Low profile power module combined with state of the art MOSFET switches, SiC diodes allows high frequency, very compact three-phase sinusoidal input rectifiers

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MMA051AA 1 WDC-24 GHz GaAs高电子迁移率晶体管分布式功率放大器

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MICROSEMI  -  砷化镓高电子迁移率晶体管分布式功率放大器,GALLIUM ARSENIDE (GAAS) MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT (MMIC) PSEUDOMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR (PHEMT) DISTRIBUTED AMPLIFIER,GAAS PHEMT DISTRIBUTIVE POWER AMPLIFIER,砷化镓(GAAS)单片微波集成电路(MICROWAVE MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT)赝晶高电子迁移率晶体管(PHIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR)分布式放大器,MMA051AA,WIDEBAND MICROWAVE RADIOS,TEST INSTRUMENTATION,MEASUREMENT INSTRUMENTATION,军事的,测试仪器,SPACE,MICROWAVE COMMUNICATION SYSTEMS,空间,MILLIMETER-WAVE COMMUNICATION SYSTEMS,测量仪器,微波通信系统,毫米波通信系统,MILITARY,宽带微波无线电

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ZL30771,ZL30772,zl30773ieee1588同步以太网包时钟网络同步器

November 2019  - 商品及供应商介绍 该资料介绍了Microsemi公司生产的ZL30771、ZL30772和ZL30773系列同步以太网和IEEE 1588网络同步器产品。产品特点包括支持一个、两个或三个DPLL通道,提供包和/或物理层频率、相位和时间同步,符合ITU-T G.8262、G.8261.1、G.813、G.812、Telcordia GR-1244、GR-253等标准。产品适用于5G无线应用,具有可编程带宽、高分辨率保持平均、可编程相位斜率限制等功能。输入时钟接受多达10个差分或CMOS输入,输出时钟频率范围为<0.5Hz至1045MHz。产品适用于同步以太网和IEEE 1588、SONET/SDH、OTN、无线基站等系统。

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APTGL475U120DAG Single switch with Series diode Trench + Field Stop IGBT4

October, 2012  - 数据手册 该资料详细介绍了APTGL475U120DAG型单开关IGBT4器件的技术规格和应用特点。该器件采用Trench+Field Stop IGBT 4技术,具有低电压降、低漏电流和低开关损耗等特性,适用于高频操作,可直接安装在散热器上,具有低结壳热阻和低剖面高度。资料还提供了电气特性、动态特性、热和封装特性等详细信息。

MICROSEMI  -  APTGL475U120DAG

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用峰值检波器电压补偿输出电压随温度变化的应用注意事项

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