Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A VF40150C

知识图谱

发布时间： 2018-03-14 品牌： VISHAY 资料类型：数据手册语言：英文

●特点
■沟槽式MOS肖特基技术
■低正向压降、低功耗
■高效率工作
■焊槽温度最高275°C。10秒，符合JESD 22-B106

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双沟道肖特基半导体高压稳压器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40150C双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。该产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器VF40150c

08-Mar-18 - 数据手册

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

13-Dec-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V40150C-E3、VF40150C-E3、VB40150C-E3、VI40150C-E3系列双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。这些产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向压降、低功耗和高效运行的特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、ORing 二极管、DC/DC 转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

02-Dec-13 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40M120C-M3型号双高压 trench MOS 隧道型肖特基整流器。该产品采用Trench MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册 Vishay公司生产的VF40100C是一款双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，具有超低正向压降和高效能操作的特点。该产品适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40120C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40150C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

13-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司推出了一系列高电压沟槽MOS肖特基整流器，型号包括V40150C-E3、VF40150C-E3、VB40150C-E3和VI40150C-E3。这些产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗和高效运行的特点。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

14-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司推出的V40100C-E3、VF40100C-E3、VB40100C-E3、VI40100C-E3系列双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等领域。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

14-Dec-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V40100G-E3、VF40100G-E3、VB40100G-E3、VI40100G-E3系列双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率、低热阻等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等领域。

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双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

13-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司生产的V40120C-E3、VF40120C-E3、VB40120C-E3、VI40120C-E3系列双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等领域。

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V40150C-E3、VF40150C-E3、VB40150C-E3、VI40150C-E3威海通用半导体双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

13-Dec-16 - 数据手册 Vishay公司生产的V40150C-E3、VF40150C-E3、VB40150C-E3、VI40150C-E3系列双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等领域。

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双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器V40150c-e3、VF40150c-e3、VB40150c-e3和VI40150c-e3

19-Jun-2018 - 数据手册

VISHAY - 双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,V40150C-E3,VI40150C,V40150C,VB40150C,VI40150C-E3/4W,VB40150C-E3/8W,VF40150C,VF40150C-E3/4W,VB40150C-E3/4W,VF40150C-E3,VB40150C-E3,V40150C-E3/4W,VI40150C-E3,SWITCHING MODE POWER SUPPLIES,续流二极管,开关模式电源,或ING二极管,REVERSE BATTERY PROTECTION,DC/DC变换器,FREEWHEELING DIODES,DC/DC CONVERTERS,OR-ING DIODE,反向电池保护

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V40150C-E3、VF40150C-E3、VB40150C-E3、VI40150C-E3 Vishay通用半导体双高压沟道MOS势垒肖特基整流器IF=5 A时超低VF=0.55 V

13-Dec-16 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的V40150C-E3、VF40150C-E3、VB40150C-E3、VI40150C-E3系列双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。这些产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、ORing二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

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双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器VF40100c

16-Mar-18 - 数据手册

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VF40120C威海通用半导体双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40120C双高压 trench MOS 障垒肖特基整流器。该产品采用 trench MOS 肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管和反向电池保护等应用。

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双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器VF40120c

09-Mar-18 - 数据手册

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VF40100C威海通用半导体双高压沟道MOS势垒肖特基整流器

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40100C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向电压降、低功耗、高效率运行和低热阻等特点，适用于高频转换器、开关电源、续流二极管、OR二极管、DC/DC转换器和反向电池保护等应用。

VF40100G双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器

16-Mar-18 - 数据手册

VISHAY - 双高压沟道MOS势垒肖特基整流器,DUAL HIGH-VOLTAGE TRENCH MOS BARRIER SCHOTTKY RECTIFIER,VF40100G-M3/4W,VF40100G,开关电源,续流二极管,或ING二极管,REVERSE BATTERY PROTECTION,DC/DC变换器,SWITCHING POWER SUPPLIES,FREEWHEELING DIODES,DC/DC CONVERTERS,HIGH FREQUENCY CONVERTERS,OR-ING DIODE,高频变换器,反向电池保护

双高压沟道MOS势垒肖特基整流器超低VF=0.43 V，IF=5 A VF40120C

17-Aug-15 - 数据手册该资料介绍了Vishay公司生产的VF40120C双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器。该产品采用沟槽MOS肖特基技术，具有低正向压降、低功耗、高效率等特点，适用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、ORing二极管和反向电池保护等应用。

HYPERSEMI SiC Diode选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）选型。封装包括DFN8x8、PDFN5X6、TO-220AC、TO-220F-2L、TO-247-2L/3L、TO-252、TO-263等。反向重复峰值电压650V-1700V，正向平均电流5A-75A，正向压降1.21V-1.60V。适用于高频高效电源转换、电动汽车充电、光伏逆变器等需要低损耗高耐压的应用场景。

产品型号	品类	Package	VRRM	IF	VF
CR865PEX100	Silicon Carbide Schottky Diode	DFN8x8	650V	8A	1.4V

立即选型

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HYPERSEMI SBD Module选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI提供肖特基二极管模块选型。封装包括M01G、M31H、M45、M58。平均正向电流100A-800A，反向重复峰值电压100V或200V，正向压降0.75V-1V，非重复浪涌电流800A-6400A。适用于高效率电源转换、高频整流等需要低正向压降与高浪涌耐受能力的应用场景。

产品型号	品类	Package	IFAV	VRRM	VFM	IFSM
HS1MZK100N1X100	Schottky Diode Module	M01G	100A	100V	1V	800A

立即选型

代理服务

技术支持采购服务

HYPERSEMI Rectifier Module选型表

选型表 - HYPERSEMI HYPERSEMI 提供整流模块选型。封装包括M01G、M02-2、M63、M80、M90、M95等。平均正向电流50A-1000A，反向重复峰值电压800V、1200V、2200V，正向压降1.2V-1.7V，非重复峰值浪涌电流350A-28000A。适用于工业电源、重型电力设备等需要大功率整流与高浪涌耐受能力的应用场景。