LFXTAL075170Cutt Quartz Crystal

知识图谱

发布时间： 2021-08-05 品牌： IQD 资料类型：数据手册语言：英文

●说明：
■2 x 1.6mm SMD晶体陶瓷封装，带接缝密封金属盖，密封
■型号：IQxC-42
■型号发布编号：1

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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选型表 - SEMTECH ST 先之科提供达林顿三极管选型：涵盖NPN和PNP两种极性配置。达林顿管由两只三极管复合连接，具有极高的电流放大倍数，可用微小的基极电流控制较大的集电极电流，广泛应用于功率放大、开关驱动、电机驱动、继电器驱动、LED驱动及各类需要高增益电流放大的场合。产品提供6种封装形式，从小信号放大到大功率开关均有覆盖。该系列达林顿管电流放大倍数高达140000，可用极小的控制电流驱动大功率负载，简化驱动电路设计。集电极电流能力最高10A，配合2.3W的功耗能力，可满足中等功率开关和放大需求。饱和压降低至2V以内，降低了导通损耗。特征频率最高220MHz，适用于中高频开关应用。NPN/PNP双极性覆盖，方便推挽和桥式驱动电路设计。

产品型号	品类	封装	Polarity	PD(W)	VCBO(V)	VCEO(V)	IC (A)	HFE_Min	HFE_Max	Vcesat(V)	fT(MHZ)
FCX605U	达林顿三极管	SOT-89	NPN	1	140	120	1	2000	100000	1	150

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选型表 - SEMTECH ST 先之科提供的功率三极管选型：集电极-基极耐压VCBO覆盖500V至800V，集电极-发射极耐压VCEO最高达500V，集电极电流IC范围从0.15A到15A，耗散功率PD区间为1W至150W，直流电流放大系数HFE在6至2000之间，饱和压降Vcesat为200mV至3000mV，特征频率fT覆盖2MHz至300MHz。该系列产品涵盖SOT-223、SOT-89、TO-220F、TO-220FB、TO-247、TO-252、TO-263、DFN2020、DFN2020-6HM及DFN5060共10种封装规格，可灵活适配从小功率信号放大到大功率功率开关等不同应用场景需求，广泛应用于电源管理、电机驱动、音频放大及工业控制等领域，全面满足系统对高增益、低饱和压降及高可靠性的综合要求。

产品型号	品类	封装	Polarity	PD(W)	VCBO(V)	VCEO(V)	IC (A)	HFE_Min	HFE_Max	Vcesat(mV)	fT_Min(MHZ)
BC55MY	功率三极管	DFN2020	NPN	1.1	60	60	1	63	250	500	100

立即选型

代理服务

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选型表 - 东微半导体东微半导体提供600V-1400V电压等级IGBT选型，电流覆盖10A-200A（TC=100°C），阈值电压Vge(th)典型值1.45V-6.2V，栅极电荷Qg范围43nC-4809nC，Qgc范围10nC-237nC。产品适用于电机驱动、光伏逆变器、UPS电源及高频功率转换等应用场景，提供不同电流规格和开关性能组合，便于根据系统功率和驱动要求灵活选型。