Power MOSFET IRFI730G, SiHFI730G

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2018-03-14 VISHAY 数据手册 英文


●描述:Vishay的第三代功率MOSFET为设计者提供了快速开关、加固器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220 FULLPAK消除了商业工业应用中对额外绝缘硬件的需要。所使用的模塑料在凸耳和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离相当于在标准to-220产品中使用100微米云母屏障。FULLPAK使用单个夹子或单个螺钉固定装置安装在散热器上。

●特征
■隔离包
■高压隔离=2.5 kVRMS(t=60 s;f=60 Hz)
■下沉至导线爬电距离=4.8 mm
■动态dV/dt额定值
■低热阻
■无铅(Pb)-可用

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产品型号
品类
Package
VDS
ID
Rds
CM7N65PDX100
Silicon Carbide Power MOSFET
PDFN5x6
650V
7A
540mΩ
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HYPERSEMI MOSFET选型表

选型表  -  HYPERSEMI HYPERSEMI提供功率MOSFET选型,涵盖N沟道与P沟道器件。封装包括D2PAK、TO-220、TO-247、SO-8等。漏源击穿电压20V-1000V以上,连续漏极电流<1A-300A以上,最大导通电阻从几毫欧至几千毫欧,典型栅极电荷覆盖宽范围。适用于电源转换、电机驱动、负载开关等需要高效开关与低导通损耗的应用场景。

产品型号
品类
Package
Polarity
VDS
ID
Rds(VGS=10V)
VGS(th)
VGS
HMJ8N65PEX100
MOSFET
DFN8x8
N
650V
8.7A
365mΩ
3.58V
±30V
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产品型号
品类
触点负载
最大切换电流(A)
最大切换功率(W)
最大切换电压(VAC、VDC)
TR5V L-S-Z 12VDC
信号继电器
1A 120VAC 1A 24VDC 2A 120VAC 2A 24VDC
1A/2A
1200VA/30W 240VAC/48W
120VAC/60VDC
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