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HYPERSEMI Thyristor Surge Suppressor选型表
选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供晶闸管浪涌抑制器选型。封装包括SOD-123FL、SMA、SMB。断态重复峰值电压6V-400V，转折电压25V-520V，转折电流20mA-100mA，断态漏电流5μA，浪涌峰值2000V、4000V、6000V三档（型号后缀A/B/C对应）。适用于电路过压保护场景，漏电流极低，适合低功耗敏感电路。
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产品型号
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品类
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Package
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VDRM
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VS
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IS
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IDRM
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Surge Peak
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P0080FA
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Thyristor Surge Suppressor
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SOD-123FL
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6V
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25V
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20mA
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5uA
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2000V
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晶源微ACDC芯片选型表
选型表 - 晶源微 CSC提供电源管理芯片选型，涵盖PWM控制器、AC/DC驱动、同步整流控制等细分品类。可选封装包括DIP8、SOP8、SOT23-6等。核心参数：输入电压范围85V-265V（高压款165V-265V，低压款40V-60V）；功率管耐压40V-750V；内阻17Ω-10.5mΩ；待机功耗<0.1W或<0.3W；工作结温-20~150℃。优势特性：内置OVP、OTP、SLP软启动/轻载模式、UVLO欠压锁定等保护功能，支持SSR、非隔离、副边反馈及同步整流架构。适用于宽电压开关电源、低成本非隔离方案及低压大电流输出场景（如5V2A）。
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产品型号
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品类
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封装
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控制架构
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输入电压范围（V）
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功率管耐压（V）
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工作结温范围（℃）
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最大功率
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待机功耗
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保护功能
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CSC7136B
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AC/DC 驱动芯片
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SOP7
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PSR
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85V～265V
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850V
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-20 ~150℃
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5W
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<75mW
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内置OVP,OTP,SLP等
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Launchip高压系列（上下电极型）硅电容选型表
选型表 - Launchip Launchip高压系列（上下电极型）硅电容选型表。LHV 为高压系列上下电极型硅电容，全部为量产状态，芯片厚度分为 100μm、200μm、300μm 三档。该系列为上下电极结构硅电容，高压耐压能力突出，容值覆盖齐全，多尺寸可选，适用于需要高压工况的高频电路。
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产品型号
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品类
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静电容量 (pF)
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状态
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耐压 (Vdc)
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焊盘 / 芯片尺寸 (mil)
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POD 尺寸 (mm)
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芯片厚度 (µm)
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LHV102WB6K1501
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高压系列（上下电极型）硅电容
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1000
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量产
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150
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1818/2020
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0.5*0.5
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100
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电子商城
服务市场
雷卯电子EMC实验室，面向所有企业客户免费开放，雷击浪涌（Surge）测试、雷击浪涌抗扰度试验。资深EMC专家全程免费技术指导，依托成熟的测试体系与丰富的整改经验，助力企业完成产品浪涌抗扰性摸底、验证与优化。
实验室地址：上海/北京/广东 提交需求>
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