MC74VHCT157AM Material Composition Declaration

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2019-07-22 ONSEMI 测试报告 英文
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MC74VHCT157A四通道2通道多路复用器

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材料成分声明

2017-12-02  - 测试报告 本资料为一份关于元器件中物质声明的文件,由制造商Onsemi提供。文件详细列出了该元器件中包含的各种物质及其含量,并声明该产品符合欧盟RoHS指令的要求。文件还包括了制造商的联系方式、产品规格、材料成分和环保信息。

ONSEMI  -  MC74VHCT157AME L

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MC74VHCT157A四通道2通道多路复用器产品概述

7/13/2019  - 数据手册 MC74VHCT157A是一款高速CMOS四通道双路复用器,采用硅栅CMOS技术制造,具有类似双极性肖特基TTL的高速操作性能,同时保持CMOS低功耗。它由四个2输入数字复用器组成,具有公共选择(S)和使能(Ebar)输入。当Ebar保持高电平时,数据选择被抑制,所有输出均为低电平。选择解码器确定A或B输入是否路由到相应的Y输出。VHCT输入与TTL电平兼容,可用于3.3V至5.0V的级别转换。

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MC74VHCT157AM材料成分声明

2019-05-12  - 测试报告 本资料为一份关于元器件中物质声明的文件,详细列出了制造商列出的项目中所含有的物质。文件包括RoHS合规性声明、材料成分、重量分布、CAS号、物质类别等信息。声明中明确指出,如果项目包含有RoHS限制物质,则需选择相应的豁免条款,并详细说明。此外,文件还包含了供应商的认证和接受声明,以及与RoHS指令相关的法律和标准。

ONSEMI  -  MC74VHCT157AM

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材料成分声明MC74VHCT157AM

2018-01-10  - 测试报告 这份资料是一份关于元器件中物质声明的文件,由制造商Onsemi提供。文件详细列出了该元器件中包含的各种物质及其含量,包括但不限于金、硅、银、环氧树脂、铁、铜等。此外,文件还声明了该元器件符合欧盟RoHS指令的要求,即限制使用某些有害物质。

ONSEMI  -  MC74VHCT157AM

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产品概述MC74VHCT157A:四通道2通道多路复用器

11/17/2017  - 数据手册 MC74VHCT157A是一款高速CMOS四通道多路复用器,采用硅栅CMOS技术制造。它具有与等效双极肖特基TTL相似的高速操作,同时保持CMOS低功耗。该器件包含四个2输入数字多路复用器,具有公共选择(S)和使能(Ebar)输入。当Ebar保持高电平时,数据选择被抑制,所有输出均变为低电平。选择解码器确定A或B输入是否路由到相应的Y输出。VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可用作3.3V至5.0V的级别转换器,因为它具有全5V CMOS电平输出摆幅。VHCT157A输入结构在施加0V至5.5V电压时提供保护,无论电源电压如何。输出结构在VCC = 0V时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压输入/输出电压不匹配、电池备份、热插入等原因造成的设备损坏。

ONSEMI  -  ADVANCED HIGH SPEED CMOS QUAD 2-CHANNEL MULTIPLEXER,四通道2通道多路复用器,QUAD 2-CHANNEL MULTIPLEXER,先进的高速CMOS四通道双通道多路复用器,VHCT157A,M74VHCT157ADTR2G,MC74VHCT157A

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材料成分声明MC74VHCT157AMEL

2018-01-10  - 测试报告 这份资料是一份关于元器件中物质声明的文件,由制造商Onsemi提供。文件详细列出了该元器件中包含的各种物质及其含量,并声明了该产品符合欧盟RoHS指令的要求。文件还包括了制造商的联系方式、产品信息、材料成分和重量等详细信息。

ONSEMI  -  MC74VHCT157AMEL

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MC74VHCT157AMEL材料成分声明

2019-07-18  - 测试报告 这份资料是一份关于元器件的化学物质声明,详细列出了制造商列出的项目中所含有的物质。声明中包含了RoHS指令下的限制物质含量,以及制造商的责任和合规性信息。资料还涉及了不同材料的成分和含量,包括金、硅、银、环氧树脂、铁、铜、碳黑、氧化硅、钯和镍等。此外,还提供了供应商的认证和接受声明,以及相关的法规和标准信息。

ONSEMI  -  MC74VHCT157AMEL

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带设置和复位的MC74VHCT74A双D型触发器

November, 2009  - 数据手册

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MC74VHCT157AD材料成分声明

2020-01-22  - 测试报告 本资料为某制造商对其产品中物质成分的声明,包括材料组成、环保合规性、RoHS指令符合性等信息。声明中详细列出了产品中各成分的名称、CAS号、含量及供应商信息,并确认产品符合RoHS指令要求。

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MC74VHCT32A四路2输入或门/CMOS逻辑电平移位器,带LSTL兼容输入

January, 2019  - 数据手册

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材料成分声明MC74VHCT157ADT

2018-01-10  - 测试报告 这份资料是一份关于元器件的详细物质声明,由制造商Onsemi提供。声明中包含了该元器件中所有物质的详细信息,包括但不限于材料名称、CAS号、含量、制造地点等。此外,声明还涵盖了RoHS指令下的限制物质含量,以及制造商对产品合规性的保证。

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产品概述NGTB25N120FL:IGBT,1200 V,25 A,FS1太阳能/UPS

11/20/2017  - 商品及供应商介绍 NGTB25N120FL是一款1200V、25A的IGBT,采用Trench结构,适用于UPS和太阳能应用。该器件具有低饱和电压、低开关损耗、快速软恢复二极管等特点,可降低系统功耗,提高电路性能。

ONSEMI  -  IGBT,INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,绝缘栅双极型晶体管,NGTB25N120FL,SOLAR INVERTER,不间断电源系统,UPS SYSTEM,太阳能逆变器,功率转换,POWER CONVERSION

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产品概述NCD5700:IGBT栅极驱动器,大电流,独立

11/20/2017  - 商品及供应商介绍 NCD5700是一款高性能的独立IGBT门极驱动器,适用于太阳能逆变器、电机控制和不间断电源等高功率应用。该设备通过消除许多外部组件,提供了一种成本效益高的解决方案。它具备主动米勒钳位、精确的UVLO、EN输入、DESAT保护和主动低故障输出等保护特性。驱动器具有精确的5.0V输出,以及分离的高电平和低电平驱动输出,便于系统设计。该驱动器适用于广泛的偏置电源电压范围,包括单极和双极电压,并采用16引脚SOIC封装。

ONSEMI  -  大电流高性能独立IGBT驱动器,IGBT GATE DRIVERS,HIGH-CURRENT HIGH-PERFORMANCE STAND-ALONE IGBT DRIVER,IGBT门驱动器,NCD5700,NCD5700DR2G,BATTERY CHARGER,电池充电器,电机控制,MOTOR CONTROL,MOTOR DRIVER,PFC,电机驱动器,不间断电源(UPS),SOLAR INVERTERS,交直流逆变器,全氟化碳,DC-AC INVERTER,太阳能逆变器,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES (UPS)

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产品概述NGTB25N120FL2:IGBT 1200V 25A FS2太阳能/UPS

11/20/2017  - 商品及供应商介绍 NGTB25N120FL2是一款1200V 25A的IGBT,采用Field Stop II Trench结构,适用于UPS和太阳能应用。该器件具有高效 trench 技术、软快速反向恢复二极管、高速开关优化、短路能力等特性。

ONSEMI  -  IGBT,INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,绝缘栅双极型晶体管,NGTB25N120FL2,NGTB25N120FL2WG,SOLAR INVERTER,不间断电源,UNINTERRUPTIBLE POWER INVERTER SUPPLIES,UPS,太阳能逆变器,不间断逆变电源

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