74477726 WE-PD SMT Shielded Power Inductor

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2019-06-04 WURTH ELEKTRONIK 数据手册 英文


●一般信息:

■建议在最坏情况下,部件温度不超过+125°C
■环境温度(参考IR):-40至+85°C
■工作温度:-40至+125°C
■储存条件(原包装):<40°C;<相对湿度75%
■水分敏感性水平(MSL):1
■电性能试验条件:+20°C,相对湿度33%(若未另行规定)

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FMIC SIC MOSFET选型表

选型表  -  FMIC FMIC方正微电子提供SiC MOSFET、SiC肖特基二极管及功率模块的选型。产品涵盖1200V耐压等级,SiC MOSFET导通电阻13mΩ-85mΩ,二极管正向电流10A-40A,功率模块电流支持63A-210A。封装包含TO247-2/3/4/4NL/7、EASY2B、DIP32等。产品分为车规级(符合AEC-Q101标准)和工业级,适用于汽车电子及工业控制领域。

产品型号
品类
封装
耐压(V)
Rds(on)mΩ
应用等级
认证标准
FM120D013CA
SiC MOSFET功率半导体
TO247-4
1200V
13mΩ
车规级
AEC-Q101
立即选型
代理服务

晶新功率晶体管芯片选型表

选型表  -  晶新 晶新提供如下功率晶体管芯片选型,中大功率BJT裸片是一套2~15A全电流、20~350V超宽耐压的线性/驱动功率三极管芯粒矩阵,分为通用中小功率、标准宽压、超大电流功放、高压特种四大系列,配套完整NPN/PNP配对型号。产品线区50~150MHz高频线性放大工艺与10~15MHz低频大电流驱动工艺,裸片尺寸0.86~5.0mm梯度全覆盖,兼容各类直插、贴片功率封装

产品型号
品类
BVᴄᴇᴏ(V)
BVᴄʙᴏ(V)
BVᴇʙᴏ(V)
hғᴇ min
hғᴇ max
Vᴄᴇ(sat)(V)
fᴛ(MHz)
Die Size(mm×mm)
Wafer Size
Iᴄ(A)
CJZM718
功率晶体管芯片
-25
-25
-7.5
300
600
-0.35
150
0.86×0.86
4"
-2.5
立即选型
代理服务

晶新大功率肖特基二极管芯片选型表

选型表  -  晶新 晶新提供如下大功率肖特基二极管芯片选型,大功率肖特基二极管裸片是一套多耐压、多电流、多性能取向的整流芯粒完整矩阵,采用5/6英寸双硅晶圆工艺平台,提供20~200V反向耐压、0.75A~5A正向电流全覆盖规格;通YY/MCC/SCC/NHC/ALX/CC多后缀区分,超低VF、低漏电、高温大电流、小尺寸等细分性能方案,搭配0.61~2.6mm梯度裸片尺寸,适用于消费快充、锂电保护、车载电源

产品型号
品类
Vʀ(V)
Vғ(V)
Iʀ(µA)
Iғ(A)
Tj(℃)
Die Size(mm×mm)
Wafer Size
S24N40AYY
大功率肖特基二极管芯片
40
0.6
1000
0.75
125
0.61×0.61
5"
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