P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si2365EDS
发布时间：
2018-03-14
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
VISHAY（威世）
型号：
Si2365EDS
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司推出的Si2365EDS SPICE模型，该模型精准描述了20V P-Channel垂直DMOS的典型电气特性。该模型专为-55°C至+125°C的宽温度范围设计，并针对0V至5V的脉冲栅极驱动进行了深度优化。技术层面，资料指出模型采用了新颖的栅极至漏极反馈电容网络，以有效模拟栅极电荷特性，同时通过优化所有模型参数，确保了仿真结果与实际性能的最佳拟合，从而为电路设计提供高精度的参考依据。Vishay在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该模型，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Si2365EDS P沟道20 V（D-S）MOSFET
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Si2365EDS P沟道20 V（D-S）MOSFET
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Si2365EDS P沟道20 V（D-S）MOSFET
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P沟道第三代MOSFET聚焦产品
2017/11/03
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si2365EDS
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si2365EDS
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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表
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Si2365EDS Vishay Siliconix P沟道20V（D-S）MOSFET
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Si2365EDS Vishay Siliconix P沟道20V（D-S）MOSFET
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突破性P沟道技术大幅降低RDS（on）
2017/11/03
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5457DC
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si5457DC
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si8461DB
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si1469DH
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P沟道20v（D-S）MOSFET Si1427EDH
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P沟道20V（D-S）MOSFET Si7655ADN
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P沟道20v（D-S）MOSFET Si1317DL
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P沟道20v（D-S）MOSFET硅1467dh
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