P-Channel 20 V (D-S) MOSFET Si2365EDS

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●说明：
■所附的SPICE模型描述了p通道垂直DMO的典型电气特性。在脉冲0 V至5 V栅极驱动下，在-55°C至+125°C温度范围内提取并优化了子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅偏压处最适合。

■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时，采用了一种新型的栅漏反馈电容网络来模拟栅电荷特性。所有模型参数值均经过优化，以提供与测量的电气数据的最佳拟合，并不打算作为设备的精确物理解释。

●特点
■P通道垂直DMO
■宏模型（子电路模型）
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至+125°C温度范围内精确
■模拟浇口电荷

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P沟道20V（D-S）MOSFET Si2365EDS

01-Jul-13 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si2365EDS型号P-Channel 20V MOSFET。该产品是一款TrenchFET® Power MOSFET，具有内置ESD保护，适用于便携式和消费电子产品中的电源管理。

VISHAY - P沟道20V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET,SI2365EDS,POWER MANAGEMENT,负荷开关,DC/DC CONVERTERS,电源管理,DC/DC变换器,LOAD SWITCHES

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P沟道第三代MOSFET聚焦产品

2017/11/03 - 技术文档 Vishay Intertechnology推出第三代P-Channel MOSFET，具有低导通电阻、高效率、长电池续航等优势。产品包括单通道和双通道MOSFET，适用于负载开关、适配器开关、电池开关、充电器开关等应用。产品特点包括最佳面积导通电阻、热增强设计、高电流处理能力等。

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P沟道20V（D-S）MOSFET数据表

01-Jul-13 - 数据手册

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Si2365EDS P沟道20 V（D-S）MOSFET

01-Jul-13 - 数据手册

VISHAY - P沟道20V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET,SI2365EDS,SI2365EDS-T1-GE3,负荷开关,DC/DC CONVERTERS,DC/DC变换器,笔记本电脑和消费类电子产品的电源管理,LOAD SWITCHES,POWER MANAGEMENT FOR PORTABLE AND CONSUMER

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Si2365EDS Vishay Siliconix P沟道20V（D-S）MOSFET

01-Jul-13 - 数据手册该资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si2365EDS型号P-Channel 20V MOSFET的特性、规格和应用。资料中包含了产品的绝对最大额定值、电气特性、热阻率、典型特性曲线以及封装信息。

VISHAY - P沟道20V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET,SI2365EDS,SI2365EDS-T1-GE3,负荷开关,DC/DC CONVERTERS,DC/DC变换器,LOAD SWITCHES

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突破性P沟道技术大幅降低RDS（on）

2017/11/03 - 数据手册

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P沟道20v（D-S）MOSFET硅1467dh

22-Mar-10 - 数据手册该资料介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si1467DH型号P-Channel 20V (D-S) MOSFET。资料详细描述了该产品的特性，包括其电气参数、封装类型、应用领域等，并提供了典型特性曲线和封装信息。

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P沟道20v（D-S）MOSFET SiA459EDJ Vishay Siliconix

14-Oct-13 - 应用笔记或设计指南本资料详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的SiA459EDJ型号P-Channel 20V (D-S) MOSFET的特性、规格和应用。该器件采用TrenchFET®技术，具有低导通电阻和增强的热性能，适用于便携式设备、DC/DC转换器和电池开关等应用。资料中包含了绝对最大额定值、热阻评级、典型特性曲线和封装信息。

VISHAY - SIA459EDJ

P沟道20V（D-S）MOSFET Si1469DH

22-Mar-10 - 数据手册本资料介绍了Vishay Siliconix的Si1469DH P-Channel 20 V (D-S) MOSFET产品。该产品采用TrenchFET®技术，符合RoHS指令，适用于便携式设备的负载开关等应用。资料详细介绍了产品的规格、特性、典型特性、封装信息以及推荐的应用信息。

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P沟道20v（D-S）MOSFET SiA445EDJ Vishay Siliconix

26-Dec-11 - 应用笔记或设计指南 Vishay Siliconix推出新型SiA445EDJ P-Channel 20V MOSFET，采用TrenchFET® Power MOSFET技术，具有低导通电阻、小型封装和增强的热性能。产品适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备等应用，符合RoHS指令，提供ESD保护。资料详细介绍了产品的特性、规格、典型特性和封装信息。

VISHAY - SIA445EDJ

P沟道20V（D-S）MOSFET SiA429DJT

11-Apr-11 - 数据手册 Vishay Siliconix推出新型SiA429DJT P-Channel 20 V (D-S) MOSFET，采用TrenchFET® Power MOSFET技术和Thermally Enhanced PowerPAK®封装，具有低导通电阻、小型化设计等特点，适用于便携式设备负载开关和充电器开关等应用。

VISHAY - P沟道20V（D-S）MOSFET,P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET,SIA429DJT,LOAD SWITCH,DC/DC变换器,充电器开关,DC/DC CONVERTER,负载开关,CHARGER SWITCH

P沟道20V（D-S）MOSFET Si3443DDV Vishay Siliconix安装小脚TSOP-6功率MOSFET AN823

28-Apr-14 - 应用笔记或设计指南该资料详细介绍了Vishay Siliconix生产的Si3443DDV型P沟道20V MOSFET的特性、规格和应用。资料包括产品概述、特性、应用、绝对最大额定值、热阻等级、典型特性曲线、封装信息和安装指南。主要内容包括产品参数、电气特性、热性能和系统影响。

VISHAY - AN823,SI3443DDV

欧创芯（OCX）中低压MOS选型表

选型表 - 欧创芯欧创芯提供中低压MOSFET选型。耐压60~100V，连续漏极电流2~50A，采用Trench沟槽工艺，阈值电压1.5~1.8V，栅源耐压±20V，提供SOT-23、SOT-23-3L、TO-252-3L封装。导通电阻低至12mΩ@VGS=10V，输入电容321~2030pF。适用于电源管理、电机驱动及LED驱动等功率开关场景。

产品型号	品类	封装	工艺	沟道	Vos_Max(V)	DMax(A)	Ves(t)Typ(V)	Ves_Max(V)	C iss_Typ(pF)	Rps(ON)_Typ @VGS=10V(mΩ)	Ros(OMLTyp@VGS=4.5V(mΩ)
OCT2N10TS	中低压MOS	SOT-23	Trench	N	100	2.0	1.5	±20	321	220	250

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

华润微电子N+P MOS选型表

选型表 - 华润微电子华润微电子提供N+P沟道MOSFET选型表。涵盖CRM及CRMD系列器件，耐压±30V至±100V，电流±4A至±28A。提供VGS=10V及5V条件下的导通电阻、阈值电压、栅极电荷与输入电容等核心参数。适用于需精确控制导通损耗与开关速度的电路设计场景。

Typ RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)

Max RDS(ON)@VGS=10V(mΩ)

Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)

Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

华润微电子N+N MOS选型表

选型表 - 华润微电子华润微电子提供N+N沟道MOSFET器件选型，涵盖CRMM9926、CRMV0318D、CRME0402D、CRMD0041S等型号。核心参数：VDS 20V–100V，ID 4A–48A，RDS(ON)@VGS=10V典型值7.2mΩ–86.4mΩ，VGS(TH)最小0.4V–1.5V、最大1V–3V，Qg 7.2nC–62.5nC，Ciss 318pF–2350pF。产品覆盖低压小功率至高压大电流场景，高耐压型号RDS(ON)和Qg偏高，大电流型号如CRMD0041S（48A）RDS(ON)仅12mΩ typ但Ciss达1726pF。适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换等，用户可按耐压、电流、效率、开关速度筛选最优型号。

产品型号	品类	Polarity	VDS(V)	ID(A)	Typ RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)	Max RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)	Min VGS(TH) (V)	Max VGS(TH) (V)	Qg(nC)	Ciss(pF)
CRMM9926	N+N沟道MOSFET	N+N	20	7	25	30	0.4	1	7.2	361