本文内容由Central Semiconductor品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
CMHD3595 SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON DIODE
5-August 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CMHD3595硅二极管。该二极管采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装，适用于高导通率且需低漏电的应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON DIODE,表面贴装低泄漏硅二极管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CMHD3595
CLL3595 BK产品寿命终止通知
1/18/19 - 产品变更通知及停产信息 Central Semiconductor Corp. 宣布 CLL3595 低漏电二极管产品已停产，进入生命终结（EOL）阶段。由于市场需求下降，公司决定停止生产该产品。替代产品为 CMHD3595，购买和发货的最后期限分别为通知发布后六个月和十二个月。如无替代产品，公司将协助寻找其他来源。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 低漏二极管,LOW LEAKAGE DIODE,CLL3595 TR,CMHD3595 TR,CLL3595 BK,CMHD3595 BK
CLL3595 SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON DIODE
8-January 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CLL3595型低漏电硅二极管。该二极管采用密封玻璃表面贴装包装，适用于低漏电和高导电应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON DIODE,表面贴装低泄漏硅二极管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CLL3595
CMHD2003 SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
5-August 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMHD2003高压硅开关二极管。该二极管采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装在SOD-123表面贴装包装中，适用于需要高电压能力的应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE,表面贴装式高压硅开关二极管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CMHD2003
CMHD457A CMHD459A SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON DIODE
5-August 2010 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的两款低漏电流硅二极管CMHD457A和CMHD459A。这些二极管采用SOD-123表面贴装封装，适用于低泄漏应用。资料提供了最大额定值、电气特性、机械尺寸图以及产品支持和服务信息。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE SILICON DIODE,表面贴装低泄漏硅二极管,CMHD457A,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CMHD459A
Central Semiconductor（美国中央半导体公司）2N2906/2N2907/2N2906A/2N2907A数据手册
30-January 2012 - 数据手册 2N2906/2N2906A/2N2907/2N2907A PNP SILICON TRANSISTOR
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 通孔晶体管小信号,PNP SILICON TRANSISTOR,平面晶体管,PNP硅晶体管,PNP通用放大器/开关,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,2N2906A,2N2907A,2N2906,2N2222A,2N2907
CZT2680 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR
3-October 2017 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CZT2680高压开关功率晶体管。该产品采用外延平面工艺制造，具有高电压和高速度切换特性，适用于驱动器和通用高压切换应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装硅高压NPN开关功率晶体管,SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE NPN SWITCHING POWER TRANSISTOR,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CZT2680,DRIVERS AND GENERAL HIGH VOLTAGE SWITCHING,驱动器和一般高压开关
BCW31 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
20-November 2009 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的BCW31型NPN硅晶体管。该晶体管采用SOT-23表面贴装封装，适用于集电极电流高达100mA的应用。资料提供了最大额定值、电气特性以及机械尺寸图。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR,表面贴装NPN硅晶体管,2N2222A PBFREE,2N2222A TIN/LEAD,BCW31
CXT5401 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
23-February 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CXT5401型PNP硅晶体管。该晶体管采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装，适用于高压放大器应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR,表面贴装PNP硅晶体管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CXT5401,HIGH VOLTAGE AMPLIFIER,高压功放
CMNTVS12V SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 12 VOLT QUAD TVS ARRAY
29-October 2015 - 数据手册 CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNTVS12V是一款小型化SOT-953表面贴装四线TVS阵列，旨在保护敏感设备免受静电放电（ESD）损害。该器件具有低电容、低漏电流等特点，适用于便携式电子设备和仪器。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 12 VOLT QUAD TVS ARRAY,表面贴装硅单向12伏四路TVS阵列,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CMNTVS12V,存储卡端口,MEMORY CARD PORTS,PDAS,仪表,PDA系统,INSTRUMENTATION,MOBILE PHONES,移动电话
CXT3150 SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR
23-February 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CXT3150型NPN硅功率晶体管。该晶体管采用外延平面工艺制造，环氧树脂封装，适用于高电流、高增益、快速开关应用。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 表面贴装NPN硅功率晶体管,SURFACE MOUNT NPN SILICON POWER TRANSISTOR,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CXT3150
CMAD6263 SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
11-December 2015 - 数据手册 该资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMAD6263型高压肖特基二极管。这款二极管适用于需要小型化和高效能的应用，具有低正向压降、低反向电流和快速开关等特点。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT SILICON HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE,表面贴装硅高压肖特基二极管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CMAD6263,DC-DC CONVERTERS,VOLTAGE CLAMPING,BATTERY POWERED APPLICATIONS INCLUDING CELL PHONES, DIGITAL CAMERAS, PAGERS, PDAS, LAPTOP,COMPUTERS, ETC.,电压钳位,电池供电应用包括手机、数码相机、寻呼机、PDA、笔记本电脑等。,DC-DC转换器,PROTECTION CIRCUITS,保护电路
Central Semiconductor双极结型晶体管选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）双极结型晶体管选型。参数信息如下：最大直流电集电极电流：10mA~50A，集电极-发射极最大电压VCEO：12V~400V，此产品广泛应用于小信号的一般放大和开关等应用
|
产品型号
|
品类
|
最小工作温度
|
最大直流电集电极电流
|
集电极-基极电压VCBO
|
最大工作温度
|
集电极-射极饱和电压
|
发射极-基极电压VEBO
|
集电极-发射极最大电压VCEO
|
Pd-功率耗散
|
增益带宽产品fT
|
|
2N2222ATIN/LEAD
|
双极结型晶体管
|
-65℃
|
100mA
|
75V
|
+200℃
|
300mV
|
6V
|
40V
|
500mW
|
300MHz
|
Central Semiconductor整流器选型表
选型表 - Central Semiconductor 如下表格可为客户提供Central Semiconductor（美国中央半导体）整流器选型。整流器参数如下：电压DC反向(Vr)（最大值）：20V—1300V，电流平均整流(Io)：15mA—16A。此产品广泛应用于工业，消费，医疗和电源等应用
|
产品型号
|
品类
|
不同If时电压正向(Vf)
|
电流平均整流(Io)
|
速度
|
不同Vr时电流反向泄漏
|
电压DC反向(Vr)（最大值）
|
|
CMHD3595 TR PBFREE
|
整流器
|
1V@200mA
|
150mA
|
小信号=<200mA（Io），任意速度
|
1nA@125V
|
150V
|
CXT7090L SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTOR
23-February 2010 - 数据手册 本资料介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CXT7090L低VCE(SAT)PNP晶体管。该晶体管采用SOT-89表面贴装封装，适用于移动系统DC-DC转换器、LAN卡、电机控制、电源管理和闪光灯单元等领域。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - SURFACE MOUNT LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTOR,表面贴装低VCE（SAT）PNP硅功率晶体管,2N2222A TIN/LEAD,2N2222A PBFREE,CXT7090L
电子商城
服务市场
配备KEYSIGHT网络分析仪，可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗，电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q，仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址：深圳 提交需求>
可定制温度范围-230℃~1150℃、精度可达±0.1°C；支持NTC传感器、PTC传感器、数字式温度传感器、热电堆温度传感器的额定量程和输出/外形尺寸/工作温度范围等参数定制。
提交需求>
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论