IDT72V3656 IDT72V3666 IDT72V3676 OBSOLETE PARTS 3.3 VOLT CMOS TRIPLE BUS SyncFIFO™ WITH BUS-MATCHING Datasheet

知识图谱

发布时间： 2020-01-31 品牌： IDT 资料类型：数据手册语言：英文

IDT72V3656/72V3666/72V3676是IDT723626/723636/723646的管脚和功能兼容版本，设计用于运行3.3V电源以获得异常低的功耗。这些器件是单片、高速、低功耗CMOS三总线同步（时钟）FIFO存储器，支持高达100mhz的时钟频率，读取访问时间高达6.5ns。两个独立的2048/4096/8192 x 36双端口每个端口彼此独立，可以异步或同时。每个端口的使能器被布置成在微处理器和/或具有同步控制的总线之间提供简单的双向接口。
每个端口之间的通信可以通过两个邮箱寄存器绕过FIFOs。邮箱寄存器的宽度与端口B和C的选定总线宽度匹配。每个邮箱寄存器都有一个标志（MBF1和MBF2），用于在存储新邮件时发出信号。
这些FIFOs有两种复位方式：主复位和部分复位。主复位将读写指引脚初始化到存储器阵列的第一个位置，并选择串行标志编程、并行标志编程或五种可能的默认标志偏移设置（8、16、64、256或1024）之一。
每个FIFO都有自己独立的主复位引脚MRS1和MRS2。
部分重置还将读和写指引脚设置到内存的第一个位置。与主重置不同，保留部分重置之前存在的任何设置（即编程方法和部分标志默认偏移）。部分复位非常有用，因为它允许在不更改任何配置设置的情况下刷新FIFO存储器。每个FIFO都有自己独立的部分复位引脚PRS1和PRS2。注意，重传模式RTM pin必须在执行部分复位时处于低位。
两个FIFO都具有重传功能，当在各自的FIFO上执行重传时，只有读取指引脚被重置到第一个存储器位置。
对于每个相应的FIFO，通过使用重传模式RTM pin和重传pin RT1或RT2来执行重传。注意，两个重传管脚RT1和RT2与部分复位管脚混合。
这些设备有两种操作模式：在IDT标准模式下，写入空FIFO的第一个字存储在内存阵列中。需要读取操作才能访问该单词（以及内存中的所有其他单词）。在第一个字通过模式（FWFT）中，写入空FIFO的第一个字自动出现在输出端，不需要读取操作（然而，访问后续字确实需要正式的读取请求）。主复位期间BE/FWFT引脚的状态决定了使用中的模式。
每个FIFO都有一个组合的空/输出就绪标志（EFA/ORA和EFB/ORB）和一个组合的满/输入就绪标志（FFA/IRA和FFC/IRC）。EF和FF功能在IDT标准模式下选择。EF指示FIFO内存是否为空。FF显示内存是否已满。IR和OR函数是在第一个单词通过模式中选择的。IR表示FIFO是否有可用的内存位置。或显示FIFO是否有可供读取的数据。
它标记输出上是否存在有效数据。
每个FIFO都有一个可编程的几乎空标志（AEA和AEB）和一个可编程的几乎满标志（AFA和AFC）。AEA和AEB指示在双向36位总线（端口a）和两个单向18位总线（端口B传输数据，端口C接收数据）之间的每个芯片缓冲器数据上的SRAM FIFO的时间。FIFO数据可以从端口B读取，并使用18位或9位格式写入端口C，可选择大端或小端配置。
这些设备是同步（时钟）FIFO，这意味着每个端口都使用一个同步接口。通过端口的所有数据传输都通过使能信号选通到端口时钟的低到高转换。选定字数的时钟保留在FIFO存储器中。AFA和AFC表示FIFO包含多个选定单词的时间。
FFA/IRA、FFC/IRC、AFA和AFC是两级同步到端口时钟的，端口时钟将数据写入其数组。EFA/ORA、EFB/ORB、AEA和AEB是两级同步到从其阵列读取数据的端口时钟。
AEA、AEB、AFA、AFC的可编程偏移量使用端口A并行加载或通过SD输入串行加载。还提供了五个默认偏移设置。
AEA和AEB阈值可设置为距空边界8、16、64、256和1024个位置，AFA和AFC阈值可设置为距全边界8、16、64、256或1024个位置。所有这些选择都是在主复位期间使用FS0、FS1和FS2输入进行的。

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3.3 VOLT CMOS TRIPLE BUS SyncFIFO™ WITH BUS-MATCHING 2,048 x 36 x 2 4,096 x 36 x 2 8,192 x 36 x 2 IDT72V3656 IDT72V3666 IDT72V3676

FEBRUARY 2009 - 数据手册

IDT - CMOS三总线同步（时钟）FIFO存储器,CMOS TRIPLE BUS SYNCHRONOUS (CLOCKED) FIFO MEMORY,IDT72V3676L10,IDT72V3656L15,72V3656L10PFG,72V3666L10PFG,IDT72V3676L15,72V3676L10PFG,IDT72V3656L10,IDT72V3666L10,IDT72V3656/72V3666/72V3676,IDT72V3656,IDT72V3676,IDT72V3666,IDT723656/723666/723676,IDT72V3666L15

F0301-01产品/工艺变更通知单

09/18/01 - 产品变更通知及停产信息产品/工艺变更通知（PCN）F0301-01，涉及IDT72V3611、IDT72V3612、IDT72V3613、IDT72V3614等器件。变更内容为将生产地点从FAB 2（加利福尼亚州萨利纳斯）转移到FAB 4（俄勒冈州希尔斯伯罗），制造技术不变。自2003年7月9日起，客户将收到由FAB 2或FAB 4生产的材料。通知中提供了区分库存的方法和可靠性/资格总结。

IDT - IDT72V3614,IDT72V3612,IDT72V3613,IDT72V3611

勘误表通知

August 29, 2001 - 产品勘误说明本资料为Integrated Device Technology, Inc.（IDT）发布的 Errata Notification，编号为FEN-01-02。涉及产品为72V01/02/03/04/05/06系列15ns速度等级的异步FIFO，主要涉及数据手册中的错误修正。修正内容包括更新了15ns选项的正确AC电气特性，并提供了受影响器件的列表。建议用户在使用受影响产品前仔细阅读此通知。

IDT - IDT72V03L15,IDT72V04L15,IDT72V06L15,IDT72V05L15,IDT72V02L15,IDT72V01L15

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与IDT FIFOs应用程序匹配的总线注释AN-265

APRIL 2001 - 应用笔记或设计指南本文档为IDT应用笔记AN-265，主要介绍了SuperSync II系列FIFO的Bus Matching功能。该功能旨在消除外部MUX，通过优化FIFO与外部总线之间的映射，提高数据传输效率。文档详细阐述了不同输入输出总线宽度下的映射方式，包括32位到9位、32位到8位、32位到16位、32位到32位等，并分析了相关读写周期和状态标志的变化。此外，文档还讨论了交错奇偶校验模式以及偏移寄存器的编程方法。

IDT - IDT72V3670,IDT72V3660,IDT72V3690,IDT72V36100,IDT72V3680,IDT72V36110,IDT72V283,IDT72V293,IDT72V263,IDT72V273,IDT72V2103,IDT72V2113,IDT72V3650,IDT72V3640

IDT72V36100 3.3 VOLT HIGH-DENSITY SUPERSYNC II™36-BIT FIFO 65,536 x 36 131,072 x 36

MARCH 2018 - 数据手册该资料介绍了IDT72V36100/72V36110 3.3V高密度SuperSync II™ 36位FIFO存储器。这些存储器具有高密度、灵活的总线匹配、异步/同步读写端口、固定低延迟、零延迟重传、自动掉电以减少待机功耗等特点。它们适用于网络、视频、电信、数据通信等领域。

IDT - CMOS先进先出（FIFO）存储器,CMOS FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO) MEMORY,IDT72V3670,IDT72V36110L10,IDT72V3660,IDT72V36100,IDT72V36100L7-5,IDT72V3680,IDT72V36110L15,IDT72V36110,72V36100L6PFG,IDT72V36100L10,IDT72V36110L7-5,72V36110L10PFGI,72V36110,72V36100,IDT72V36,IDT72V36100L15,IDT72V36100L6,IDT72V36110L6,IDT72V36100L,IDT72V3650,IDT72V36110L,IDT72V3640,网络、视频、电信、数据通信和其他需要缓冲大量数据并匹配大小不等的总线的应用程序,NETWORK, VIDEO,TELECOMMUNICATIONS, DATA COMMUNICATIONS AND OTHER APPLICATIONS THAT NEED TO BUFFER LARGE AMOUNTS OF DATA AND MATCH BUSSES OF UNEQUAL SIZES

产品/工艺变更通知单（PCN）F0301-01

4/9/2003 - 产品变更通知及停产信息产品/工艺变更通知（PCN）F0301-01，涉及IDT72V3611、IDT72V3612、IDT72V3613、IDT72V3614等器件。变更内容为将生产地点从FAB 2（加利福尼亚州萨利纳斯）转移到FAB 4（俄勒冈州希尔斯伯罗），制造技术不变。自2003年7月9日起，客户将收到由FAB 2或FAB 4生产的材料。变更后产品的识别方式已更新。

IDT - IDT72V3614,IDT72V3612,IDT72V3613,IDT72V3611

与IDT FIFOs应用程序匹配的总线说明

APRIL 2001 - 应用笔记或设计指南本文档为IDT应用笔记AN-265，主要介绍了SuperSync II系列FIFO的Bus Matching功能。该功能旨在消除外部MUX，适用于无奇偶校验数据传递到FIFO的应用。文档详细阐述了如何将外部字节导向总线映射到9位导向的FIFO，包括32位输入到8位输出、32位输入到16位输出、32位输入到32位输出等不同配置下的映射方法。此外，还讨论了读写操作、状态标志、奇偶校验模式以及偏移寄存器编程等关键问题。

IDT - IDT72V3670,IDT72V3660,IDT72V3690,IDT72V36100,IDT72V3680,IDT72V36110,IDT72V283,IDT72V293,IDT72V263,IDT72V273,IDT72V2103,IDT72V3650,IDT72V2113,IDT72V3640

IDT72V3640 3.3V HIGH-DENSITY SUPERSYNC™ II 36-BIT FIFO 1,024 x 36, 2,048 x 364,096 x 36, 8,192 x 36 16,384 x 36, 32,768 x 36

MARCH 2018 - 数据手册该资料介绍了IDT72V3640/72V3650/72V3660/72V3670/72V3680/72V3690系列3.3V高密度Supersync II 36位FIFO内存。这些产品具有灵活的内存组织、高达166MHz的时钟操作速度、用户可选的异步读写端口、用户可选的输入和输出端口总线尺寸，以及与IDT72V36100和IDT72V36110的高密度兼容性。

IDT - CMOS先进先出（FIFO）存储器,CMOS FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO) MEMORY,IDT72V3670,IDT72V3670L,IDT72V3650L7-5,IDT72V3680L,IDT72V3680L7-5,IDT72V3690,IDT72V3650L,IDT72V3680L15,IDT72V3660L,IDT72V36110,IDT72V3640L,IDT72V3680L6,IDT72V3660L6,IDT72V3690L15,IDT72V3670L10,IDT72V3670L15,IDT72V3690L10,IDT72V3640L10,IDT72V3640L15,IDT72V3690L,IDT72V3640,IDT72V3680L10,72V3690L10PFGI,IDT72V3660,IDT72V36100,IDT72V3680,IDT72V3690L6,IDT72V3660L15,IDT72V3670L6,IDT72V3690L7-5,IDT72V3640L7-5,IDT72V3650L6,IDT72V3670L7-5,IDT72V3650L10,IDT72V3640L6,72V3640L6PFG,IDT72V3650L15,IDT72V3660L10,IDT72V3660L7-5,IDT72V3650,网络、视频、电信、数据通信和其他需要缓冲大量数据并匹配大小不等的总线的应用程序,NETWORK, VIDEO,TELECOMMUNICATIONS, DATA COMMUNICATIONS AND OTHER APPLICATIONS THAT NEED TOBUFFER LARGE AMOUNTS OF DATA AND MATCH BUSSES OF UNEQUAL SIZES

产品/工艺变更通知（PCN）

7/2/2003 - 产品变更通知及停产信息本资料为Integrated Device Technology, Inc.（IDT）发布的关于产品工艺变更通知（PCN），涉及型号包括IDT72V2103、IDT72V2113等。变更内容为从CEMOS 8工艺升级至CEMOS 11.5工艺，预计生产发货日期为2003年7月2日。资料中包含变更后的识别方法、可靠性/资格总结、客户确认接收等内容。

IDT - IDT72V36100,IDT72V36110,IDT72V2103,IDT72V2105,IDT72V2111,IDT72V295,IDT72V2113,IDT72V2101

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产品/工艺变更通知（PCN）

1/18/2006 - 产品变更通知及停产信息本资料为Integrated Device Technology, Inc.（IDT）发布的产品变更通知（PCN），涉及型号为IDT72255LA、IDT72265LA、IDT72261LA、IDT72271LA、IDT72V255LA、IDT72V265LA、IDT72V261LA、IDT72V271LA的元器件。变更内容为增加读写时钟之间的偏移时间（tSKEW4），以改善高速等级产品的速度分布。此变更对产品质量和可靠性无影响，需客户确认接收。

IDT - IDT72V261LA,IDT72V265LA,IDT72265LA,IDT72255LA,IDT72271LA,IDT72261LA,IDT72V255LA,IDT72V271LA

产品/工艺变更通知（PCN）

9/17/2002 - 产品变更通知及停产信息本资料为Integrated Device Technology, Inc.（IDT）发布的关于产品/工艺变更通知（PCN），编号为F0206-07R1。主要内容包括：从2002年9月17日起，IDT将部分FIFO产品的晶圆制造从FAB-2（加利福尼亚州萨拉纳）转移到FAB-4（俄勒冈州希尔斯伯罗），制造工艺和技术不变。通知还提供了详细的测试数据和日期代码标记信息，以及客户和IDT的确认流程。

IDT - IDT7283,IDT72230,IDT72251,IDT72V84,IDT72V251,IDT72211,IDT72V83,IDT72210,IDT72V851,IDT7204,IDT72V211,IDT72V811,IDT72801,IDT7284,IDT7203,IDT72240,IDT72201,IDT72421,IDT72200,IDT72420,IDT72220,IDT72V201,IDT72851,IDT72V04,IDT72V801,IDT72V03,IDT72811

产品/工艺变更通知（PCN）

6/1/2002 - 产品变更通知及停产信息本资料为Integrated Device Technology, Inc.（IDT）发布的关于产品/工艺变更通知（PCN），编号为F0202-04R1。主要内容包括：将FIFO产品从FAB-2（加利福尼亚州萨利纳斯）转移到FAB-4（俄勒冈州希尔斯伯罗）的晶圆制造工艺变更；变更日期为2002年6月1日；无制造技术变化，新增“4”字符标识FAB-4材料；重新发布PCN以包含资格数据和更正印刷错误。

IDT - IDT72V271,IDT72271,IDT72V231,IDT72231,IDT72821,IDT72225,IDT72V235,IDT72825,IDT72V831,IDT72V835,IDT72241,IDT72V261,IDT72245,IDT72V221,IDT72V265,IDT72831,IDT72V225,IDT72235,IDT72835,IDT72V821,IDT72V825,IDT7281,IDT7280,IDT7282,IDT72V81,IDT72V85,IDT72255,IDT72V82,IDT7205,IDT72205,IDT72V255,IDT72841,IDT7206,IDT72V215,IDT72845,IDT7285,IDT72V815,IDT72805,IDT7201,IDT7200,IDT7202,IDT72261,IDT72V241,IDT72221,IDT72265,IDT72V01,IDT72V245,IDT72215,IDT72V841,IDT72V05,IDT72V205,IDT72V845,IDT72V02,IDT72V805,IDT72V06,IDT72815

读3.3V多队列流量控制设备应用说明AN-338的端口操作

JULY 2003 - 应用笔记或设计指南本文介绍了多队列流控制设备的数据读取操作，主要针对IDT72V系列设备。内容包括四种可能的读取事件：1. 从已选队列读取；2. 队列“首次字通过”模式；3. 队列切换时的读取；4. 队列切换时的首次字读取。文章详细分析了每种事件的处理方法，并提供了FPGA Verilog代码示例，用于检测和读取有效数据字。

IDT - 多队列流量控制装置,MULTI-QUEUE FLOW-CONTROL DEVICE,IDT72V51336,IDT72V51446,IDT72V51556,IDT72V51436,IDT72V51546,IDT72V51253,IDT72V51243,IDT72V51353,IDT72V51233,IDT72V51343,IDT72V51453,IDT72V51333,IDT72V51443,IDT72V51553,IDT72V51256,IDT72V51433,IDT72V51543,IDT72V51246,IDT72V51356,IDT72V51236,IDT72V51346,IDT72V51456

IDT72V3640, IDT72V3650 IDT72V3660, IDT72V3670 IDT72V3680, IDT72V3690 3.3V HIGH-DENSITY SUPERSYNC™ II 36-BIT FIFO 1,024 x 36, 2,048 x 364,096 x 36, 8,192 x 3616,384 x 36, 32,768 x 36

AUGUST 2018 - 数据手册

IDT - EXCEPTIONALLY DEEP, HIGH SPEED, CMOS FIRST-IN-FIRST-OUT (FIFO) MEMORIES,超深、高速、CMOS先进先出（FIFO）存储器,IDT72V3670,IDT72V3650L7-5,IDT72V3670L,IDT72V3680L7-5,IDT72V3680L,IDT72V3690,IDT72V3680L15,IDT72V3650L,IDT72V3660L,72V3650,IDT72V3640L,IDT72V3680L6,IDT72V3660L6,72V3690,IDT72V3690L15,72V3670,IDT72V3670L10,IDT72V3690L10,IDT72V3670L15,72V3640L7-5PFGI8,IDT72V3640L10,IDT72V3640L15,IDT72V3690L,IDT72V3640,IDT72V3680L10,IDT72V3660,IDT72V3680,IDT72V3690L6,72V3660,IDT72V3660L15,72V3640,IDT72V3670L6,IDT72V3690L7-5,IDT72V3650L6,IDT72V3640L7-5,72V3680,IDT72V3670L7-5,IDT72V3650L10,IDT72V3640L6,72V3640L6PFG,IDT72V3650L15,IDT72V3660L10,IDT72V3660L7-5,IDT72V3650

TB0711-01产品/工艺变更通知单（PCN）

3/06/2008 - 产品变更通知及停产信息本资料为Integrated Device Technology, Inc.（IDT）发布的关于950 mils x 950 mils PQFP 132L产品包装 Tray 更改的通知。主要内容包括：新Tray的耐温性有所提高，但 Tray 尺寸和单位数量不变；新 Tray 已通过 IDT 内部资格认证；受影响的 IDT 产品列表及新 Tray 图纸提供。

IDT - IDT723611L20PQFG,IDT723612L20PQFI,IDT723622L15PQF,IDT723612L15PQF,IDT723613L20PQFI,IDT723611L20PQFI,IDT7050L25PQF,IDT7052L20PQFG,IDT723632L15PQF,IDT72V3651L15PQF,IDT723631L20PQFI,IDT72V3652L10PQF,IDT72V3672L15PQFI,IDT723613L20PQF,IDT7052S35PQF,IDT72V3611L15PQFG,IDT72V3672L10PQF,IDT723614L20PQFI,IDT72V3612L15PQFG,IDT72V3662L10PQF,IDT72V3622L10PQF,IDT72V3632L10PQF,IDT72V3642L10PQF,IDT7050L35PQF,IDT72V3611L15PQF,IDT723672L15PQF,IDT72V3631L15PQF,IDT723652L15PQF,IDT72V3641L15PQF,IDT723642L15PQF,IDT723662L15PQF,IDT7052S25PQF,IDT72V3652L15PQF,IDT72V3613L20PQF,IDT723631L15PQF,IDT723632L12PQF,IDT723651L15PQF,IDT723652L12PQF,IDT7050S25PQF,IDT72V3631L20PQF,IDT72V3651L20PQF,IDT72V3613L12PQF,IDT723611L15PQF,IDT72V3632L15PQF,IDT72V3612L15PQF,IDT72V3672L15PQF,IDT723642L12PQFG,IDT723641L20PQFI,IDT723672L12PQF,IDT7052S20PQF,IDT723611L20PQF,P7-210-000,IDT7052L25PQFI,IDT723631L20PQF,IDT72V3614L20PQF,IDT72V3613L15PQF,IDT72V3612L12PQF,IDT723614L20PQF,IDT723612L15PQFG,IDT723642L15PQFGI,P7-227-000,IDT723614L15PQF,IDT7052L25PQF,IDT72V3611L20PQF,IDT723651L20PQF,IDT7050S35PQF,IDT723641L20PQF,IDT72V3612L12PQFG,IDT723641L15PQF,IDT72V3662L15PQF,IDT723622L12PQF,IDT723642L12PQF,IDT72V3614L15PQF,IDT7052L35PQF,IDT72V3641L20PQF,IDT72V3622L15PQF,IDT7052S35PQFI,IDT723612L20PQF,IDT72V3642L15PQF,IDT72V3611L12PQF,IDT723662L12PQF,IDT7052L20PQF,IDT723613L15PQF,IDT723651L20PQFI,IDT72V3612L20PQF,IDT72V3614L12PQF

【产品】单片高速、低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器IDT72V3612，3.3V电源供电

2019-11-02 - 新产品瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出的IDT72V3612采用3.3V电源供电，具有极低的功耗。该器件是单片高速，低功耗CMOS双向时钟FIFO存储器。它支持高达83 MHz的时钟频率，并且具有高达8ns的读取访问时间。 FIFO在IDT标准模式下运行。芯片缓冲区数据板上具有两个独立的64x36双端口SRAM。

【产品】3.3V CMOS同步双FIFO存储器

2019-06-07 - 新产品 IDT72V801/IDT72V811/IDT72V821/IDT72V831/IDT72V841/IDT72V851是同步双FIFO存储器。单一封装下功能分别相当于两个IDT72V201/IDT72V211/IDT72V221/IDT72V231/IDT72V241/IDT72V251，关联的控制线、数据线和状态标签线被分配到不同的管脚。

中微爱芯AHC、AHCT系列高速CMOS逻辑芯片选型表

选型表 - 中微爱芯中微爱芯提供全系列AHC、AHCT系列高速CMOS逻辑芯片选型，覆盖单通道、双通道、三通道、四通道、八通道多规格，品类包含与门、或门、非门、异或门、施密特触发器、三态缓冲器、D触发器、译码器、多路复用器、总线收发器、移位寄存器等细分品类。 ‌核心可选参数‌：AHC系列供电电压支持2.0V-5.5V，AHCT系列供电电压支持4.5V-5.5V，全系工作温度覆盖-40℃~+125℃宽温区间。‌可选封装‌：包含SOT23、SOT353、DFN、TSSOP、VSSOP、XSON、DIP、SOP、DHVQFN等多类，适配工业控制、消费电子等多场景的高速逻辑电路选型需求。