Power MOSFET

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2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


●Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
DPAK设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术的表面安装。直引线版本(IRFU、SiHFU系列)用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功耗水平可能高达1.5 W。

●特征
■动态dV/dt额定值
■ 额定重复雪崩
■ 表面安装(IRFR9024、SiHFR9024)
■ 直导线(IRFU9024、SiHFU9024)
■ 提供磁带和卷筒
■ P通道
■ 快速切换

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SEMTECH ST达林顿三极管选型表

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产品型号
品类
封装
Polarity
PD(W)
VCBO(V)
VCEO(V)
IC (A)
HFE_Min
HFE_Max
Vcesat(V)
fT(MHZ)
FCX605U
达林顿三极管
SOT-89
NPN 
1
140
120
1
2000
100000
1
150
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SEMTECH ST碳化硅肖特基二极管选型表

选型表  -  SEMTECH ST 先之科提供碳化硅肖特基二极管选型:碳化硅材料具有超宽的禁带宽度、极高的临界击穿电场和优异的热导率,使SiC肖特基二极管在高压、高温、高频应用中展现出远超传统硅器件的性能优势。产品提供5种功率封装形式TO-252、TO-247-3、TO-220FB-2、TO-220F-2、TO-247-2,适用于工业级功率应用。该系列SiC肖特基二极管反向耐压高达1200V,可在高温(最高175°C以上)环境下稳定工作,大幅降低散热系统复杂度。零反向恢复电荷(或极小)的特性使其开关损耗极低,特别适合高频开关电源(>100kHz)、光伏逆变器、电动汽车OBC/DC-DC、工业PFC及5G基站电源等高端应用场景。正向压降1.4V~1.7V,在高压大电流应用中仍保持优异的导通效率。

产品型号
品类
封装
VRRM(V)
IF(A)
VF(V) Max
IR(mA)
IFSM(A)
SBR10J120A2Z
碳化硅肖特基二极管
TO-252
1200
30
1.65
0.1
90
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