HMS/HMG/HMM 储能/BMS/电动车功率器件选型指南
发布时间：
2026-04-29
类型：
选型指南，选型手册、器件选型指南、产品选择指南
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMS330N10/D/LL; HMS260N10/D/LL; HMS430N85LL; HMS310N85/D/LL; HMS330N06/D/LL; HMS320N04/D/G/LL; HMS280N12LL; HMS300N15LL; HMS250N15LL; HMS230N15/D/LL; HMS150N20LL; HMS160N10/ D; HMS135N10/ D/G/K; HMS120N10/ D/G/K; HMS85N10/ D/G/K; HMS80N10/ D/G/K; HMS135N85/ D/G/K; HMS120N85/ D/G/K; HMS100N85/ D/G/K; HMS80N85/ D/G/K; HMS100N15/ D; HMS100N20/ D; HMS80N25/ D; HMG160N65FT3; HM200N75AT3; HM75N120FT3; HMS40N65T; HMS65N65T; HMM120N65T/T4; HMM75N120T4; HMM125N120T; HMM165N120T4; HMM75N170T; HMM85N170T
虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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| 订货型号 | HMM65N120T | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMM65N120T | 品类 | SiC MOS |
| 描述/说明 | N沟道SiC MOS,VDS(Max):1200V;ID(Max):65A;IDM:120A;VTH(Typ):2.5A;VGS:-8V/+19V;Typ Rds(on):32mΩ;Qg(tot):114nC;Coss:129pF。 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247-3 |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS(Max) | 1200V | ID(Max) | 65A |
| IDM | 120A | VTH(Typ) | 2.5A |
| VGS | -8V/+19V | Typ Rds(on) | 32mΩ |
| Qg(tot) | 114nC | Coss | 129pF |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HMS3N70R2 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS3N70R2 | 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,3A,耐压700V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | SOT223-2L |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 700V | ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥1.0165
库存：
50
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| 订货型号 | HMS65N65T | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS65N65系列 | 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,65A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 30 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V | ID（A） | 65A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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原厂认证
价格：
￥18.5236
库存：
20
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| 订货型号 | HMS40N65T | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS40N65系列 | 品类 | 高压超结N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,40A,耐压650V,超结MOS/COOL MOS,多层外延工艺,内阻比同型号平面工艺MOS小一半,结电容低,开关损耗低,响应速度快,抗冲击性能强,带ESD保护 | 封装/外壳/尺寸 | TO-247 |
| 最小包装量 | 30 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 650V | ID（A） | 40A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
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价格：
￥10.8236
库存：
20
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| 订货型号 | HMG160N65FT3 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMG160N65FT3 | 品类 | N-IGBT高速开关 |
| 描述/说明 | N-IGBT高速开关,沟槽电场截止型,Vces(Max):650V,Vges:30V,Vge(th):5V,Ic(Typ/100℃):160A | 封装/外壳/尺寸 | TO-247Plus-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vces(Max) | 650V | Vges | 30V |
| Vge(th) | 5V | Ic(Typ/100℃) | 160A |
| Ic(Max/25℃) | 320A | Icm(Max) | 640A |
| Pd(Max) | 840W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HM75N120FT3 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM75N120FT3 | 品类 | N-IGBT高速开关 |
| 描述/说明 | N-IGBT高速开关,沟槽电场截止型,Vces(Max):1200V,Vges:30V,Vge(th):5V,Ic(Typ/100℃):75A | 封装/外壳/尺寸 | TO-247Plus-3L |
| 最小包装量 | 1 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vces(Max) | 1200V | Vges | 30V |
| Vge(th) | 5V | Ic(Typ/100℃) | 75A |
| Ic(Max/25℃) | 150A | Icm(Max) | 300A |
| Pd(Max) | 780W | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | HM4453A | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4453系列 | 品类 | 中功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | P沟道,21A,20V | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V | ID（A） | 21A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.0695
库存：
240
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| 订货型号 | HMS6N10PR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS6N10系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,6A,耐100V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOT-89 |
| 最小包装量 | 1,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 6A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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原厂认证
价格：
￥0.5130
库存：
50
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| 订货型号 | HMS4N10MR | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4N10系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,4A,耐100V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOT23-3L |
| 最小包装量 | 3,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.4706
库存：
50
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| 订货型号 | HM9N20 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM9N20 | 品类 | 大功率中压大电流P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,9A,耐200V | 封装/外壳/尺寸 | TO-220 |
| 最小包装量 | 50 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 200V | ID（A） | 9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥1.0589
库存：
50
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加工定制
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加工尺寸范围2~15英寸，产品有效加工尺寸：半断加工：2MM*600MM*900MM；全断加工：30MM*1600MM*2500MM；
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2026/02/04
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2026/02/04
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下载 |
| 数据手册 - 英文 |
N沟道超沟道功率MOSFET
2024/12/02
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| 技术文档 - 中文 |
HMS/HMG/HMM系列 储能/BMS/电动车SGT MOS/IGBT单管/超结MOS/Sic MOS选型参考
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| 数据手册 - 英文 |
HMS310N85、HMS310N85D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
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| 数据手册 - 英文 |
HMS260N10、HMS260N10D N沟道Super Trench II功率MOSFET
2023/6/12
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| 技术文档 - 英文 |
HMS40N10QA N沟道超沟槽功率MOSFET
v1.0
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线，涵盖800多款产品型号，包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。
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【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4N10MR可用于LED照明，总栅极电荷仅为58nC
虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4N10MR总栅极电荷小，漏源电压高，结到环境的热阻小，从而可以支持LED照明系统采用PWM进行控制，支持更多的LED灯珠串联，提高了LED照明系统的最大亮度，以及可靠性，寿命，也使得LED照明更护眼。
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【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4488 MOSFET用于快速充电桩，RDS典型值57mΩ
虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4488 MOSFET用于快速充电桩，RDS典型值57mΩ，具有功耗低，结电容低，响应速度快等特点，完全满足客户新的快充桩开关电源的设计需求，提升了快充桩开关电源的功耗表现和性能表现，提升了了客户产品的市场竞争力。
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换，用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案
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【应用】虹美SGT MOS用于能源储存和消费电子领域，具有低导通电阻和低开关损耗的特点，可实现高效能源转换
在当今快节奏的现代生活中，能源储存和消费电子领域的需求持续增长。虹美提供高性价比SGT MOS。这些创新产品不仅在性能和可靠性方面居于行业前沿，更为BMS、能源储存和消费电子市场提供了出色的解决方案。
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MDD辰达半导体推出SGT MOS，专注5G基站电源应用
MDD辰达半导体推出多款SGT MOSFET产品，专为满足5G基站电源系统对高效率、低损耗及小型化的需求。产品涵盖PFC、Flyback及同步整流线路推荐，具备导通电阻极低、高电流能力及优异开关性能等优势。
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鲁光40V/280A LGE280N04N SGT MOS具有极高功率密度和更优抗振荡能力，应用于无人机
鲁光LGE280N04N主要应用无人机的结构由机身、动力系统、飞行控制系统、链路系统、任务载荷等几个方面组成的。无人机动力系统中的电机，俗称“电条”，是无人机的动力来源，无人机通过改变电机的转速来改变无人机的飞行状态。
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为什么全桥电路更适合用超结MOS？
全桥电路通过四个开关管实现直流转交流，广泛应用于电力电子领域。超结MOS因低导通损耗、低栅极电荷、快速开关特性及优异的反向恢复性能，更适合高频大功率场景，可提升系统效率与可靠性。
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工业低频应用的“能效密码”？扬杰科技大电流G3 1.6um微沟槽IGBT单管带来答案！
扬杰科技推出基于G3 1.6μm微沟槽工艺的1200V IGBT单管，采用To-247PLUS封装，具备低导通损耗、高参数一致性及强短路能力，适用于伺服控制器与变频器等中低频应用领域。
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碳化硅MOS栅极氧化原因和防范优化
深入分析碳化硅MOSFET栅极氧化原因，包括材料界面、高温工艺及电场应力影响，探讨阈值漂移与可靠性下降等危害，并提出优化氧化工艺、改进结构设计及封装保护等防范措施。
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卓越EMI特性！650V 6A IGBT单管XD006H065CX2G3 产品介绍
在节能与静音并重的时代，一款低电磁干扰的IGBT正在成为高端家电的“标配”。在家电产品日益追求高效节能与静音运行的今天，电磁兼容性（EMC）已成为产品设计的关键考量。电磁干扰（EMI）如同电子设备的“电子烟雾”，不仅影响周边电子设备的正常工作，更关系到产品的稳定性与用户体验。我们推出的 XD006H065CX2G3 产品，正是为应对这一挑战而生。
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MOS管在大功率电源上的应用
本文介绍了大功率电源的定义、典型LLC谐振拓扑电路及其电流方案产品推荐。大功率电源广泛应用于工业自动化、军工、科研、LED照明等多个领域。推荐产品包括伯恩半导体的超结MOS、碳化硅肖特基二极管及低压SGT-MOS系列产品，适用于PFC、初级高压MOS及同步整流部分。
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应用案例 | 龙腾半导体SGT MOS LSGT085R018赋能5500W高效农用无人机
龙腾半导体SGT MOSFET LSGT085R018在新一代5500W农业无人机平台中的应用。该器件凭借超低导通电阻、高耐压与雪崩能力、优异散热及高功率密度特性，满足了无人机对效率、可靠性与紧凑设计的严苛要求。
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【新品发布】UTC：500V-900V 带快速体二极管的超结MOS
UTC推出500V-900V带快速体二极管的超结MOS系列，采用多层外延工艺，具备低导通电阻、低Qg和Qrr特性，支持高效率、高功率密度电源设计，适用于光伏逆变器、直流充电桩、车载充电机等高压应用场景。
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超结MOS在AGV无人搬运车上的应用
AGV又称AGV无人搬运车、自动装卸车、搬运机器人等。指装备有电磁或光学等自动导引装置，能够沿规定的导引路径行驶，具有安全保护以及各种移载功能的运输车，工业应用中不需驾驶员的搬运车，以可充电的蓄电池作为其动力来源。本文介绍超结MOS在AGV无人搬运车上的应用
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HMS/HMM系列 功率器件选型参考
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XNRUSEMI超结MOS采用多层外延结构，具有更高抗雪崩能力和出色EMI特性
超结MOS，适用于AC-DC电源。XNRUSEMI采用的是多层外延结构，具有更高的抗雪崩能力，展现出出色的EMI特性。其开关速度更快，导通电阻更低，产品性价比更高。
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芯际探索成功推出650、1200V内绝缘IGBT单管，可避免因绝缘材料高温或破裂导致的可靠性问题
考虑到常规TO-247封装形式的IGBT单管产品在装配、绝缘耐压等方面的市场需求，芯际探索推出650V、1200V内绝缘全系列单管产品。避免因绝缘材料高温或破裂而产生的可靠性问题，大大提高了产品特性和可靠性。
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瑶芯推出全新T系列IGBT单管，配备全电流快恢复二极管，大幅提高家电和工业设备效率
瑶芯推出全新650V S3平台T系列IGBT单管，产品针对短路耐量进行了专门的优化，并配备了全电流快恢复二极管。T系列IGBT单管凭借整体最佳的IGBT饱和电压和二极管正向电压性能，使系统具有更低的功耗和更好的热性能，是家电、工业电机驱动领域的最佳产品，包括UPS/PV和PFC在内的各种应用均适用。
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高耐压超结MOS场效应管LC65R600F，漏源导通电阻520mΩ，栅源电压±30V，TO-220F封装
凌讯微电子品牌LC65R600在TO-220F封装里采用的是1颗芯片，电性参数为7A650V的一款高耐压超结MOS管（COOL MOS）。
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探究碳化硅MOS：为您带来更高效、更可靠的电力传输
随着科技的不断进步，电力传输系统对于可靠性和效率的要求也越来越高。而碳化硅MOS产品的出现，则为电力传输系统带来了更加卓越的表现。本文中钜兴来与大家一同探究碳化硅MOS，希望对各位工程师朋友有所帮助。
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碳化硅MOS在开关电源上的应用
碳化硅MOS是一种关键的功率半导体器件，其在开关电源中扮演着重要角色。本文将详细介绍碳化硅MOS在开关电源中的应用，从其原理、特性到具体的应用案例，以及未来的发展趋势。
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igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么？
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压、高电流功率半导体器件，常被用于大功率应用中，如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前，本文中芯长征科技先来介绍一下IGBT的基本工作原理和应用特点。
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苏州固锝电子的SGT MOS为电动单车的续航里程保驾护航，TO-263AB封装工艺稳定
苏州固锝电子基于SGT平台开发的MOS产品GMN04210W及系列，近年来，赢得了E-Bike电动二轮单车界设计工程师们的青睐，100V/150A的负载能力、10~50nS高开关速度及typical 3.6毫欧的RDs(on)性能，促使其在BMS模块里能为单车的电池续航里程保驾护航。
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萨科微推出新品SL40T120FL系列IGBT单管和SLA333系列CMOS运算放大器
萨科微半导体公司（SLKOR）最近推出SL40T120FL系列IGBT单管和CMOS运算放大器SLA333系列等产品，促进公司进步的同时也引领电力电子行业的良性发展。
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【应用】芯派科技提供全面的650V/20~69A超结MOS，满足各种环境下充电桩对功率及效率的要求
充电桩可以根据不同的电压等级为各种型号的电动汽车充电。SEMIPOWER全面的超结MOS产品系列可以满足各种环境下对功率及效率的要求，为客户生产高可靠性的控制系统奠定基石。
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【应用】国产IGBT单管助力小功率伺服控制器设计，导通损耗低且短路耐受能力强，可耐受5μs以上
某客户的产品中制动和逆变准备采用七颗IGBT单管搭建，系统为220V，考虑选用600V的IGBT，本文推荐新洁能NCE20TD60BD，NCE20TD60BD是一颗600V/20A。
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【应用】ROHM的IGBT单管RGTV00TS65DGC11用于5~10kW光伏逆变器，饱和压降VCE低至1.5V
在DC-DC升压电路部分，IGBT作为开关管使用，通过改变开关管的占空比可改变DC-DC升压电路的输出。本文主要介绍ROHM的IGBT单管RGTV00TS65DGC11在DC-DC升压电路部分应用的优势。
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