HM603K N&P-Channel complementary Power MOSFET
发布时间：
2024-08-26
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HM603K
本数据手册详细介绍了HM603K N沟道和P沟道互补功率MOSFET的技术特性与应用优势。该器件采用先进的沟槽工艺与高密度单元设计，具备极低的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷特性，能够有效降低导通损耗并提升能效。在具体参数方面，其N沟道MOSFET支持60V漏源电压和20A连续漏极电流，P沟道支持-60V电压和-15A电流，且在10V和4.5V驱动电压下均表现出优异的导通性能。此外，该产品经过完全表征的雪崩电压和电流测试，在高EAS（单脉冲雪崩能量）下展现出良好的稳定性与均匀性，并辅以特殊工艺技术提供高ESD防护能力，配合优秀的封装设计，确保了良好的散热性能。HM603K主要适用于H桥、逆变器等对功率密度和能效要求较高的电力电子场景。针对该器件，相关品牌在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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| 订货型号 | HM603K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM603系列 | 品类 | 大功率中压大电流N+P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,左右结构,N:20A/P:15A,耐压60V,低开启 | 封装/外壳/尺寸 | TO-252-4L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | N：20A/P：15A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.2942
库存：
30
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| 订货型号 | HM4453A | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4453系列 | 品类 | 中功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | P沟道,21A,20V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | 21A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0695
库存：
240
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| 订货型号 | HMS6N10PR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS6N10系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,6A,耐100V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 6A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5130
库存：
50
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| 订货型号 | HMS4N10MR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4N10系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,4A,耐100V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-3L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.4706
库存：
50
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| 订货型号 | HM9N20 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM9N20 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,9A,耐200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM9N20K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM9N20系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,9A,耐200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.8883
库存：
50
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| 订货型号 | HM8N20A | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM8N20系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,8A,耐200V,低开启版本 | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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| 订货型号 | HM8N20K | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM8N20系列 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,8A,耐200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-252 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.8448
库存：
50
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HM603K N和P沟道互补功率MOSFET
2022/11/6
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| 技术文档 - 中文 |
全桥/半桥驱动MOS N+P/双N/双P沟道 中压大电流MOS
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| 数据手册 - 中文 |
全桥/半桥驱动MOS
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N20/HM60N20F 200V N沟道MOSFET
2024/4/2
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| 技术文档 - 中文 |
全桥/半桥驱动MOS 和 双N/ 双P/ N+P沟道中压大电流 MOS
2024/11/13
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| 数据手册 - 英文 |
HM609K N和P沟道V互补MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
N和P沟道V互补MOSFET
2026/02/04
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| 数据手册 - 英文 |
N和P沟道V互补MOSFET
2025/06/30
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| 数据手册 - 英文 |
N和P沟道V互补MOSFET
2025/05/08
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| 数据手册 - 英文 |
N和P沟道V互补MOSFET
2025/05/08
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| 数据手册 - 英文 |
HM607K N和P沟道V互补MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM607K N和P沟道V互补MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM609K双通道N+P增强型MOSFET
2022/11/6
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| 数据手册 - 英文 |
HM60P06 P沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N08 N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM60P06K P沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N04 N沟道增强型功率MOSFET
2022/11/10
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N03 N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N05 N沟道增强型功率MOSFET
2022/11/10
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N03D N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N02
2022/11/10
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N06
2022/11/10
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| 数据手册 - 英文 |
HM605K N和P沟道V互补MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N03K N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N02K
2022/11/10
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N06K
2022/11/10
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N05K N沟道增强型功率MOSFET
2022/11/10
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| 数据手册 - 英文 |
HM60N04K N沟道增强型功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HM610K N和P沟道互补功率MOSFET
2023/7/28
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| 数据手册 - 英文 |
N和P沟道互补功率MOSFET
2025/06/30
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
全桥&半桥驱动MOS 和 双N&双P&N+P沟道中压大电流MOS 产品宣传广告20241106
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
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深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线，涵盖800多款产品型号，包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。
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【应用】N和P沟道V互补MOSFET HM607K助力缩小H型电桥电机控制电路设计面积，具有超低漏源导通电阻
虹美功率拥有双芯合封的技术，使得一个HM607K芯片内同时包含P-MOS管和N-MOS管，H型电桥的上桥臂用P-MOS管，而下桥臂用N-MOS管，方便简化了控制电路的设计，同时使H型电桥控制电路的设计面积进一步缩小。
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