RA07M4047MSA RoHS Compliance , 400-470MHz 7.0W 7.2V, 2 Stage Amp. For PORTABLE RADIO

知识图谱

发布时间： 2018-02-26 品牌： MITSUBISHI ELECTRIC 资料类型：数据手册语言：英文

●描述：RA07M4047MSA是一个7瓦RF MOSFET放大器模块，用于在400至470 MHz范围内工作的7.2伏便携式无线电。
电池可以直接连接到增强型MOSFET晶体管的漏极。如果没有栅极电压（VGG=0V），只有很小的泄漏电流流入漏极，RF输入信号衰减到60 dB。输出功率和漏极电流随着栅极电压的增加而增加。当栅极电压约为2.5V（最小值）时，输出功率和漏极电流大幅增加。标称输出功率在3V（典型）和3.5V（最大）时可用。当Vgg=3.5V时，典型的栅极电流为1mA。
该模块设计用于非线性FM调制，但也可以通过设置栅极电压的漏极静态电流和控制输入功率的输出功率来进行线性调制。

●特征：
■增强模式MOSFET晶体管（Idd≅0@Vdd=7.2伏，Vgg=0伏）
■Pout>7.0W@Vdd=7.2V，Vgg=3.5V，Pin=50mW
■ηT>40%@Pout=6.5W（VGG控制），VDD=7.2V，Pin=50mW
■宽带频率范围：400-470MHZ
■低功率控制电流lGG=1mA（典型值），VGG=3.5V
■模块尺寸：30 x 9.6 x 5.3 mm
■通过设置栅极电压的静态漏极电流和控制输入功率的输出功率，可以实现线性操作

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RA07M4047M符合RoHS标准，400-470MHz 7W 7.2V，2级放大器。便携式收音机

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MITSUBISHI ELECTRIC - 射频MOSFET放大器模块,RF MOSFET AMPLIFIER MODULE,RA07M4047M,RA07M4047M-101

硅射频器件

Nov. 2013 - 用户指南本资料介绍了三菱电机的硅射频器件，包括高输出功率Si MOSFET（离散器件）和高输出功率Si MOSFET模块。这些器件适用于各种移动无线电、专业移动无线电、业余无线电、汽车电话等，支持无线电通信网络。资料详细列出了不同型号的器件，包括其工作电压、频率范围、输出功率等参数，并提供了产品选型图和封装信息。此外，还包含了使用注意事项和产品规格说明。

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RA07M3340M符合RoHS标准，330-400MHz 7W 7.2V，2级放大器。便携式收音机

30 Jun 2010 - 数据手册 RA07M3340M是一款适用于7.2V便携式无线电的7瓦RF MOSFET放大器模块，工作频率范围为330至400MHz。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流和宽带频率范围，适用于非线性FM调制，也可通过设置漏极静态电流和输入功率来控制输出功率。

MITSUBISHI ELECTRIC - 射频MOSFET放大器模块,RF MOSFET AMPLIFIER MODULE,RA07M3340M,RA07M3340M-101

RA系列射频功率模块的静电灵敏度

22th.Jun. 2010 - 应用笔记或设计指南本资料为应用笔记，主要针对三菱电机的RF功率模块RA系列产品的静电放电敏感度进行测试和分析。内容包括测试结果、测试条件、不同型号产品的静电放电耐压值等。资料详细展示了不同测试条件下，RA系列产品的静电放电敏感度数据，为用户提供了重要参考。

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RA07M3843M符合RoHS，378-430MHz 7W 7.2V，2级放大器。便携式收音机

30 Jun 2010 - 数据手册 RA07M3843M是一款7瓦射频MOSFET放大器模块，适用于378-430MHz范围内的7.2伏便携式无线电。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流、宽带频率范围和线性操作能力。资料中详细介绍了产品的特性、电气特性、典型性能和推荐的应用信息。

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硅射频产品的可靠性概念

22th.Jun. 2010 - 应用笔记或设计指南本应用笔记介绍了硅基射频功率器件的可靠性概念和可靠性水平。内容包括硅基射频产品的质量水平、对对讲机操作时间的估计、可靠性测试项目和条件以及可能的故障模式。资料中展示了三菱电气硅基射频功率器件的可靠性测试结果，包括高温保存、低温保存、耐湿性保存、温度循环和射频通电测试等。

MITSUBISHI ELECTRIC - RA45H4452M,RA13H8891MB,RA07M1317M

RA07M2127M符合RoHS标准，215-270MHz 7W 7.2V，2级放大器。便携式收音机

30 Jun 2010 - 数据手册 RA07M2127M是一款7瓦射频MOSFET放大器模块，适用于7.2伏便携式无线电设备，工作频率范围为215至270MHz。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流和高效率，适用于非线性FM调制，也可通过设置栅极电压和输入功率来控制输出功率。

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RA07N3340M符合RoHS标准，330-400MHz 7.5W 9.6V 2级放大器。便携式收音机

30 Jun 2010 - 数据手册 RA07N3340M是一款适用于9.6V便携式无线电的7.5瓦射频MOSFET放大器模块，工作频率范围为330至400MHz。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流和宽带频率范围，适用于非线性FM调制，也可通过设置漏极静态电流和输入功率来控制输出功率。

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RA07N4047M符合RoHS标准，400-470MHz 7.5W 9.6V，2级放大器。便携式收音机

30 Jun 2010 - 数据手册 RA07N4047M是一款适用于9.6V便携式无线电的7.5W射频MOSFET放大器模块，工作频率范围为400-470MHz。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流、宽带频率范围和线性操作能力。产品符合RoHS标准。

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RA07M0608M符合RoHS，66-88MHz 7W 7.2V，2级放大器。便携式收音机

30 Jun 2010 - 数据手册 RA07M0608M是一款7瓦射频MOSFET放大器模块，适用于7.2伏便携式收音机，工作在66至88MHz频段。该模块具有增强型MOSFET晶体管，输出功率大于7瓦，总效率大于45%，适用于非线性FM调制，也可通过设置漏极静态电流和输入功率来控制输出功率。

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RA07H4047M符合RoHS标准，400-470MHz 7W 12.5V，2级放大器。便携式收音机

28 Jun 2010 - 数据手册 RA07H4047M是一款适用于12.5伏便携式无线电的7瓦射频MOSFET放大器模块，工作在400至470MHz频段。该模块具有增强型MOSFET晶体管，低功耗控制电流，宽带频率范围，线性操作能力，并符合RoHS标准。

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RA07H4452M符合RoHS标准，440-520MHz 7W 12.5V，2级放大器。便携式收音机

28 Jun 2010 - 数据手册该资料详细介绍了Silicon Labs公司生产的RA07H4452M射频功率放大器模块，适用于440-520MHz范围内的12.5V便携式无线电。该模块采用增强型MOSFET晶体管，具有低功耗控制电流、宽带频率范围和高效率等特点。

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硅射频器件选型指南

2026-06 - 选型指南

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硅射频器件

2025/06/26 - 选型指南本资料介绍了三菱电机的硅射频器件，包括高输出功率的Si MOSFET（离散器件）和模块。产品适用于各种移动无线电、专业移动无线电、业余无线电和汽车电信的射频功率放大。资料详细列出了不同电压等级和频率范围内的产品规格，包括最大额定值、频率范围、输出功率和效率等。此外，还提供了产品的应用推荐、注意事项和封装信息。

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HYPERSEMI SiC Mosfet选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅功率MOSFET选型。封装包括PDFN5x6、PDFN8x8、TO-220F、TO-247-3L/4L、TO-252、TOLL、TO-263-7L等。漏源电压650V-3300V，漏极电流3.8A-150A，导通电阻13mΩ-1000mΩ。适用于新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高功率密度场景。