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Si2365EDS Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
发布时间: 2018-05-29
类型: 数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
VISHAY(威世)
型号:
Si2365EDS; Si2365EDS-T1-GE3
本数据手册详细介绍了Vishay Siliconix公司生产的Si2365EDS型号P-Channel 20V MOSFET的技术规格与应用特性。该器件采用TrenchFET® Power MOSFET工艺制造,具备优异的电气性能与热阻表现,并内置ESD保护功能,典型ESD性能可达3000V,且经过了100% Rg测试以确保可靠性。资料详细列出了产品的电气参数、封装信息及典型特性曲线,明确指出其适用于便携式和消费类电源管理、负载开关以及DC/DC转换器等场景。Vishay在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该器件,用户可通过平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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Si2365EDS P沟道20 V(D-S)MOSFET
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P沟道第三代MOSFET聚焦产品
2017/11/03
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P沟道20V(D-S)MOSFET数据表
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Si2365EDS Vishay Siliconix P沟道20V(D-S)MOSFET
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突破性P沟道技术大幅降低RDS(on)
2017/11/03
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P沟道20V(D-S)MOSFET Si5457DC
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P沟道20v(D-S)MOSFET硅1467dh
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