ESD3.3V88D-2C Transient Voltage Suppressors for ESD Protection

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发布时间： 2020-03-25 品牌：优恩半导体资料类型：数据手册语言：英文

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●描述：ESD3。3V88D-2C是专为保护高速数据接口而设计的超低电容TVS阵列。该系列专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感组件，使其免受ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和EFT（电快速瞬变）引起的过电压的影响。

●特色
■每条线40瓦峰值脉冲功率（tp=8/20μs）
■保护两条双向I/O线路
■低箝位电压
■工作电压：3.3V
■低泄漏电流
■为IEC61000-4-2（ESD）提供ESD保护：

▲±30kV（空气放电）
▲±30kV（接触放电）

授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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【产品】优恩半导体 ESD3.3V88D系列 ESD静电保护器

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

产品特性：1.每线路峰值脉冲功率为182瓦特（tp=8/20µs） 2.保护单向I/O线路 3.低钳位电压 4.工作电压：3.3V 5.低漏电流 6.符合IEC61000-4-2标准（ESD）：±30kV（空气放电）/ ±30kV（接触放电）;应用领域：1.10/1000千兆接口 2.手机手机和配件 3.基于微处理器的设备 4.笔记本电脑、台式机和服务器 5.外围设备 6.紧急呼叫机

系列型号： ESD3.3V88D-LCDN; ESD3.3V88D-A

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ESD3.3V88D-2C ESD保护用瞬态电压抑制器数据表

December 18, 2013 - 数据手册该资料介绍了UN Semiconductor Co., Ltd.生产的ESD3.3V88D-2C瞬态电压抑制器（TVS）阵列。这是一种超低电容TVS，专为保护高速数据接口而设计，可防止由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和快速瞬变（EFT）引起的过压损坏。

优恩半导体 - 瞬态电压抑制器,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,ESD3.3V88D-2C,个人数字助理,MICROPROCESSOR BASED EQUIPMENT,PERSONAL DIGITAL ASSISTANTS,DESKTOPS,PERIPHERALS,PDA’S,SERVERS,基于微处理器的设备,传呼机,CELL PHONE HANDSETS AND ACCESSORIES,掌上电脑,笔记本,PORTABLE INSTRUMENTATION,便携式仪表,外围设备,NOTEBOOKS,服务器,PAGERS,手机和配件,台式机

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ESD3.3V88DS-ULC PcbLib & SchLib & IntLib

2026-01-22 00:00:00 - CAD模型库

优恩半导体 - 瞬态电压抑制器,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,ESD3.3V88DS-ULC

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空气质量净化器项目上寻一款ESD，可替代CPDQC3V3T-HT，3.3V，功率至少180W，求推荐。

2022-10-24 - 技术问答推荐优恩半导体ESD防护二极管ESD3.3V88D-CDN，DFN1006-2封装，最大反向工作电压3.3V，最大钳位电压14V，最大脉冲电流15A，峰值脉冲功率210W，典型结电容20pF，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3319236.html。

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【产品】优恩半导体 ESD36V52D系列 ESD静电保护器

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

产品特性：1.高峰脉冲功率：1098~1980瓦特峰值脉冲功率（tp=8/20µs） 2.保护单条I/O线（单向） 3.低钳位电压 4.工作电压范围：3.3V~48V 5.低泄漏电流 6.符合IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ηs)、IEC61000-4-5 (Lightning) 13.8 ~ 100A (8/20μs) 和 IEC61000-4-2 (ESD) ±30kV (空气)，±30kV (接触) 7.封装类型：DFN1610 8.模具化合物阻燃等级：UL 94V-O 9.重量：约3.5毫克 10.无铅焊点 11.充电器保护;应用领域：1.手机手机和配件 2.基于微处理器的设备 3.个人数字助理（PDA） 4.笔记本电脑、台式机和服务器 5.便携式仪器 6.外设 7.充电器保护

系列型号： ESD36V52D-A; ESD36V52D-HA

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用于ESD保护的ESD3.3V88D-2C瞬态电压抑制器

March 1,2022 - 数据手册该资料介绍了ESD3.3V88D-2C瞬态电压抑制器，这是一种专为防止静电放电（ESD）和瞬态电压事件设计的保护器件。它具有优异的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，适用于板空间受限的设计。

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ESD3.3V02D-DLC PcbLib & SchLib & IntLib

2025-11-28 - CAD模型库

优恩半导体 - 瞬态电压抑制器,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS,ESD3.3V02D-DLC

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电压3.3V，SOT666封装，替代NXP的低电容单向五重ESD保护二极管PESD3V3L5UV，请问是否有合适的推荐？

2021-10-30 - 技术问答您好！推荐优恩半导体的ESD3.3V56T-4L，工作电压3.3V，SOT-563封装，这款主要是功能替代，需要改板，参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2113491.html

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【产品】优恩半导体 ESD3.3V12D系列 ESD静电保护器

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

产品特性：1.1000瓦峰值脉冲功率每线（tp=8/20μs） 2.200瓦峰值脉冲功率每线（tp=10/1000μs） 3.保护一个I/O线路或电源线路 4.低钳位电压 5.工作电压：5V至190V 6.低泄漏电流 7.符合IEC61000-4-2 (ESD) ±30kV（空气），±30kV（接触） 8.符合IEC61000-4-4 (EFT) 80A（5/50ηs）;应用领域：1.手机手机和配件 2.基于微处理器的设备 3.个人数字助理（PDA） 4.笔记本电脑、台式机和服务器 5.便携式仪器 6.外设 7.紧急呼叫机 8.LED照明 9.消费电子产品 10.电信行业

系列型号： ESD3.3V12D-A

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工作电压3.3V，SOT666封装，可以替代NXP的PESD3V3L5UV。

2021-10-30 - 技术问答您好！没有PIN TO PIN替代，推荐优恩半导体的ESD静电保护器ESD3.3V56T-4L，工作电压3.3V，反向漏电流2.5μA，工作温度范围-40℃~125℃，SOT-563封装，参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2113491.html

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【产品】优恩半导体 ESD3.3V08P系列 ESD静电保护器

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

产品特性：1.50瓦峰值脉冲功率每线（tp=8/20μs） 2.保护六条高速I/O线路 3.低钳位电压 4.工作电压：3.3V 5.低泄漏电流 6.符合IEC61000-4-2 (ESD) ±15kV (空气)，±8kV (接触) 7.符合IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ηs);应用领域：1.USB系列或高速数据线 2.基于微处理器的设备 3.视频显卡 4.数字视频接口（DVI） 5.高清多媒体接口（HDMI） 6.ATM接口 7.IEEE1394火线端口

系列型号： ESD3.3V08P-LC

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用于ESD保护的ESD3.3V88D-LC瞬态电压抑制器

March 1,2022 - 数据手册该资料介绍了ESD3.3V88D-LC瞬态电压抑制器，这是一种专为保护高速数据接口而设计的低电容TVS阵列。它旨在防止由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和快速瞬变（EFT）引起的过压损坏敏感组件。

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用于ESD保护的ESD3.3V88D-LC瞬态电压抑制器

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用于ESD保护的ESD3.3V88D-LC瞬态电压抑制器

May 19, 2021 - 数据手册该资料介绍了UN半导体公司的瞬态电压抑制器（TVS）产品，特别是型号为ESD3.3V88D-LC的低电容TVS阵列。这些器件旨在保护高速数据接口免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和快速瞬变（EFT）引起的过压损害。它们具有低钳位电压、低漏电流等特点，适用于多种电子设备。

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用于ESD保护的ESD3.3V88D-LC瞬态电压抑制器

May 18, 2018 - 数据手册该资料介绍了UN Semiconductor Co., Ltd.生产的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列，用于保护高速数据接口免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变脉冲群（EFT）引起的过压损害。这些TVS具有低漏电流、低夹持电压和高峰值脉冲功率等特点。

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用于ESD保护的ESD3.3V88D-LC瞬态电压抑制器

May 18, 2018 - 数据手册该资料介绍了用于ESD保护的瞬态电压抑制器（TVS）产品。这些低电容TVS阵列旨在保护高速数据接口免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变脉冲群（EFT）引起的过压损害。

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【元件】新品！优恩半导体推出面向USB3.1/HDMI2.1等高速数据接口EOS/ESD静电保护器件

2024-10-28 - 产品在当今高度集成化、小型化和智能化的电子产品市场中，EOS/ESD静电放电防护已成为确保产品稳定性和可靠性的关键因素。随着USB 3.0/3.1、HDMI 2.0/2.1等高速数据接口的广泛应用，EOS/ESD现象对电子产品的威胁日益加剧。优恩半导体推出面向高速数据接口的EOS/ESD静电保护器件。

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优恩半导体ESD静电保护元件Protection TVS ESD Arrays选型表

选型表 - 优恩半导体静电抑制二极管（Electrostatic Discharge Devices）俗称 ESD 管，是一种用于保护电子产品免受静电干扰元器件。

产品型号	品类	Standby Current Ir@Vrwm（µA）	Breakdown Voltage Vbr.min(V)	Clamping Voltage @1A mp Vc(V)	Peak Power Disspation 8/20µs (W)	Reverse Stand-off Voltage Vrwm(V)	Marking Code	Internal Configuration	Capacitance (f=1MHz) TYP（pF）
ESD3.3V88D-2C	ESD静电保护器	0.01	3.5	6.5	40	3.3	N6	DFN1006P3	7