超轻薄 低压MOS 选型参考
发布时间：
2026-04-29
类型：
技术文档，技术说明、产品技术资料
品牌：
虹美功率半导体（Hongmei Power Semiconductor）
型号：
HM2301DR; HM2302DR; HM09P12D; HM16P12D; HM2305D; HM3401DR; HM2319D; HM2309DR; HM4P10D; HM2803D; HM3801DR; HM2819D; HM2809D; HM2300DR; HM3400DR; HM2318D; HM2310DR; HM4N10D; HM2800D; HM3800D; HM2818D; HM2810D; HM3DN10D; HM4620D; HM4630D; HM4640D; HM2301KR; HM2301BKR; BSS84KR; HM2302KR; HM2302BKR; HM3400KR; BSS138KR; HM7002KR; HM2301BSR; BSS84SR; HM2302BSR; BSS138SR; HM2301BJR; HM2302BJR; HM2301BWKR; BSS84DW; HM2302BWKR; BSS138DW; HM7002KDW; HM6604BWKR
虹美功率半导体官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是虹美功率半导体的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供虹美功率半导体的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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专业的MOS管/IGBT/Sic二极管/GaN FET供应商，提供一站式功率半导体解决方案——虹美功率半导体
虹美功率半导体是国内功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种功率半导体器件的设计、生产和销售。公司成立以来飞速发展，产品已涵盖了MOS管（低压沟槽MOS/中压大电流沟槽MOS/超结沟槽MOS/高压超结MOS/高压平面MOS）、IGBT单管、Sic 二极管、GaN FET等诸多种类总计800款产品型号。
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现货平台 / 虹美功率半导体 授权代理店
| 订货型号 | HM4640D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4640系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,N:4.0A/P:5.0A,耐40V |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 40V |
| ID（A） | N:4.0A/P:5.0A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.6095
库存：
50
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| 订货型号 | HM4630D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4630系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,N:5.0A/P:5.0A,耐30V |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 30V |
| ID（A） | N:5.0A/P:5.0A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.6095
库存：
50
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| 订货型号 | HM4620D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4620系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N+P沟道,20V/5A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 20V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.5883
库存：
50
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| 订货型号 | HM3DN10D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM3DN10系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双N沟道,100V/3A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.5883
库存：
50
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| 订货型号 | HM4N10D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4N10系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | N沟道,100V/4A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V |
| ID（A） | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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价格：
￥0.4706
库存：
50
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| 订货型号 | HM4P10D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM4P10系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | P沟道,100V/4A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 100V |
| ID（A） | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5883
库存：
50
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| 订货型号 | HM2809D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM2809系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双P沟道,60V/3A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V |
| ID（A） | 3A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5883
库存：
50
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| 订货型号 | HM2309DR |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM2309系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | P沟道,60V/4A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 60V |
| ID（A） | 4A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥0.4495
库存：
50
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| 订货型号 | HM2819D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM2819系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | 双P沟道,40V/5A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 40V |
| ID（A） | 5A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.5877
库存：
50
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| 订货型号 | HM2319D |
| 品牌 | 虹美功率半导体 |
| 型号系列 | HM2319系列 |
| 品类 | 小功率低压P/N沟道场效应管 |
| 描述/说明 | P沟道,40V/7A |
| 封装/外壳/尺寸 | DFN2X2-6 |
| 最小包装量 | 4,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| VDS（V） | 40V |
| ID（A） | 7A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
￥0.4495
库存：
50
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压；数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O，温度补偿范围-20~85ºС；模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信，具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，包括储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、TO-263贴片封装大电流高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等。产品广泛应用于储能、新能源汽车、充电器、适配器、智能插座、小家电、工业变频器、电机驱动、感应加热、电磁炉、电饭煲、逆变器、电焊机、UPS、PFC等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。产品广泛应用于储能、光伏、电动车、USB PD快充、电动工具、智能穿戴等领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT、SiC MOS管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、光伏储能IGBT单管、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、USB PD快充同步整流&VBUS开关SGT MOS、USB PD快充GaN FET、USB PD快充高压超结MOS、电动工具驱动板/保护板大电流MOS、高速风筒/风扇市场专用MOS高压平面MOS、高压超结MOS、800V高压超结MOS、贴片小封装高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N/双P/N+P中压大电流MOS、TWS蓝牙耳机&智能穿戴超轻薄/超微小封装MOS管、超轻薄低压MOS等。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其产品线，涵盖多种功率半导体器件，包括MOS管、IGBT、SiC二极管、GaN FET等，共800多款型号。重点介绍储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等，并详细列出各型号的技术参数和应用领域。
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虹美功率半导体特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其特色功率半导体产品，涵盖MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等，包括储能SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、超高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、中压大电流MOS、超轻薄低压MOS、车规SiC二极管、SiC二极管、GaN FET和IGBT单管等，适用于储能、新能源汽车、充电器、逆变器、变频器、电机驱动等应用领域。
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虹美功率半导体MOS管特色产品介绍
深圳市虹美功率半导体有限公司介绍其作为功率半导体器件设计与销售企业的产品线，涵盖800多款产品型号，包括MOS管、IGBT单管、SiC二极管、GaN FET等。重点介绍了储能SGT MOS、BMS/电动车/平衡车SGT MOS、高压超结MOS、高压平面MOS、高压PMOS、全桥驱动MOS、半桥驱动MOS、双N沟道中压大电流MOS、双P沟道中压大电流MOS、N+P沟道中压大电流MOS、超轻薄低压MOS等系列产品的型号、工艺、封装、特性及应用领域。
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【视频】虹美SGT MOS可实现高效能源转换，用于储能/BMS/消费电子的高性价比方案
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