SPICE Device Model Si2325DS P-Channel 150 V (D-S) MOSFET
●说明:
■所附的SPICE模型描述了p通道垂直双金属氧化物半导体的典型电气特性。在脉冲0 V至10 V栅极驱动下,在-55°C至+125°C的温度范围内提取和优化子电路模型。饱和输出阻抗在阈值电压附近的栅极偏置处最适合。
■在避免开关C-gd模型收敛困难的同时,使用了一种新型的栅-漏反馈电容网络来模拟栅极电荷特性。所有模型参数值都经过优化,以提供与测量的电气数据的最佳拟合,并且不是设备的精确物理解释。
●特点:
■P通道垂直数字多通道振荡器
■宏模型(子电路模型)
■3级MOS
■适用于线性和开关应用
■在-55°C至+125°C温度范围内准确
■模拟栅极电荷
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