GD25B512ME Uniform Sector Quad Serial Flash

知识图谱

发布时间： 2021-01-26 品牌：兆易创新资料类型：数据手册语言：英文

●概述：GD25B512ME（512M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持四路SPI和DTR模式：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和复位#。四路I/O和四路输出数据以83MBytes/s的速度传输，DTR四路I/O数据以90MBytes/s的速度传输。

●特点：

■512M位串行闪存
◆64M字节
◆256字节/可编程页
■标准，四路SPI，DTR，QPI
◆标准SPI:SCLK，CS#，SI，SO，WP#，复位#
◆四路SPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，IO2，IO3，复位#
◆QPI:SCLK，CS#，IO0，IO1，IO2，IO3，复位#
◆SPI DTR（双传输速率）读取
◆3或4字节地址模式
■快速编程/擦除速度
◆页面编程时间：0.15ms典型
◆扇区擦除时间：30ms典型
◆块擦除时间：0.15/0.22s典型
◆芯片擦除时间：150s典型
■灵活架构
◆4K字节扇区
◆32/64K字节块
◆擦除/程序挂起/恢复
■高速时钟频率
◆166MHz用于快速读取
◆四路I/O数据传输高达664Mbits/s
◆QPI模式数据传输高达664Mbits/s
◆DTR四路I/O数据传输高达90MBytes/s
■允许XIP（就地执行）操作
◆高速读取可减少XIP指令的总取数时间
◆带Wrap的连续读取可进一步减少数据延迟填充SoC缓存
■低功耗
◆16pA典型待机电流
◆2pA典型掉电电流
■高级安全功能
◆128位唯一ID
◆带OTP锁的4K字节安全寄存器
■单电源电压
◆全电压范围：2.7~3.6V
■软硬件写保护
■耐久性和数据保留
◆写通过软件保护所有/部分内存
◆使用WP#引脚启用/禁用保护
◆单个块保护
◆最少100000个程序/擦除周期
◆典型的20年数据保留
■封装信息
◆SOP16 300mil
◆WSON8（8x6mm）
◆TFBGA-24ball（5x5球阵列）

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GD25B512ME统一扇区四通道串行闪存规格书

2020-12-15 - 数据手册

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兆易创新 - GDXXXXXXXXXXX,GD25B127D

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2022-3-7 - 数据手册

兆易创新 - STANDARD AND QUAD SERIAL FLASH,标准和四通道串行闪存,SERIAL FLASH,串行FLASH,GD25B512MEYIG,GD25B512MEYEG,GD25B512MEBER,GD25B512MEFIR,GD25B512MEFEK,GD25B512MEFER,GD25B512MEBFK,GD25B512MEYES,GD25B512MEFJK,GD25B512MEBJR,GD25B512MEFFK,GD25B512MEBJK,GD25B512MEYIS,GD25B512ME,GD25B512MEYJG,GD25B512MEYFG,GD25B512MEBFR,GD25B512MEFJR,GD25B512MEFFR,GD25B512MEYFS,GD25B512MEBIK,GD25B512MEBIR,GD25B512MEBEK,GD25B512MEFIK,GDXXXXXXXXXXX,GD25B512MEYJS

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