能。该产品适用于负载开关、适配器开关、DC/DC转换器等应用。
VISHAY - P沟道30V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,SI3417DV,ADAPTOR SWITCH,CONSUMER,负荷开关,DC/DC变换器,转接开关,移动计算,LOAD SWITCHES,DC/DC CONVERTER,MOBILE COMPUTING,消费
Si3460DDV与Si3460BDV的规格比较
09-Apr-10 - 快速参考指南 本资料对比了Vishay Siliconix的两种N-Channel 20V (D-S) MOSFET：Si3460DDV和Si3460BDV。两者封装、引脚排列相同，但Si3460DDV在连续漏极电流、功率耗散等参数上略优于Si3460BDV。资料提供了绝对最大额定值和详细规格参数，包括静态和动态特性，但强调这些比较仅供参考，不构成性能保证。
VISHAY - SI3460DDV,SI3460DDV-T1-GE3,SI3460BDV-T1-GE3,SI3460BDV
Si3483CDV与Si3483DV的规格比较
20-Jul-09 - 快速参考指南 本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel 30V (D-S) MOSFET，Si3483CDV与Si3483DV。两款产品具有相同的TSOP-6封装和引脚配置，部分参数如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流等在绝对最大额定值上相同。在静态和动态参数方面，两款产品存在细微差异，如栅极阈值电压、导通电阻、总栅极电荷等。资料提醒设计者应参考各自的数据表以获取保证的性能规格。
VISHAY - SI3483CDV,SI3483DV
Si3417DV Vishay Siliconix P沟道30V（D-S）MOSFET
12-Aug-13 - 数据手册 本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si3417DV P-Channel 30V MOSFET产品。该产品采用TrenchFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于负载开关、适配器开关、DC/DC转换器等应用。
VISHAY - P沟道30V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,SI3417DV-T1-GE3,SI3417DV,ADAPTOR SWITCH,负荷开关,DC/DC变换器,转接开关,LOAD SWITCHES,DC/DC CONVERTER,MOBILE COMPUTING/CONSUMER,移动计算/消费者
规格比较Si3458BDV与Si3458DV
29-Feb-08 - 快速参考指南 本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款N-Channel, 60-V (D-S) MOSFET，Si3458BDV和Si3458DV。两款产品具有相同的TSOP-6封装和引脚配置。资料中详细列出了两款的绝对最大额定值、静态和动态规格参数，包括漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流、功率耗散等。同时，资料也指出了部分参数在原始数据表中未指定。
VISHAY - SI3458BDV,SI3458DV,SI3458BDV-T1-E3,SI3458DV-T1,SI3458DV-T1-E3
Si3457CDV与Si3457BDV的规格比较
20-Jul-09 - 快速参考指南 本资料对比了Vishay Siliconix公司生产的两款P-Channel，30V（D-S）MOSFET，分别为Si3457CDV和Si3457BDV。两者封装、引脚排列相同，部分参数如漏源电压、栅极-源极电压、连续漏极电流等绝对最大额定值相同。在静态特性方面，两款产品在栅极阈值电压、栅极-体泄漏电流、零栅极电压漏极电流、导通状态漏极电流、漏源导通电阻等方面存在细微差异。动态特性方面，两款产品在总栅极电荷、栅极-源极电荷、栅极-漏极电荷、栅极电阻等方面也有所不同。资料提醒设计者应参考相应数据手册以获取保证的性能规格限制。
VISHAY - SI3457BDV,SI3457CDV-T1-E3,SI3457CDV-T1-GE3,SI3457BDV-T1-E3,SI3457CDV,I3457BDV-T1-GE3,SI3457BDV-T1
P沟道30V（D-S）MOSFET数据表
12-Aug-13 - 数据手册
VISHAY - P沟道30V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET,SI3417DV-T1-GE3,SI3417DV,MO-193C,ADAPTOR SWITCH,负荷开关,DC/DC变换器,转接开关,移动计算,移动消费,MOBILE CONSUME,LOAD SWITCHES,DC/DC CONVERTER,MOBILE COMPUTING
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有可以完全替换VISHAY的Si3464DV-T1-GE3这个芯片吗？
2023-03-27 - 技术问答 推荐捷捷微JMTM8810KS，数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3363091.html
欧创芯（OCX）中低压MOS选型表
选型表 - 欧创芯 欧创芯提供中低压MOSFET选型。耐压60~100V，连续漏极电流2~50A，采用Trench沟槽工艺，阈值电压1.5~1.8V，栅源耐压±20V，提供SOT-23、SOT-23-3L、TO-252-3L封装。导通电阻低至12mΩ@VGS=10V，输入电容321~2030pF。适用于电源管理、电机驱动及LED驱动等功率开关场景。
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产品型号
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品类
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封装
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工艺
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沟道
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Vos_Max(V)
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DMax(A)
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Ves(t)Typ(V)
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Ves_Max(V)
|
C iss_Typ(pF)
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Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)
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Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
|
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OCT2N10TS
|
中低压MOS
|
SOT-23
|
Trench
|
N
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100
|
2.0
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1.5
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±20
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321
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220
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250
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华润微电子N+P MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。
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产品型号
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品类
|
Polarity
|
VDS(V)
|
ID(A)
|
Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)
|
Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
|
CRMM4606
|
N+P沟道MOSFET
|
N+P
|
±30
|
±7
|
25/26
|
30/31.2
|
35/37
|
42/44.4
|
1/-1
|
3/-2
|
10.1
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382
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华润微电子N+N MOS选型表
选型表 - 华润微电子 华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。
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产品型号
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品类
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Polarity
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VDS(V)
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ID(A)
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Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)
|
Min VGS(TH) (V)
|
Max VGS(TH) (V)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
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CRMM9926
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N+N沟道MOSFET
|
N+N
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20
|
7
|
25
|
30
|
0.4
|
1
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7.2
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361
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现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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