LED驱动电源次级输出同步整流 SGT MOS 供应商介绍
发布时间：
2026-04-29
类型：
商品及供应商介绍，产品与供应商信息、器件厂商资料、供应商档案
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HMS18N10D/Q; HMS25N10DA/QA; HMS40N10D/Q; HMS50N10DA; HMS60N10DA; HMS70N10DA; HMS80N10DA; HMS100N10DA; HMS110N10DA; HMS125N10D; HMS50N12DA; HMS75N12DA; HMS80N12DA; HMS10N15D; HMS65N15DA; HMS85N15DA; HMS20N20D; HMS20N25D; HMS60N08D; HMS35N06D/Q; HMS60N06D/Q; HMS80N06D; HMS150N06D; HMS200N06DA; HMS45N04Q; HMS65N04Q; HMS85N04D; HMS100N04D; HMS135N04D; HMS150N04D; HMS190N04D; HMS50N03Q; HMS65N03Q; HMS120N03D; HMS135N03D; HMS150N03D; HMS200N03D; HMS4454; HMS4296; HMS4294; HMS4290; HMS4488; HMS4444B; HMS4444A; HMS4438; HMS4264; HMS4260; HMS4240; HMS4354; HMS10DN10Q; HMS10DN08Q; HMS30DN08D
虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
虹美功率半导体 授权代理店 >>
专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HMS4454 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4454 | 品类 | 超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,8A,耐100V,超级沟槽工艺,低开启版本,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 8A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9624
库存：
50
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| 订货型号 | HMS4444B | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4444系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,10A,耐80V, 超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 80V | ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.9624
库存：
50
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| 订货型号 | HMS4264 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4264 | 品类 | 超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,14A,耐60V,超级沟槽工艺,低开启版本,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | 14A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1236
库存：
50
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| 订货型号 | HMS4438 | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS4438 | 品类 | 超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,10A,耐60V,超级沟槽工艺,低开启版本,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
| 最小包装量 | 2,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V | ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.8765
库存：
50
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| 订货型号 | HMS135N03D | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS135N03D | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,135A,耐30V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 30V | ID (A) | 135A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.6471
库存：
50
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| 订货型号 | HMS65N03Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS65N03Q | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,65A,耐30V, 低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS (V) | 30V | ID (A) | 65A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.3156
库存：
50
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| 订货型号 | HMS10N15D | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS10N15系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,10A,耐150V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 150V | ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.2942
库存：
30
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| 订货型号 | HMS60N10DA | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS60N10D系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,60A,耐100V, 低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 60A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.7436
库存：
30
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HMS60N10DA 在线购买 >>
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HMS60N10DA 样品申请 >>
世强硬创平台提供HMS60N10DA批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
HMS60N10DA 批量询价 >>
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HMS60N10DA 交期查询 >>
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HMS60N10DA 期货订购 >>
| 订货型号 | HMS10DN10Q | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS10DN10系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,左右结构,10A,耐100V,低开启版本,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | DFN3X3-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V | ID（A） | 10A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.1765
库存：
30
世强硬创平台提供HMS10DN10Q在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HMS10DN10Q 在线购买 >>
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HMS10DN10Q 交期查询 >>
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HMS10DN10Q 期货订购 >>
| 订货型号 | HMS60N08D | 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HMS60N08系列 | 品类 | 超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,60A,耐80V,超级沟槽工艺,内阻更低,结电容低,开关损耗低,响应速度快,适合同步整流应用和快充市场 | 封装/外壳/尺寸 | DFN5X6-8L |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| VDS（V） | 80V | ID（A） | 60A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.8824
库存：
30
世强硬创平台提供HMS60N08D在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
HMS60N08D 在线购买 >>
世强硬创平台提供HMS60N08D样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
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HMS60N08D 批量询价 >>
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HMS60N08D 交期查询 >>
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HMS60N08D 期货订购 >>
技术支持/研发服务
世强硬创平台整合虹美功率半导体原厂及授权代理商FAE资源，提供覆盖选型、设计、调试到量产的全流程技术支持，响应快、专业强，助力研发高效落地。
立即获取 虹美功率半导体 技术支持 >>
企业采购服务
世强硬创平台授权代理商提供虹美功率半导体快速样品申请、批量订购、精准询价及交期确认等一站式采购服务，保障正品供应、响应高效，助力研发与生产无缝衔接。
立即获取 虹美功率半导体 企业采购服务 >>
加工定制
配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
立即提交 无线充电传输效率测试 >>
可定制TX线圈的尺寸/形状/特性参数,Q的最小值为90，最大值为120,符合WPC和Qi标准。电感的最小值、典型值、最大值依次为21.6μH、24.0μH、26.4μH，偏差为10%.DCR（最大值）为75mΩ。
立即提交 无线充电发射线圈定制 >>
资料平台
| 数据手册 - 中文 |
USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS
|
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| 技术文档 - 中文 |
USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS供应商
|
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| 数据手册 - 英文 |
HMS60N10DA N沟道超级沟槽功率MOSFET
v1.0
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| 技术文档 - 英文 |
HMS40N10DA N沟道超沟槽功率MOSFET
v1.0
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| 数据手册 - 英文 |
HMS40N10D N沟道超级沟槽功率MOSFET
2022/11/7
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
去使用世强AI >>
应用/方案
虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线，涵盖800多款产品型号，包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换，用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案
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【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT，提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案
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【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D用在电动工具中，拥有180A的脉冲漏级电流
虹美功率半导体的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D可以被安全地应用在绝大多数的电动工具应用上，拥有180A的脉冲漏级电流，可以让电动工具在急速启停时拥有足够的通流能力，用以保障系统的稳定运行。出厂时是100％进行UIS测试，最大程度保证其雪崩特性的有效性和一致性，为广大产品应用保驾护航。
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【应用】N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q可用于电源板，脉冲漏极电流极限值高达54A
虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HMS18N10Q具有宽工作温度范围，宽电压特性，高脉冲漏极电流，以及低漏源导通电阻，可以提高电源板的可靠性，降低电源板的功耗，降低电源板的尺寸以及成本。
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【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4N10MR可用于LED照明，总栅极电荷仅为58nC
虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4N10MR总栅极电荷小，漏源电压高，结到环境的热阻小，从而可以支持LED照明系统采用PWM进行控制，支持更多的LED灯珠串联，提高了LED照明系统的最大亮度，以及可靠性，寿命，也使得LED照明更护眼。
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【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4488 MOSFET用于快速充电桩，RDS典型值57mΩ
虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4488 MOSFET用于快速充电桩，RDS典型值57mΩ，具有功耗低，结电容低，响应速度快等特点，完全满足客户新的快充桩开关电源的设计需求，提升了快充桩开关电源的功耗表现和性能表现，提升了了客户产品的市场竞争力。
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MOS管/IGBT/Sic MOS管/Sic二极管/GaN FET 商品介绍
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【应用】虹美SGT MOS用于能源储存和消费电子领域，具有低导通电阻和低开关损耗的特点，可实现高效能源转换
在当今快节奏的现代生活中，能源储存和消费电子领域的需求持续增长。虹美提供高性价比SGT MOS。这些创新产品不仅在性能和可靠性方面居于行业前沿，更为BMS、能源储存和消费电子市场提供了出色的解决方案。
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【应用】HM4485E型MOSFET用于新能源汽车DC-DC变换器中，VDS为-35V，ID为-25V
某新能源汽车DC-DC变换器制造商正在研发新的DC-DC变换器产品，除了需要进一步提升产品的稳定性和可靠性，还需要重点关注功耗，做为关键器件的MOSFET的选型显得极其重要。了解到客户的需求后，虹美功率半导体技术团队与客户积极沟通，帮助客户寻求解决方案，经过反复评估，最终推荐型号为HM4485E的MOSFET。
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【经验】详解功率MOSFET使用注意事项
本文中虹美功率半导体将为大家解析功率MOSFET的五点使用注意事项。，包括半导体器件的选择、机械操作时的注意事项、电路安装时的注意事项、功率MOSFET使用时的注意事项、损坏模式详解。
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【经验】MOSFET驱动电阻计算方法
本文介绍了MOSFET驱动电阻计算方法，帮助各位工程师解决疑惑。其中，Rg为驱动电阻；LK是驱动回路的感抗，一般在几十nH；Rpd的作用是给MOSFET栅极积累的电荷提供泄放贿赂，一般取值在10K~几十K；Cgd、Cgs、Cds是MOSFET的三个寄生电容。
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MDD辰达半导体推出SGT MOS，专注5G基站电源应用
MDD辰达半导体推出多款SGT MOSFET产品，专为满足5G基站电源系统对高效率、低损耗及小型化的需求。产品涵盖PFC、Flyback及同步整流线路推荐，具备导通电阻极低、高电流能力及优异开关性能等优势。
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25%无人机故障因MOS管？固得沃克MOSFET解决方案守住飞行安全底线
25%无人机故障因MOS管？固得沃克MOSFET解决方案守住飞行安全底线。文章分析MOS管在无人机电机驱动、电源管理及电池保护中的关键作用，介绍SGT与SJ工艺及TO252、PDFN、SOT23封装选型指南，助力提升无人机续航与可靠性。
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鲁光40V/280A LGE280N04N SGT MOS具有极高功率密度和更优抗振荡能力，应用于无人机
鲁光LGE280N04N主要应用无人机的结构由机身、动力系统、飞行控制系统、链路系统、任务载荷等几个方面组成的。无人机动力系统中的电机，俗称“电条”，是无人机的动力来源，无人机通过改变电机的转速来改变无人机的飞行状态。
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应用案例 | 龙腾半导体SGT MOS LSGT085R018赋能5500W高效农用无人机
龙腾半导体SGT MOSFET LSGT085R018在新一代5500W农业无人机平台中的应用。该器件凭借超低导通电阻、高耐压与雪崩能力、优异散热及高功率密度特性，满足了无人机对效率、可靠性与紧凑设计的严苛要求。
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苏州固锝电子的SGT MOS为电动单车的续航里程保驾护航，TO-263AB封装工艺稳定
苏州固锝电子基于SGT平台开发的MOS产品GMN04210W及系列，近年来，赢得了E-Bike电动二轮单车界设计工程师们的青睐，100V/150A的负载能力、10~50nS高开关速度及typical 3.6毫欧的RDs(on)性能，促使其在BMS模块里能为单车的电池续航里程保驾护航。
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【经验】采用隔离驱动器+MOSFET替换传统SSR的电源优化方案
Silicon Lbs推出的SI875X加MOS FET的方案来替代传统的设计，Si875x无需使用庞大的机械继电器，这些继电器可能难以组装到PCB上并向系统添加开关噪声。 可以支持全面的工业和汽车温度范围，稳定性更高，寿命更长。
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汽车燃油泵/水泵控制解决方案 预驱动集成电路：TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L
TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L
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鲁光LGE280N04N SGT MOS，超低特征导通电阻Rsp，更小阈值电压Vth Range，利于并联应用
鲁光LGE280N04N SGT MOSFET产品介绍，具备超低导通电阻、优品质因子、小阈值电压范围、高功率密度等核心优势，广泛应用于新能源汽车、无人机、电动工具等多个领域。
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Application Cases | Lonten Semiconductor‘s SGT MOS Empowers Efficient Agricultural Drones
Lonten Semiconductor LSGT085R018 adopts a new generation of shielded grid trench technology, and its key features perfectly meet the core requirements of high-performance drones for [ultimate efficiency], [high power density] and [ultra-strong robustness], and successfully help customers achieve a comprehensive upgrade of their electric drive systems.
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【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择
Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET，是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。
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【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
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HMS/HMM系列 功率器件选型参考
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龙腾半导体不同MOSFET产品可满足服务器电源应用需求，更大程度降低开关、导通损耗
服务器电源主要用在数据中心场景中，主要应用于服务器、存储器等设备。它和PC电源一样，都是一种开关电源。本文介绍龙腾半导体的高压SJMOS和龙腾半导体的SGT MOS在服务器电源市场应用上面得产品优势。
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【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
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龙腾半导体MOSFET优化Qg和Coss/Ciss比值，降低驱动损耗，助力便携储能提升抗干扰能力
户外电源是多功能型便携式交直流应急移动电源装置，是一种内置锂离子电池，自身可储备电能且具备交流输出的多功能便携式储能电源。本文针对便携储能市场应用介绍LONTEN的高压SJ MOS和SGT MOS的产品优势。
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【产品】栅极电荷总量仅15nC的3A大电流MOSFET管,工作电压可达100V
Central的CZDM1003NMOSFET管额定电压为栅极电荷总量为15nC，可有低的开关损耗,是继电器和电机控制电路首选。
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