Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●特性
■沟槽式MOS肖特基技术
■低正向压降、低功耗
■高效率工作
■浸焊最高275°C10秒，符合JESD 22-B106标准

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V30M100-E3威海通用半导体双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

11-May-16 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V30M100M-E3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率运行等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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当肖特基双沟道电压为53伏时，电压为53伏

11-May-16 - 数据手册本资料介绍了Vishay公司生产的V30M100M-E3型号双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器VB40M120c

20-Jun-2018 - 数据手册

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双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器VB30M120c

20-Jun-2018 - 数据手册

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VB30M120C 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器

2018-06-20 - 数据手册

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VB40M120C 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器数据手册

2018-06-20 - 数据手册

VISHAY - 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,VB40M120C,太阳能电池接线盒,SOLAR CELL JUNCTION BOX

V40120CI双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器

24-Oct-17 - 数据手册

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V20200G 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器

2018-06-18 - 数据手册

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双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器VB10170c

19-Jun-2018 - 数据手册

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VB60170G 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器

2018-06-20 - 数据手册

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V30100CI双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器

28-Sep-17 - 数据手册

VISHAY - 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,V30100CI,V30100CI-M3/P,开关电源,续流二极管,或ING二极管,REVERSE BATTERY PROTECTION,DC/DC变换器,SWITCHING POWER SUPPLIES,FREEWHEELING DIODES,DC/DC CONVERTERS,HIGH FREQUENCY CONVERTERS,OR-ING DIODE,高频变换器,反向电池保护

双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器V30100c、VI30100c

09-Nov-17 - 数据手册

VISHAY - 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,VI30100C-M3/4W,V30100C-M3/4W,VI30100C,V30100C,开关电源,续流二极管,或ING二极管,DC/DC变换器,SWITCHING POWER SUPPLIES,DC/DC CONVERTERS,FREEWHEELING DIODES,OR-ING DIODE

SEMTECH ST晶闸管选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供晶闸管选型：覆盖单向（Uni）和双向（Bi）两种类型，VDRM范围100V~950V，IT(RMS)范围0.8A~16A，IGT范围0.05mA~50mA，ITSM范围8A~170A，采用SOT-23/SOT-223/SOT-89/TO-220F/TO-220FB/TO-252/TO-263/TO-92共8种封装。该系列具有高效率、高耐压、大电流承载能力和可靠的门极触发特性，广泛应用于交流调光、电机调速、温度控制、固态继电器、功率因数校正、逆变器、工业加热控制等交流功率控制领域。

产品型号	品类	封装	Type	VDRM_Min(A)	IT(RMS)Max(A)	IGT Max(mA)	ITSM_Max	Tj_Max(°C)
MCR100-4Q	晶闸管	SOT-223	Uni	200	0.8	0.2	10	125

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

SEMTECH ST高压MOS管选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供高压MOS管选型：采用TO-220F/TO-220FB/TO-220F-3/TO-247/TO-247-3/TO-247-4/TO-252/TO-263/SOT-223/SOT-223-2共10种封装。该系列具有低导通电阻、高开关速度、高可靠性等特点，漏源电压VDS覆盖500V至1500V，满足超高压工业应用需求；最大漏极电流ID范围为1.5A至60A，适配从中功率到大功率的各种场景；栅源阈值电压VGS(th)为2V至4.5V，支持低压逻辑驱动；导通电阻RDSon(10V)低至数毫欧，有效降低导通损耗；总电荷Qg范围为7nC至65nC，保证高速开关性能。广泛应用于工业逆变器、不间断电源（UPS）、智能电网、光伏并网逆变器、新能源汽车OBC/DC-DC转换器、PFC电路等高压大功率领域。

产品型号	品类	封装	Polarity	ESD Protection	VDS (V)	ID max (A)Tc= 25°C	VGS(th) (V)Min	VGS(th) (V)Max	RDSon Typ at10V(mΩ)	RDSon Max at10V(mΩ)	Qg（nC） Typ
SLQ02N65A2	高压MOS管	SOT-223	N	N	650	1.5	2	4	3500	4500	7

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

SEMTECH ST整流桥选型表

选型表 - SEMTECH ST 先之科提供整流桥选型：整流桥将4只整流二极管集成为单片模块，实现全桥或半桥整流功能，具有体积小、安装方便、可靠性高的特点，广泛应用于AC-DC电源、开关电源、充电器、适配器、工业控制电源、家电及汽车电子等领域的交流整流电路。产品提供28种封装形式，可满足不同功率等级、安装方式和散热条件的严格要求。该系列整流桥反向耐压覆盖40V至1600V超宽范围，平均电流从0.5A到50A，正向压降低至0.55V，配合低反向漏电流，确保高效率运行。浪涌电流能力最高450A，为系统提供可靠的过流保护。结电容低至13pF，有利于高频应用中的EMI控制。