74477726 WE-PD SMT Shielded Power Inductor
●一般信息:
■建议在最坏情况下,部件温度不超过+125°C
■环境温度(参考IR):-40至+85°C
■工作温度:-40至+125°C
■储存条件(原包装):<40°C;<相对湿度75%
■水分敏感性水平(MSL):1
■电性能试验条件:+20°C,相对湿度33%(若未另行规定)
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FMIC SIC MOSFET选型表
选型表 - FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。
|
产品型号
|
品类
|
封装
|
耐压(V)
|
Rds(on)mΩ
|
应用等级
|
认证标准
|
|
FM120D013CA
|
SiC MOSFET功率半导体
|
TO247-4
|
1200V
|
13mΩ
|
车规级
|
AEC-Q101
|
晶新功率晶体管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型,中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵,分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列,配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺,裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖,兼容各类直插、贴片功率封装
|
产品型号
|
品类
|
BVᴄᴇᴏ(V)
|
BVᴄʙᴏ(V)
|
BVᴇʙᴏ(V)
|
hғᴇ min
|
hғᴇ max
|
Vᴄᴇ(sat)(V)
|
fᴛ(MHz)
|
Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
Iᴄ(A)
|
|
CJZM718
|
功率晶体管芯片
|
-25
|
-25
|
-7.5
|
300
|
600
|
-0.35
|
150
|
0.86×0.86
|
4"
|
-2.5
|
晶新大功率肖特基二极管芯片选型表
选型表 - 晶新 晶新提供如下大功率肖特基二极管芯片选型,大功率肖特基二极管裸片是一套多耐压、多电流、多性能取向的整流芯粒完整矩阵,采用5/6英寸双硅晶圆工艺平台,提供20~200V反向耐压、0.75A~5A正向电流全覆盖规格;通YY/MCC/SCC/NHC/ALX/CC多后缀区分,超低VF、低漏电、高温大电流、小尺寸等细分性能方案,搭配0.61~2.6mm梯度裸片尺寸,适用于消费快充、锂电保护、车载电源
|
产品型号
|
品类
|
Vʀ(V)
|
Vғ(V)
|
Iʀ(µA)
|
Iғ(A)
|
Tj(℃)
|
Die Size(mm×mm)
|
Wafer Size
|
|
S24N40AYY
|
大功率肖特基二极管芯片
|
40
|
0.6
|
1000
|
0.75
|
125
|
0.61×0.61
|
5"
|
电子商城
服务市场
可定制电感最大电流100A,尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm,工作频率100KHZ ~ 2MHZ,感值范围:0.15 ~ 100uh;支持大功率电感,扁平线电感,大电流电感,高频电感,汽车电感器,车规电感,一体成型电感等定制。
最小起订量:5000 提交需求>
可定制车载智能天线频率:20kHz、114.5 kHz、120- kHz、125 kHz、134 kHz、134.2kHz、134.5 kHz;工作温度范围:-40ºC to ~125ºC;电感范围:100~734;符合AEC-Q200(汽车质量标准)和IP68标准;
最小起订量:1 提交需求>
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